微芯科技 PAC1761 和 PAC1861 电源监测器追踪 48 V 系统累计能耗
微芯科技推出面向 48 V 电源架构的 PAC1761 和 PAC1861 数字电源监测器，可测量瞬时电压、电流并累计能耗。两系列分别采用 12-bit 和 16-bit 分辨率，支持最高 65 V 总线电压及 75 V 尖峰保护，功率测量精度为 1%。产品已通过微芯科技及其分销商供货。
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今日 1 条Charged EVsAI 评分4242
Semiconductor TodayAI 评分4747 瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V GaN 器件，称其率先采用双面冷却 8mm x 8mm 封装
瑞萨推出面向 AI 数据中心的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，称其为业内首款双面冷却同类器件。该器件采用 8mm x 8mm PQFN 封装，导通电阻为 20mΩ，顶面热阻降低 10%，占板面积较 TOLT 封装缩小 57%。目前正向主要客户送样，计划于 2027 年中量产。
Semiconductor TodayAI 评分3434 Starlab 获 Elethron 有效载荷舱位预订
Starlab Space 获得 Elethron 的有效载荷舱位预订，为其 ĀTAR 平台在 Starlab 空间站演示和运行提供路径。该自主模块化晶体生长与材料加工平台将利用微重力环境开展半导体材料研发，并在为期六个月的试点中积累工艺数据与运行经验。
Semiconductor TodayAI 评分3030 Space Forge 微重力半导体制造方案获美国 DARPA ERIS Marketplace“可授标”资格
Space Forge 的微重力半导体制造方案通过美国 DARPA ERIS Marketplace 获得“可授标”资格。该方案提供在微重力环境中制造先进半导体材料的路径，重点面向超宽禁带半导体，有望支持 RF、功率电子及量子技术应用。
Compound SemiconductorAI 评分4040 Filtronics 获 SpaceX $68.1m 订单
英国射频与微波厂商 Filtronics 获 SpaceX $68.1m 追加订单，为其收到的最大一笔 SpaceX 订单。订单涉及 Cerus E-band GaN 固态功率放大器（SSPA），预计在 FY2028 完成主要交付，为未来收入提供更高可见性。
Compound SemiconductorAI 评分4242 利用 ZnO 量子点开展量子计算研究
日本东北大学联合日本物质材料研究机构及东京大学，在 ZnO 器件中演示了电荷传感、高频反射测量及少电子双量子点的形成。团队将传感量子点与 RF 谐振电路集成，加快电子电荷变化检测，为自旋量子比特研究提供测量平台。下一步将演示电子自旋读出与操控，并测量自旋弛豫和相干时间。
Compound SemiconductorAI 评分4444 可编程 GaN 芯片适应网络需求变化
Tyndall National Institute 参与的国际团队开发出可编程 GaN 芯片，可持续适应网络需求变化，待机功耗几乎为零。该芯片将多层六方氮化硼（hBN）忆阻开关直接集成到 GaN MMIC，配置保持无需持续供电。研究已在多个关键 RF 组件中完成演示，成果发表于《Nature》，面向未来 6G 通信。
Semiconductor TodayAI 评分2323 《Semiconductor Today》最新一期现已上线
《Semiconductor Today》最新一期今日出版并免费开放，涵盖上月化合物半导体及先进硅材料与器件的商业和技术进展。本期内容包括热稳定性更高的 InP 量子点近红外激光二极管、降低 micro-LED 侧壁影响、GaN HEMT 短路性能及功率 GaN 器件市场增长。
Charged EVsAI 评分3737 L&T Semiconductor Technologies 推出面向电动汽车快充的 1,200 V SiC MOSFET 平台
L&T Semiconductor Technologies 推出 1,200 V SiC MOSFET 平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器。公司表示，相比硅 IGBT，SiC MOSFET 开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件和冷却硬件尺寸。
第三代半导体产业网AI 评分2727 英伟达入局，3D DRAM存算一体迎来产业化拐点
英伟达9月10日宣布将d-Matrix下一代Raptor推理XPU接入其AI基础设施体系，该芯片采用3D DRAM堆叠架构。3D集成与存算一体结合，有望缩短数据传输距离并降低搬运开销。亿铸正推进3D DRAM与通用存算一体架构协同设计，探索面向云端AI推理的产品化路径。
第三代半导体产业网精选AI 评分7676 星辰技术先进封装二期在光谷通线，报道指为国内首条3D先进封装量产线
9月30日，湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目在光谷正式通线，报道将其称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元，二期自2025年10月开工，历时11个月达成通线节点。二期补齐2.5D中试能力，使公司同时具备2.5D和3D先进封装技术；产线全面建成后，可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产，以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。
推荐理由：二期将芯片中试与风险量产、国产设备材料验证纳入同一平台，为理解先进封装产线如何衔接工艺开发与量产提供了具体案例。
第三代半导体产业网AI 评分2929 IFWS&SSLCHINA 2026将于11月苏州启幕，首批嘉宾名单出炉
IFWS&SSLCHINA 2026将于2026年11月16-19日在江苏苏州召开，首批嘉宾名单已公布。论坛设置1场主论坛、6大主题方向，议题覆盖碳化硅衬底与器件、氮化镓功率与射频、车规级器件可靠性验证及先进封装等，同期举办2026先进半导体技术应用创新展。
第三代半导体产业网AI 评分5151 平湖实验室将携SiC与GaN展品参加西安APWS 2026
平湖实验室将参加2026年10月11日-15日在西安举办的APWS 2026，在A15展位展示SiC与GaN产品。
第三代半导体产业网AI 评分6060 三安光电联合清华大学、厦门大学完成堆叠全彩Micro LED技术原理验证
三安光电联合清华大学、厦门大学历经两年攻关，完成4英寸晶圆堆叠式全彩Micro LED架构工艺的底层原理验证与技术可行性论证。团队依托MOCVD工艺、应力调控及新型隧道结结构，实现红、绿、蓝光半峰宽分别为42nm、27nm、17nm；材料称经检测，蓝光EQE达32%、绿光EQE达20%、红光EQE突破3%。成果处于前沿预研阶段，95%以上BT.2020广色域覆盖为后续技术迭代目标。
第三代半导体产业网AI 评分3939 集创北方联合微芯科技重塑车载矩阵灯光架构
集创北方与微芯科技联合推出基于10ba se-T1S技术的车载LED照明终端方案，实现终端节点无MCU化设计。方案结合ICND7301车规级LED驱动芯片与微芯科技端点芯片，通过RCP协议实现区域控制器对终端节点的直接控制。灯效逻辑集中部署于ZCU侧，OTA升级灯效无需改动终端节点配置。
第三代半导体产业网AI 评分7272 先导芯光武汉晶圆厂通线，已承接海外400G光互连预研订单
9月28日，先导芯光武汉晶圆厂正式通线，基地转入工艺认证与产品导入阶段，产能尚未释放。该厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心，建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料平台。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分7373 总投资120亿元的先导芯光光电芯片基地在光谷通线
9月28日，先导芯光晶圆厂在东湖综保区通线，这座晶圆厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心。基地建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料大尺寸光电芯片平台，通线后由建设期转入工艺认证与产品导入阶段。研发批与工程批即日启动，200G光芯片代工导入先行，400G平台各项目同步进入流片与验证阶段，平台将以晶圆代工与联合研制两种方式向产业链开放。
推荐理由：通线后的工艺认证、产品导入与流片验证安排，提供了区分晶圆厂建设完成、工程批运行和后续量产进度的具体依据。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分6464 Resonac成功开发300mm碳化硅衬底
Resonac（力森诺科）成功开发直径300mm（12寸）SiC衬底，相同制程下每片可取得的芯片数量为主流150mm（6寸）衬底的4倍。其商业化需要功率半导体制造商进行大规模设备投资，以及供应商建立稳定量产低缺陷衬底的生产体系。Resonac目前主要生产150mm衬底，现阶段将优先强化由150mm向200mm转移的生产能力，并按客户需求评估300mm产品的市场前景。
推荐理由：大尺寸衬底的芯片数量优势与商业化所需的设备投资、低缺陷量产条件形成对照，有助于区分开发成果与量产降本之间的距离。
Compound SemiconductorAI 评分3131 Space Forge获DARPA ERIS平台“可授标”资格
Space Forge的微重力半导体制造方案通过DARPA ERIS平台评估，获得“可授标”资格，为对接美国政府客户提供机会。该方案探索在微重力环境中制造先进半导体材料，重点面向超宽禁带半导体，潜在应用涵盖RF、功率电子及量子技术。
艾邦半导体网AI 评分6868 TOPPAN新加坡FC-BGA基板工厂开业，计划2026年12月开始生产
TOPPAN新加坡FC-BGA基板工厂于2026年9月29日举行开业典礼，计划2026年12月开始生产。该厂是TOPPAN首个FC-BGA基板海外生产基地，拥有约70,000平方米设施及200名以上工程师和技术人员，聚焦生成式AI、机器学习和大型网络交换机所需的大型高多层基板。
艾邦半导体网AI 评分6767 广州广芯半导体先进封装基板项目在中新广州知识城动工
9月29日，广州广芯半导体先进封装基板项目在中新广州知识城动工，目标产品为高阶FCBGA封装基板。项目首期占地面积312亩，总建筑面积约36万平方米，产品应用领域包括数据中心、高性能计算（HPC）和云计算。项目建成后，将进一步提升广州广芯在高阶封装基板领域的技术能力与产能规模。
Compound SemiconductorAI 评分4747 瑞萨推出采用双面冷却封装的650V GaN器件
瑞萨推出业内首款双面冷却650V GaN器件TP65H020G4PLSGBD，面向800V HVDC AI数据中心电源转换。该器件导通电阻为20 mΩ，采用8 x 8mm PQFN封装，顶部热阻降低10 percent，占板面积较TOLT封装缩小57 percent。目前已送样，计划于2027年中量产。
艾邦半导体网AI 评分7171 工研院验证基于玻璃载板的面板级中介层，面向2.5D先进IC封装
工研院在2025 IEEE第75届ECTC会议论文中，完成基于玻璃载板的RDL先制与芯片先制两种面板级中介层工艺验证。样件采用37 cm × 47 cm母板，最小线宽/线距达到3 μm/3 μm，通过平衡薄膜将翘曲控制在约0.1 mm，并结合AOI偏移数据与DDC™数字动态连接技术调整通孔和布线图形。
艾邦半导体网AI 评分7373 三星电机投资约6.78万亿韩元扩产AI服务器用FCBGA基板
三星电机计划在世宗生产基地和越南子公司共计投资约6.78万亿韩元，扩大AI服务器用FCBGA基板产能。世宗基地投资4.27万亿韩元，投资期间为2026年9月至2028年5月；越南子公司扩建设备投资约2.51万亿韩元，目标为2030年6月完工并投产。此次投资包含客户资金支持和中长期订单保障，世宗基地侧重高附加值、高难度产品量产，越南基地侧重全球订单供应及生产效率提升。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分6666 日本凸版与博通合资封装基板新厂在新加坡投产
日本凸版控股与博通合资的Advanced Substrate Technologies（AST）封装基板新厂于9月29日在新加坡正式投产，比原计划提前约三个月。
推荐理由：新加坡工厂与日本新潟生产中心的互补布局，为理解凸版与博通如何通过新增产能缓解先进基板供应不足提供了具体案例。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分3737 沪硅产业董事长姜海涛辞职
沪硅产业董事长姜海涛因工作变动辞去公司全部职务，辞职于9月28日送达董事会之日起生效。此次辞职属于任期未满提前离任，相关工作交接已完成，不会造成董事会人数低于法定最低人数。公司将启动董事补选及新任董事长选举流程，完成后另行披露。
艾邦半导体网AI 评分5050 英伟达正在评估玻璃基板方案，联合设备商攻关
英伟达正评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，希望基板厂商在两年内完成开发，最快于2028年前导入应用。SCHMID正与英特尔、英伟达、AMD的核心供应商共同开发相关设备，但玻璃通孔（TGV）金属化仍有技术难题，客户认证尚未完成。
SEMI 中国·半导体AI 评分3030 台积电据传将在得州启动第二园区建厂计划
台积电据传或将启动美国第二园区建厂计划，拟再建六座先进晶圆厂，得州达拉斯落地呼声较高。若计划启动，总投资金额估计将超越亚利桑那州园区的2650亿美元。台积电尚未回应，多位供应商表示听过传言，但未接获业主要求预做准备的通知。
艾邦半导体网AI 评分6969 海极半导体完成TGV玻璃基M-LED系列产品开发，七款产品自10月起推向市场
海极半导体宣布完成TGV玻璃基M-LED全类工艺及第一代系列产品开发，直显、透明显示、MiP三类共七款产品自10月起推向市场。此次点亮产品为13.5寸P0.78玻璃基M-LED，其产线采用730mm×920mm玻璃基板，TGV通孔深宽比10:1、最小孔径10μm，线路精度L/S 8μm/8μm。
中国粉体网AI 评分2929 万亿半导体产业背后：碳化硅陶瓷应用持续增长
碳化硅陶瓷在半导体设备核心部件中的应用渗透率持续提升，零部件需求增速显著高于行业平均水平。其耐高温、耐腐蚀等特性支持刻蚀、沉积、外延等工序应用，炉管可在1200℃以上长期稳定工作。QY Research数据显示，2024年全球半导体用碳化硅零部件市场规模约11.71亿美元，预计2030年增至15.78亿美元。
中国粉体网AI 评分4242 透光又抗造，透明陶瓷还藏着多少本事？
透明陶瓷兼具透光性、优异的力学性能和耐高温能力，可用于透明装甲、红外窗口及高性能光学元件等领域。顶立科技已具备年产吨级AlON粉体能力，每批纯度≥99.9%，粒径分布D50：1~5μm可调控。铁锚科技的YAG透明陶瓷已实现1.2米×0.8米的工程化生产。
粉体圈AI 评分4040 TDK与太阳诱电签署合作协议，探讨MLCC及电感共同开发
9月29日，TDK与太阳诱电宣布签署合作协议，将探讨MLCC、电感等电子元件的共同开发。双方拟围绕AI服务器用新品研发、原材料采购及制造生产开展协同，并共同强化供应链安全。此次签署的是基本合意书，具体产业合作模式尚未公开，协议也提及未来资本合作的可能性。
粉体圈AI 评分4848 日本东北大学：800℃制备纳米多孔β-SiC，LMD法提供新路径
日本东北大学金属材料研究所团队利用液态金属脱合金法（LMD），在800℃条件下成功制备纳米多孔β-SiC。该工艺通过熔融铋选择性去除前驱体中的Mn，使保留的Si-C骨架重构，形成纳米片层互连的三维共连续纳米多孔结构，为SiC低温制备与结构调控提供新路径。
中国粉体网AI 评分1919 先进硅基材料发展现状及趋势
国内先进硅基材料产业已具备一定产能基础，但高端产品供给、精细加工、原料提纯及产品稳定性仍存在短板。IC/EMC球形硅微粉在芯片环氧塑封料中质量占比可达70%~90%，高端产品仍面临国产化攻坚压力。全球高端高纯石英市场仍由海外龙头主导，国内半导体、光通信领域高端石英制品亟待国产化替代。
Semiconductor TodayAI 评分4646 英国启动 Semiconductor Catapult，强化 AI 硬件与国防自主能力
英国启动 Semiconductor Catapult，旨在强化 AI 硬件与国防自主能力，并加速半导体技术商业化。该机构由 CSA Catapult 于今年夏季转型而来，提供供应链整合、设计、系统测试与验证服务。其重点领域涵盖先进封装与异构集成、功率电子与热管理、光子学与光互连，以及 RF 与混合信号集成。
Semiconductor TodayAI 评分3939 阿肯色州电子系统研究所（ARIES）成立
阿肯色州电子系统研究所（ARIES）成立，旨在开发、生产和部署适用于严苛环境的下一代功率电子、微电子及半导体技术。研究所汇集阿肯色大学研究人员，聚焦功率电子及半导体、网络安全与 AI、光子学、射频与微波技术。其整合 MUSiC、HiDEC 和 NCREPT 设施，提供从制造、原型开发到产业及政府应用转化的能力。
Semiconductor TodayAI 评分3939 伊顿将在面向800V数据中心配电的中压固态变压器中采用英飞凌SiC功率器件
伊顿将为面向亚太地区部署的中压固态变压器MVSST 2.0平台采用英飞凌SiC功率器件，支持800V直流数据中心配电。该平台较传统架构减少转换级数，提高效率、功率密度和部署灵活性，并已获IEC认证。双方正探索基于2.3kV和3.3kV SiC功率模组的下一代SST平台。
第三代半导体产业网AI 评分3232 天科合达科学碳目标通过SBTi官方验证
近日，天科合达科学碳目标通过SBTi官方验证，其碳减排目标已在SBTi官网公示，被认定符合《巴黎协定》1.5℃温控路径。公司此前于2025年获得ISO 14067产品碳足迹核查声明证书，对核心产品碳化硅衬底的全流程温室气体排放进行系统核算，为制定科学碳目标提供数据基础。
Semiconductor TodayAI 评分4545 Navitas获美国陆军ALATTIS项目，开发10kV功率半导体
Navitas获美国陆军ALATTIS项目，将开发下一代10kV SiC IGBT及配套PiN二极管技术。项目由美国陆军研究实验室资助，旨在通过迭代设计、制造和测试，开发并验证≥10kV SiC IGBT的美国本土制造工艺。器件将基于其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，面向军方任务关键系统。
第三代半导体产业网AI 评分4343 鸿利显示：车载Mini LED行业洞察与技术趋势
鸿利显示分享车载Mini LED技术趋势与量产经验，以POB与COB双技术路线覆盖主流至高端车载显示需求。其COB方案亮度均匀性可达92%以上，对比度高达100000:1。公司已具备车规级Mini LED背光模组批量交付能力，量产案例包括吉普12.3寸仪表屏、广汽15.6寸中控屏等。