Navitas美国制造Gen 5 GaNFast产品将于9月从GlobalFoundries开始出货
Navitas宣布,与GlobalFoundries合作的美国制造Gen 5 GaNFast产品将于9月开始首批晶圆出货。该系列采用GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的200mm硅基GaN制造平台,面向AI基础设施、高性能计算、工业电气化及关键国家安全应用。
Navitas宣布,与GlobalFoundries合作的美国制造Gen 5 GaNFast产品将于9月开始首批晶圆出货。该系列采用GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的200mm硅基GaN制造平台,面向AI基础设施、高性能计算、工业电气化及关键国家安全应用。
凌云光携手JAI在无锡CSEAC 2026展出面向半导体关键工艺环节的成像检测方案,覆盖可见光、紫外和红外波段。晶圆引导切割道检测方案采用InGaAs芯片相机,覆盖400-1700nm,搭配短波红外远心镜头及Revox短波红外LED光纤照明光源,用于内部结构检测、Mark点定位和激光打孔等场景。
安世半导体将探索与 Aurobay Technologies 开展汽车功率半导体战略合作,面向下一代电动化及混合动力汽车平台。Aurobay 已在用于增程器的高度集成发电系统中部署安世半导体 GaN 器件。双方拟结合 GaN、SiC 技术与动力总成集成能力,评估牵引逆变器及发电系统的架构优化机会。
芬兰激光系统制造商 Vexlum 任命 Erik McKee 为美洲总裁,负责北美和南美的运营与增长。他将常驻科罗拉多州丹佛,支持量子、半导体、航天及医疗等领域不断增长的激光技术需求。McKee 拥有逾十年的科研及工业激光解决方案经验,专长覆盖 UV 至中红外波段。
Cree LED与Promier Products达成和解,通过有限许可协议解决涉及便携式照明产品所用LED组件的专利侵权纠纷。作为和解的一部分,Cree LED向以LitezAll名义经营的Promier Products授予部分LED组件专利的有限许可。
国家标准委批准发布271项推荐性国家标准,涵盖钢铁检测、电池、半导体器件及光伏测量等领域。电能存储系统用钠离子电池和电池组安全技术规范 GB/T 48072-2026、技术规范 GB/T 48098-2026 均于2027-03-01实施,电动汽车用固态电池术语和分类标准 GB/T 48093.1-2026 于2028-01-01实施。
推荐理由:清单列明钠离子储能电池安全规范与固态电池术语标准的不同实施日期,可供企业按适用领域安排标准衔接。
国家标准委批准发布《人工智能 具身智能数据质量规范 第1部分:真实数据》等60项国家标准化指导性技术文件。该具身智能数据质量规范编号为GB/Z 218.1-2026,发布日期为2026-08-27。同批文件还涵盖具身智能数据生成平台、行业大模型、类脑计算及半导体智能传感器等领域。
德化县先进陶瓷产业园招商专场签约“半导体陶瓷新材料”和“高温合金陶瓷”两大项目。领德集团(亚洲)有限公司签约项目主要研发生产集成电路陶瓷基板、芯片封装陶瓷材料、MLCC陶瓷电容、陶瓷电路板基材,并提供配套检测服务。福建泰启汇能科技有限公司签约的高温合金陶瓷项目主攻1650 ℃高温陶瓷产品。
德衡纳米科技将以赞助单位身份参与粉体圈于9月21-22日在江苏苏州举办的第二届纳米金属粉体/浆料制备与应用创新发展论坛。论坛聚焦银、铜、镍等粉体及浆料的制备技术与应用挑战。德衡主营高压微射流均质机,设备涵盖实验型、中试型、量产型、防爆型与医药型。
Semiverse Solutions 团队使用 SEMulator3D 仿真光刻至刻蚀流程,前馈控制使刻蚀后 Cpk 从 0.2854 提高至 0.7135,晶圆通过率从 60.82% 提高至 96.77%。
8月15日,星翰微纳年产2000吨电子元器件专用功能材料项目在常州金坛经济开发区开工,总投资11亿元。项目由常州星翰微纳科技有限公司分期建设,规划年产微纳米铜粉300吨、微纳米镍粉700吨及高低温电子导电浆料各500吨。项目依托企业自主研发的“粉浆一体化”技术,面向5G通信、半导体封装、新能源汽车电子、光伏等应用领域。
Onto Innovation作者团队展示了皮秒超声技术用于BCD器件SiCr薄膜的无损测厚,动态重复性优于0.5Å(1σ)。团队通过一次性截面TEM校准,将该特定沉积工艺的薄膜声速确定为69.7Å/ps,再利用声学回波往返时间计算厚度。DOE厚度偏移实验及晶圆内13点采样呈现一致趋势,为腔室认证、片间与片内均匀性监控提供依据。
半导体测量结果没有统一有效期,器件结构、环境、测量路径或失效机理认知变化后,原本准确的数据可能不再适合当前决策。图形化、键合、热暴露、安装及接触件磨损等应成为复核触发条件,而非仅依赖固定校准周期。跨测试环节保留参数值、规格余量及硬件、软件和温度等条件,可帮助重新解释早期结果、定位受影响器件,减少大范围复测或隔离。
2026年8月8日,日联科技在无锡总部将第10000台智能检测装备交付安捷利电子。其智能检测装备已应用于半导体先进封装、新能源、存储芯片、商业航天等领域,服务全球4000多家客户,覆盖70多个国家及地区。
国家标准委批准发布《船用外螺纹青铜截止阀》等323项推荐性国家标准和7项推荐性国家标准修改单。动力蓄电池安全评价指南 GB/T 47971.1-2026、GB/T 47971.2-2026 分别面向单体及模块、电池包及系统,均于2027-02-01实施。
推荐理由:清单列明动力蓄电池安全评价、半导体测试及薄膜标准的实施日期与替代关系,可为相关企业安排标准切换提供时间依据。
SEMI旗下SMG发布报告,2026年第二季度全球硅晶圆出货量达3573百万平方英寸,同比增长7.4%,环比增长9.1%。AI相关需求从先进逻辑和存储领域扩展至功率器件、光电子及其他市场。工业和汽车需求正在复苏,存储器价格压力则限制了PC和智能手机需求。
细间距混合键合具备大规模量产可能,但关键在于跨工序维持统一工艺窗口,而非仅验证键合机制或提高设备对准精度。芯粒到晶圆键合可筛选已知良品芯粒,却牺牲晶圆级并行效率,并叠加颗粒、表面形貌、翘曲和逐颗放置误差;受访者认为6 µm间距可能较长时间保持商业可行性,1 µm仍是更长期目标。
SEMI发布年中预测报告,预计2026年全球半导体制造设备销售额同比增长23.2%至1659亿美元,2028年达到2295亿美元。2026年晶圆厂设备、测试设备和封装设备销售额预计分别达1439亿美元、153亿美元和67亿美元,AI基础设施、HBM及前沿逻辑投资是主要驱动因素。中国大陆、中国台湾和韩国预计在2028年前继续位居设备支出前三,中国大陆在预测期内维持领先,但2026年增速预计放缓。
推荐理由:报告将设备支出预测拆分至晶圆制造、测试、封装及存储应用,可用于比较AI相关投资在不同设备环节的增长差异。
SEMI旗下ESDA发布报告,2026年第一季度电子系统设计产业销售额达57.478亿美元,同比增长12.7%。所有产品类别销售额均增长,其中CAE增长15.5%,SIP增长14.1%。区域方面,EMEA和亚太地区分别增长17.6%和17.7%,日本下降9.9%。
福建臻璟将以支持单位身份参与粉体圈于2026年7月15–16日在江苏·无锡举办的第四届精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛。论坛围绕磨料制备、工艺创新、抛光装备与产业应用展开研讨。福建臻璟主营氮化硅陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板及高纯氮化铝粉等产品。
SEMI与TechSearch International于美国加州时间2026年7月7日发布2026版《全球封装测试厂数据库》,覆盖超过820座工厂。数据库追踪IDM和OSAT企业的半导体后端制造,覆盖量较2025版的750座增加,并新增材料、终端市场、基板与中介层平台等字段。
半导体测试系统的插座、负载板与温控回路会影响测量,使电气上有效的临界结果仍可能误导器件缺陷诊断。区分器件与测试系统问题,需要追踪故障是否随器件或硬件位置迁移,并关联测试裕量、方差、校准历史和热状态,而非只看通过、失败或分档。X-ray、声学和光学检测及片上传感器可提供交叉核查依据,跨测试环节保留器件与设备上下文有助于识别先进封装中的误通过、误失败及误降档。
日联科技发明专利《开放式微焦点射线源及其控制方法》(ZL202111006063.4)入选第二十六届中国专利奖。该专利对应UNOS系列160kV开放式微焦点射线源,面向先进封装与芯片失效分析,目前已批量服务于半导体、AI算力、商业航天等领域。
SEMI《300mm晶圆厂展望报告》预测,2026年全球300mm晶圆厂存储领域设备投资将增长29%至520亿美元,2027年再增11%至570亿美元。受AI驱动的HBM、DDR5及数据存储需求支撑,2026年DRAM设备支出预计增长29%至370亿美元,3D NAND设备支出预计增长28%至140亿美元。
推荐理由:报告将存储设备支出增长与有效产能温和增长并置,有助于区分技术迁移带来的投资需求与新增晶圆产能的扩张。
光起科技将以支持单位身份参与粉体圈于2026年7月15–16日在江苏·无锡举办的第四届全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛。公司以光阻法单颗粒光学传感技术(SPOS)为核心,开发液体颗粒计数与粒度表征设备,适用于注射剂、CMP浆料及功能液体的颗粒监测与质量控制。
模拟与混合信号芯片难以采用自适应测试,关键在于合格输出常是一个范围,且正常工艺波动、边缘失效与测试路径误差难以区分。1 月发布的 IEEE 2427-2025 为模拟缺陷建模与覆盖率评估提供了更一致的框架,但缩短或移除测试仍需确认剩余测量能够保留有效缺陷覆盖。Kelvin 连接、精确温控以及上游量测与下游电气表现的可靠关联,可为区分测量误差与器件偏差、判断测试冗余提供依据。
SEMI 发布的《全球半导体设备市场报告》(WWSEMS)显示,2026 年第一季度全球半导体设备出货金额达到 365.5 亿美元,同比增长 14%,环比增长 1%。报告将季度销售额增长归因于持续的 AI 相关投资,包括支持先进逻辑芯片、DRAM 和先进封装的产能扩张及技术升级。
粉体圈发布第407期采购需求,涵盖粉体材料、陶瓷制品、代加工及粉体设备求购信息。材料需求包括5N-6N高纯氧化铈、符合BP或USP认证的医药级滑石粉,以及用于晶圆真空吸盘的碳化硅陶瓷盘。设备需求包括分离锂电池黑粉中铜铝粉尘的分级机,以及每小时生产能力500-1000公斤、研磨粒度300目的气流粉碎机。
SEMI报告显示,2025年全球半导体材料市场销售额同比增长6.8%,达到732亿美元。晶圆制造材料销售额增长5.4%至458亿美元,封装材料销售额增长9.3%至274亿美元。中国台湾地区以217亿美元连续第16年保持全球最大消费地区位置,中国大陆以156亿美元排名第二。
MEMS、CMOS 图像传感器、SiC 与 GaN 功率器件及共封装光学(CPO)的工艺控制,可通过跨设备、跨层及跨工序关联量测与检测数据改善。RF BAW 案例将在线厚度量测与逐片修整反馈闭环结合,使晶圆内不均匀性降低一个数量级;功率器件案例结合衬底与外延缺陷图及电阻率测量,识别纵向传播且低电阻率的致命缺陷。
AI 正通过自动化缺陷识别与实时在线分析,改变半导体制造中的检测与量测,提高准确性并减少误判。Nordson 的 SQ3000 Multi-Function System 利用深度学习识别传统方法可能漏检的微小缺陷。其 Eagle AI 结合监督与无监督学习,而客户数据的安全性、保密性及可用性仍是模型训练的重要挑战。
MEMS、CMOS图像传感器、SiC与GaN功率器件及共封装光学的规模化制造,均面临各自的形貌、膜厚、均匀性和缺陷控制挑战。CIS器件高度为6µm至10µm,像素隔离沟槽约100nm宽;SiC已采用200mm晶圆生产,部分厂商开始生产用于发挥材料导热特性的300mm SiC晶圆,而GaN更早转向300mm晶圆。
球形粉体通过颗粒球形化提升流动性、填充性和分散性,应用于导热材料、金属3D打印及电子封装。主要制备技术包括等离子体球化法、喷雾热解法和造粒烧结法,分别适用于高熔点金属及难熔陶瓷、多组分复合氧化物和球形陶瓷粉体。
国内氮化硼企业正加速向高端导热填料市场渗透,但高纯度、大单晶、球形化、纳米化等领域仍由国际企业主导。各向异性与界面热阻是主要技术难点,三维导热网络、球形团聚体和表面改性是应对方向。天元航材目前满产年产能为500吨,新产线技改后设计产能将扩至1000吨/年。
聚酰亚胺(PI)粉体在300℃高温下仍可保持初始性能,兼具耐磨、电绝缘和精密加工特性。其制备主要采用化学沉淀法与物理粉碎法,可用于改性PTFE、直接模塑半导体设备绝缘零部件及充当钻石砥石结合剂。成本高、加工要求苛刻仍是应用挑战。