Navitas获美国陆军ALATTIS项目，开发10kV功率半导体

Navitas获美国陆军ALATTIS项目，将开发下一代10kV SiC IGBT及配套PiN二极管技术。项目由美国陆军研究实验室资助，旨在通过迭代设计、制造和测试，开发并验证≥10kV SiC IGBT的美国本土制造工艺。器件将基于其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，面向军方任务关键系统。