日本东北大学：800℃制备纳米多孔β-SiC，LMD法提供新路径

日本东北大学金属材料研究所团队利用液态金属脱合金法（LMD），在800℃条件下成功制备纳米多孔β-SiC。该工艺通过熔融铋选择性去除前驱体中的Mn，使保留的Si-C骨架重构，形成纳米片层互连的三维共连续纳米多孔结构，为SiC低温制备与结构调控提供新路径。