微芯科技 PAC1761 和 PAC1861 电源监测器追踪 48 V 系统累计能耗
微芯科技推出面向 48 V 电源架构的 PAC1761 和 PAC1861 数字电源监测器，可测量瞬时电压、电流并累计能耗。两系列分别采用 12-bit 和 16-bit 分辨率，支持最高 65 V 总线电压及 75 V 尖峰保护，功率测量精度为 1%。产品已通过微芯科技及其分销商供货。
#工艺/技术
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今日 7 条Charged EVsAI 评分4242 Charged EVsAI 评分3131 HEVO携手ORNL和宝马评估下一代电动汽车无线充电技术
HEVO将与橡树岭国家实验室（ORNL）及宝马合作，开展下一代电动汽车无线充电技术评估。HEVO将提供工程支持和圆形线圈拓扑，协助宝马通过台架测试评估其与ORNL专有多相线圈技术的兼容性。参与方表示，多相无线充电有望改善系统的功率密度、效率及封装。
ElectriveAI 评分4141 国轩高科将固态电池能量密度目标定为 400 Wh/kg
国轩高科公布固态电池新目标，计划将 Jinshi 电芯的能量密度提升至 400 Wh/kg。长期成本目标为约 US$150 per kWh；这家中国电芯制造商获大众汽车参股。
ElectriveAI 评分4444 Vianode 与 FAAM 成功将电池生产废石墨回收制成负极材料
Vianode 与 FAAM 已验证，电池生产中的废石墨可回收制成高性能负极材料。Vianode 是挪威电池材料专业企业，FAAM 是意大利电池制造商，双方目前计划扩大该回收方法的应用规模，以用于工业生产。
ElectriveAI 评分1919 日产在英国启动自动驾驶研究项目 ADventure
日产在英国剑桥启动名为 ADventure 的自动驾驶研究项目，探索如何在真实社区安全引入自动驾驶客运服务。该项目获得英国政府资助，研究重点是此类服务在社区中的安全引入方式。
ElectriveAI 评分3131 沃尔沃卡车选择压缩氢气作为氢能卡车储氢方案
沃尔沃卡车选择以加压储罐储存气态氢，用于氢能重卡，与戴姆勒卡车偏好的液氢方案不同。两家公司正共同推动德国氢能重卡及配套基础设施的商业化，但在储氢方式和储罐系统上采用不同路线。
Charged EVsAI 评分4646 Qnovo试点基于Battery Genome的应用，为欧盟电池护照评估电动汽车电池
Qnovo正试点基于Battery Genome的应用，评估电动汽车电池的状况与价值，为欧盟电池护照提供支持。该公司称，应用利用车内完整电化学记录，识别加速老化和隐藏缺陷的标志，预测老化趋势并给出包含残值的风险调整评估。应用面向OEM、车队运营商和保险公司推广。
Semiconductor TodayAI 评分4747 瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V GaN 器件，称其率先采用双面冷却 8mm x 8mm 封装
瑞萨推出面向 AI 数据中心的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，称其为业内首款双面冷却同类器件。该器件采用 8mm x 8mm PQFN 封装，导通电阻为 20mΩ，顶面热阻降低 10%，占板面积较 TOLT 封装缩小 57%。目前正向主要客户送样，计划于 2027 年中量产。
ElectriveAI 评分2020 埃因霍温理工大学学生 VENTRA 电动汽车项目旨在捕集轮胎与制动磨损颗粒
埃因霍温理工大学学生开发了名为 VENTRA 的电动概念车，旨在行驶过程中捕集轮胎和制动磨损产生的细尘。该车还注重轻量化设计，并提供低磨损驾驶方式指导。
Charged EVsAI 评分4545 OCSiAl为欧盟航空电芯项目提供纳米管
OCSiAl为欧盟ELEVATE项目提供TUBALL单壁碳纳米管，支持开发比能量超过400 Wh/kg的航空级电芯。该项目汇集11家合作伙伴，结合富硅负极与干法涂布正极；OCSiAl称其纳米管可增强电极导电性和机械稳定性，减少充放电膨胀及辊压后回弹。
Converting QuarterlyAI 评分2828 UV热熔胶的工业应用：哪些行业受益最大，为什么
UV热熔胶主要应用于需要高性能压敏胶的标签、包装、胶带及图文行业，优势包括即时固化、耐化学品、耐湿及热稳定性。调节加工过程中的UV照射总量，可优化胶黏剂的抗剪切性能与初粘力，满足可移除、可重复粘贴和可重复密封需求。汽车及医疗应用还看重其耐温性、无溶剂制造及耐消毒处理能力。
Metrology NewsAI 评分4747 发那科推出5轴集成技术计划，提升复杂零件生产水平
发那科推出5轴集成技术计划，面向CNC机床制造商、CAD/CAM企业及制造企业，旨在提升复杂零件生产效率、精度和重复性。该计划推动从依赖特定机床的编程转向针对零件的编程，并要求机床制造商和CAD/CAM合作伙伴制作标准化5轴评估零件，验证设备、软件及设置是否符合推荐实践。
Compound SemiconductorAI 评分4242 利用 ZnO 量子点开展量子计算研究
日本东北大学联合日本物质材料研究机构及东京大学，在 ZnO 器件中演示了电荷传感、高频反射测量及少电子双量子点的形成。团队将传感量子点与 RF 谐振电路集成，加快电子电荷变化检测，为自旋量子比特研究提供测量平台。下一步将演示电子自旋读出与操控，并测量自旋弛豫和相干时间。
Compound SemiconductorAI 评分4444 可编程 GaN 芯片适应网络需求变化
Tyndall National Institute 参与的国际团队开发出可编程 GaN 芯片，可持续适应网络需求变化，待机功耗几乎为零。该芯片将多层六方氮化硼（hBN）忆阻开关直接集成到 GaN MMIC，配置保持无需持续供电。研究已在多个关键 RF 组件中完成演示，成果发表于《Nature》，面向未来 6G 通信。
Charged EVsAI 评分3737 L&T Semiconductor Technologies 推出面向电动汽车快充的 1,200 V SiC MOSFET 平台
L&T Semiconductor Technologies 推出 1,200 V SiC MOSFET 平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器。公司表示，相比硅 IGBT，SiC MOSFET 开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件和冷却硬件尺寸。
Charged EVsAI 评分1515 如何为高能效电源应用选择电感
电池供电应用选择电感时，应兼顾平滑纹波电流所需的电感量与损耗控制，以提高电源电路效率、延长电池续航。磁芯与绕组的总损耗最低时，电感效率最高；电感还须在电流通过时避免磁芯饱和或绕组过热。
起点锂电（搜狐号）AI 评分6969 远景Gen 8 AI储能系统完成64MWh场站级火烧测试
远景Gen 8 AI储能系统近日完成64MWh场站级火烧测试，结果显示DC-DC与DC-AC间均无热蔓延，全程无燃爆、无飞溅。测试由CSA集团主导方案设计与现场执行，以NFPA 855、UL 9540A为基准，采用4台16MWh储能系统、700+Ah电芯及5厘米柜间距，在SOC 100%和高温条件下关闭预警、探测、控制及灭火系统。
第三代半导体产业网AI 评分6060 三安光电联合清华大学、厦门大学完成堆叠全彩Micro LED技术原理验证
三安光电联合清华大学、厦门大学历经两年攻关，完成4英寸晶圆堆叠式全彩Micro LED架构工艺的底层原理验证与技术可行性论证。团队依托MOCVD工艺、应力调控及新型隧道结结构，实现红、绿、蓝光半峰宽分别为42nm、27nm、17nm；材料称经检测，蓝光EQE达32%、绿光EQE达20%、红光EQE突破3%。成果处于前沿预研阶段，95%以上BT.2020广色域覆盖为后续技术迭代目标。
第三代半导体产业网AI 评分3939 集创北方联合微芯科技重塑车载矩阵灯光架构
集创北方与微芯科技联合推出基于10ba se-T1S技术的车载LED照明终端方案，实现终端节点无MCU化设计。方案结合ICND7301车规级LED驱动芯片与微芯科技端点芯片，通过RCP协议实现区域控制器对终端节点的直接控制。灯效逻辑集中部署于ZCU侧，OTA升级灯效无需改动终端节点配置。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分6464 Resonac成功开发300mm碳化硅衬底
Resonac（力森诺科）成功开发直径300mm（12寸）SiC衬底，相同制程下每片可取得的芯片数量为主流150mm（6寸）衬底的4倍。其商业化需要功率半导体制造商进行大规模设备投资，以及供应商建立稳定量产低缺陷衬底的生产体系。Resonac目前主要生产150mm衬底，现阶段将优先强化由150mm向200mm转移的生产能力，并按客户需求评估300mm产品的市场前景。
推荐理由：大尺寸衬底的芯片数量优势与商业化所需的设备投资、低缺陷量产条件形成对照，有助于区分开发成果与量产降本之间的距离。
Compound SemiconductorAI 评分4747 瑞萨推出采用双面冷却封装的650V GaN器件
瑞萨推出业内首款双面冷却650V GaN器件TP65H020G4PLSGBD，面向800V HVDC AI数据中心电源转换。该器件导通电阻为20 mΩ，采用8 x 8mm PQFN封装，顶部热阻降低10 percent，占板面积较TOLT封装缩小57 percent。目前已送样，计划于2027年中量产。
艾邦半导体网AI 评分5050 英伟达正在评估玻璃基板方案，联合设备商攻关
英伟达正评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，希望基板厂商在两年内完成开发，最快于2028年前导入应用。SCHMID正与英特尔、英伟达、AMD的核心供应商共同开发相关设备，但玻璃通孔（TGV）金属化仍有技术难题，客户认证尚未完成。
锂电中国AI 评分6161 比克披露面向eVTOL的68Ah混合固液电芯性能，能量密度≥320Wh/kg
9月29日，比克电池披露面向低空eVTOL飞行器的68Ah混合固液电芯性能，能量密度≥320Wh/kg。该电芯采用高镍正极+硅碳负极材料体系，支持5C持续放电、8C脉冲放电，循环寿命1000次≥80%；比克称其满足GB38031-2020动力电池安全标准，实现不起火、不漏液。
艾邦半导体网AI 评分6969 海极半导体完成TGV玻璃基M-LED系列产品开发，七款产品自10月起推向市场
海极半导体宣布完成TGV玻璃基M-LED全类工艺及第一代系列产品开发，直显、透明显示、MiP三类共七款产品自10月起推向市场。此次点亮产品为13.5寸P0.78玻璃基M-LED，其产线采用730mm×920mm玻璃基板，TGV通孔深宽比10:1、最小孔径10μm，线路精度L/S 8μm/8μm。
粉体圈AI 评分4848 日本东北大学：800℃制备纳米多孔β-SiC，LMD法提供新路径
日本东北大学金属材料研究所团队利用液态金属脱合金法（LMD），在800℃条件下成功制备纳米多孔β-SiC。该工艺通过熔融铋选择性去除前驱体中的Mn，使保留的Si-C骨架重构，形成纳米片层互连的三维共连续纳米多孔结构，为SiC低温制备与结构调控提供新路径。
中国粉体网AI 评分1919 声共振混合：让制药混合不再难
声共振混合技术通过无桨叶、无研磨介质的共振振动实现制药粉体高效混合，减少对脆弱颗粒的损伤。该技术在超低剂量下仍可实现良好均匀性，活性成分回收率超95%。工艺可从实验室规模直接线性放大至生产规模，无需重新优化工艺参数，缩短研发到生产的转化周期。
中国粉体网AI 评分4646 北京厚朴思等离子球化技术及产业化实践
北京厚朴思技术有限公司开发的高能等离子球化技术可将非球粉体转化为球形粉体，球化率高达90%以上。可球化粒度范围覆盖亚微米到150微米，已制备球形钛及钛合金粉、钨粉、钽粉等材料。其2H工艺结合氢化脱氢预处理与高能等离子球化，细粉收率提升至90%以上，球形度≥95%。
中国粉体网AI 评分6262 比克披露面向eVTOL的68Ah混合固液电芯性能，能量密度≥320Wh/kg
比克电池9月29日披露面向低空eVTOL飞行器的68Ah混合固液电芯性能，能量密度≥320Wh/kg。该电芯采用高镍正极+硅碳负极材料体系，循环寿命1000次≥80%，支持5C持续放电和8C脉冲放电，以匹配起飞、悬停时的短时大功率需求。比克称该产品满足GB38031-2020动力电池安全标准，实现不起火、不漏液，其固液混合电芯采用聚合物+氧化物复合体系。
Energy-Storage.newsAI 评分3636 SMA 电池逆变器率先获得面向德国惯量市场的构网认证
逆变器制造商 SMA Solar Technology 的电池逆变器率先获得面向德国惯量市场的构网认证。该认证确认其具备向德国电网提供惯量的能力。
起点锂电（搜狐号）AI 评分4848 从微米级品质到万米级产能：航天新科以体系化创新推动铜箔装备国产替代
航天新科通过阴极辊表面精度攻关与大直径、高幅宽产品迭代，提升铜箔良率与生产效率，推动铜箔装备国产替代。其阴极辊产品覆盖Φ1500mm至Φ3600mm直径、1020mm至2100mm幅宽，适配4.5μm及更薄铜箔量产需求，目前可稳定实现3万米收卷长度。
Semiconductor TodayAI 评分4545 Navitas获美国陆军ALATTIS项目，开发10kV功率半导体
Navitas获美国陆军ALATTIS项目，将开发下一代10kV SiC IGBT及配套PiN二极管技术。项目由美国陆军研究实验室资助，旨在通过迭代设计、制造和测试，开发并验证≥10kV SiC IGBT的美国本土制造工艺。器件将基于其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，面向军方任务关键系统。
第三代半导体产业网AI 评分4343 鸿利显示：车载Mini LED行业洞察与技术趋势
鸿利显示分享车载Mini LED技术趋势与量产经验，以POB与COB双技术路线覆盖主流至高端车载显示需求。其COB方案亮度均匀性可达92%以上，对比度高达100000:1。公司已具备车规级Mini LED背光模组批量交付能力，量产案例包括吉普12.3寸仪表屏、广汽15.6寸中控屏等。
第三代半导体产业网AI 评分2828 长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布
长飞先进正式发布功率半导体PCB嵌入式技术白皮书，介绍面向下一代车规主驱的功率半导体封装技术路径。该技术将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互联导热，降低寄生参数与热阻，提升功率密度与可靠性。
Compound SemiconductorAI 评分4949 Navitas将为美国政府开发10kV SiC芯片
Navitas Semiconductor获美国政府授予ALATTIS项目，将开发下一代10 kV SiC功率半导体技术。该原型项目由美国陆军研究实验室资助，将开发、实施并验证美国目前尚不具备的10 kV SiC IGBT制造工艺。Navitas将采用其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，并集成先进PiN二极管技术。
Compound SemiconductorAI 评分6969 Wolfspeed推出Premium 200 mm n型SiC衬底，扩展200 mm材料产品组合
Wolfspeed宣布Premium 200 mm n型SiC衬底正式商用，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的X-ray形貌检测验证，该衬底微管密度低于0.01个/平方厘米，或每片晶圆少于3个微管，并具有较低的螺型穿透位错。公司称其可在客户现有外延工艺内改善外延表现，产品现已可订购并配有专用产能，后续将随市场需求增长在现有大规模SiC制造设施内快速爬坡新增产能。
Compound SemiconductorAI 评分4545 格拉斯哥大学团队为激光频率测量带来新思路
格拉斯哥大学牵头的国际团队开发出激光频率测量新方法，通过随频率变化而旋转的图像，在单次拍摄中判定激光频率。该方法利用铷蒸气与矢量光束的相互作用，以图像中亮瓣的位置和亮度指示频率相对原子共振的偏移。目前其精度仍落后于最精确的测频方法，团队正研究进一步提高分辨能力。
Semiconductor TodayAI 评分6767 Wolfspeed 推出 Premium 200mm n型 SiC 衬底，现已可订购
Wolfspeed 宣布 Premium 200mm n型 SiC 衬底商业供货，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的 X-ray 拓扑成像验证，该衬底微管密度低于每平方厘米 0.01 个，即每片晶圆少于 3 个微管，并具有较低的螺型穿透位错水平。公司称，更高的裸晶圆质量可在客户现有外延工艺内改善外延表现；产品现已可订购，并配有专用产能。
Semiconductor TodayAI 评分4141 Fraunhofer IAF 开发用于数据中心、测量系统和传感器的宽带分布式放大器 MMIC
Fraunhofer IAF 开发出宽带分布式放大器 MMIC 芯片，适用于数据中心、测量系统和传感器。芯片采用栅长20nm的 InGaAs-on-Si HEMT 技术，在4–420GHz频段实现11 ± 2dB增益，饱和输出功率为6dBm至8dBm。
Battery-NewsAI 评分5353 梅赛德斯-奔驰将测试辉能科技新一代 Gen4 锂陶瓷电芯
梅赛德斯-奔驰与辉能科技签署新一代电芯测试协议，将优先获取 Gen4 锂陶瓷电芯，评估其未来车辆应用适用性。电芯将先在奔驰设施及外部测试机构接受电气、热学和安全测试，是否用于量产车型尚未确定。
第三代半导体产业网AI 评分5454 阿基米德半导体金刚石集成碳化硅功率模块实现首批样品交付
阿基米德半导体于2026年8月交付首批“Diamond Inside”碳化硅功率模块正式样品订单，客户为国内一家电动飞行器企业，产品将装机进入其动力系统。模块采用DCM封装，将金刚石复合材料作为底板嵌入封装结构，而非外部贴附热沉片。材料称，该方案可使散热由传统Pinfin水冷改为平板风冷，减少冷却附件及底板重量，并通过与SiC芯片更匹配的热膨胀系数降低热应力与界面疲劳风险。