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瑞萨推出面向AI数据中心的双面冷却650V GaN器件
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AI 综述
2026年10月1日，Semiconductor Today报道，瑞萨推出面向兆瓦级AI数据中心的650V氮化镓器件TP65H020G4PLSGBD，并称其为业内首款采用双面冷却的同类器件。该产品采用8mm×8mm PQFN封装，导通电阻为20mΩ，顶面热阻降低10%，占板面积较TOLT封装缩小57%。目前，瑞萨正向主要客户送样，量产计划定于2027年中。
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最新进展10月1日 23:11
瑞萨正向主要客户送样双面冷却650V GaN器件，计划2027年中量产。报道时间线
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10月1日
- Semiconductor Today瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V GaN 器件，称其率先采用双面冷却 8mm x 8mm 封装
瑞萨推出面向 AI 数据中心的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，称其为业内首款双面冷却同类器件。该器件采用 8mm x 8mm PQFN 封装，导通电阻为 20mΩ，顶面热阻降低 10%，占板面积较 TOLT 封装缩小 57%。目前正向主要客户送样，计划于 2027 年中量产。
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