Charged EVs· Chris Ruoff·· 2 天前AI 评分37
L&T Semiconductor Technologies 推出面向电动汽车快充的 1,200 V SiC MOSFET 平台
L&T Semiconductor Technologies unveils a 1,200 V SiC MOSFET platform for EV fast chargers
AI 导读
L&T Semiconductor Technologies 推出 1,200 V SiC MOSFET 平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器。公司表示，相比硅 IGBT，SiC MOSFET 开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件和冷却硬件尺寸。
来源：Charged EVs · chargedevs.com