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LTSCT发布1200V碳化硅MOSFET平台
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AI 综述
据Charged EVs于2026年9月30日报道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）推出1,200 V碳化硅（SiC）MOSFET平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器等应用。公司表示，与硅IGBT相比，SiC MOSFET开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件及冷却硬件的尺寸。目前报道披露的进展为平台发布，未说明量产时间、供货安排或客户采用情况。
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最新进展9月30日 23:11
LTSCT推出1,200 V SiC MOSFET平台，面向电动汽车快充等应用。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
9月30日
- Charged EVsL&T Semiconductor Technologies 推出面向电动汽车快充的 1,200 V SiC MOSFET 平台
L&T Semiconductor Technologies 推出 1,200 V SiC MOSFET 平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器。公司表示，相比硅 IGBT，SiC MOSFET 开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件和冷却硬件尺寸。
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