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瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V GaN 器件，称其率先采用双面冷却 8mm x 8mm 封装
Renesas unveils first 650V GaN in dual-side-cooled 8mm x 8mm package for megawatt-scale AI data centers
AI 导读
瑞萨推出面向 AI 数据中心的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，称其为业内首款双面冷却同类器件。该器件采用 8mm x 8mm PQFN 封装，导通电阻为 20mΩ，顶面热阻降低 10%，占板面积较 TOLT 封装缩小 57%。目前正向主要客户送样，计划于 2027 年中量产。
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