TDK与太阳诱电签署合作协议，探讨MLCC及电感共同开发
9月29日，TDK与太阳诱电宣布签署合作协议，将探讨MLCC、电感等电子元件的共同开发。双方拟围绕AI服务器用新品研发、原材料采购及制造生产开展协同，并共同强化供应链安全。此次签署的是基本合意书，具体产业合作模式尚未公开，协议也提及未来资本合作的可能性。
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今日 0 条粉体圈AI 评分4040 粉体圈AI 评分3333 纽迈分析刘佳骏：低场核磁技术在粉体/浆料领域的应用（报告）
纽迈分析产品经理刘佳骏将于11月3-4日在东莞MLCC论坛作报告，分享低场核磁技术在粉体/浆料领域的应用。低场核磁共振（LF-NMR）无须样品预处理即可定量评价分散程度，并可连续监测浆料从制备完成到静置、干燥、固化的全过程，为分散剂筛选及添加量优化提供依据。
粉体圈AI 评分5454 从材料到装备，分析国产高端MLCC的技术卡点
国产MLCC已在中低压、常规容值消费级产品上实现规模化替代，但向0.5μm及以下介质层、1200–1600层高容产品推进仍面临材料与装备协同难题。材料端，国瓷材料已稳定量产120–150 nm钛酸钡，博迁新材已规模量产80nm镍粉，高端粉体掺杂与超薄生瓷带用离型膜仍是攻关环节。
粉体圈AI 评分2727 嘉智信诺：打破进口垄断，国产MLCC（镍浆、钛酸钡）浆料分散剂突围
嘉智信诺将于11月3-4日在广东东莞举办的MLCC论坛上，发布用于纳米镍浆和钛酸钡浆料的超分散剂产品。该产品利用空间位阻效应在粉体颗粒表面形成保护层，减少再次团聚，并通过降低颗粒间相互作用改善高固含浆料的流动状态。
粉体圈AI 评分5353 博亿工业MLCC、CMP电子材料解决方案解读：纳米研磨与整线交付
博亿工业面向MLCC钛酸钡和半导体CMP磨料，提供按材料体系配置的纳米研磨设备及从实验验证、中试放大到自动化量产的整线EPC服务。单动力立式砂磨机采用无筛网离心分离，5L机型适配0.03—0.8mm研磨介质；LMM面向低黏度超精细研磨与分散，可使用0.03mm介质，NMM则以TurboMax涡轮结构面向高黏度物料连续处理。
粉体圈AI 评分5858 首尔大学团队利用AI开发兼顾高介电常数与宽温稳定性的MLCC介电材料
韩国首尔大学团队在Nature Communications发表研究，通过多模态文献挖掘、物理约束机器学习与逆向设计，筛选并实验验证了两种无铅MLCC介电材料。
粉体圈AI 评分5050 江苏品彦：金属粉体/浆料体系如何建立稳定可靠的元素分析体系
江苏品彦提出以氧氮氢分析仪、碳硫分析仪、ICP-OES及标样与耗材，构建覆盖金属粉体/浆料气体元素、主量元素和痕量杂质的分析体系。碳硫分析仪检测灵敏度达ppm级，单次分析速度20～40秒。配套技术服务贯通仪器、耗材及样品前处理环节，支持检测异常诊断。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5656 扩产还是停产？村田向AI服务器高端MLCC倾斜产能
村田计划在2028财年将AI服务器用高端MLCC产能较当前提升约20%，同时停产部分消费级和车用MLCC料号。其2026财年资本支出计划达2500亿日元，其中追加800亿日元专项扩充服务器MLCC产能；涉及停产的料号要求客户于2027年底前书面回复、2028年3月底前完成最后下单。
粉体圈AI 评分5353 总投资3.18亿元，盛立新材纳米镍粉项目签约落地英德
广州盛立新材料有限公司纳米镍粉项目近日签约落地英德，总投资3.18亿元，分两期建设。一期投资9000万元，建设年产240吨纳米镍粉生产线，达产后预计年产值4.8亿元；二期计划投资超2亿元，建设年产360吨纳米镍粉、纳米铜粉产线，达产后预计年产值12亿元。项目采用液相化学还原法，纳米镍粉用于MLCC内电极浆料，计划为珠三角电子信息产业集群提供上游关键材料配套。
粉体圈AI 评分4343 “半导体陶瓷新材料”与“高温合金陶瓷”两大先进陶瓷项目签约落户德化
德化县先进陶瓷产业园招商专场签约“半导体陶瓷新材料”和“高温合金陶瓷”两大项目。领德集团（亚洲）有限公司签约项目主要研发生产集成电路陶瓷基板、芯片封装陶瓷材料、MLCC陶瓷电容、陶瓷电路板基材，并提供配套检测服务。福建泰启汇能科技有限公司签约的高温合金陶瓷项目主攻1650 ℃高温陶瓷产品。
粉体圈AI 评分2222 德衡纳米科技与您相约第二届苏州纳米金属粉体/浆料论坛
德衡纳米科技将以赞助单位身份参与粉体圈于9月21-22日在江苏苏州举办的第二届纳米金属粉体/浆料制备与应用创新发展论坛。论坛聚焦银、铜、镍等粉体及浆料的制备技术与应用挑战。德衡主营高压微射流均质机，设备涵盖实验型、中试型、量产型、防爆型与医药型。
粉体圈AI 评分2727 纳米粉体在陶瓷材料中的应用：从微观革命到宏观革新
纳米粉体通过增韧、促进致密化烧结和细化晶粒，提升陶瓷材料的力学性能与功能特性。在氧化铝基体中添加适量纳米SiC颗粒，可使抗弯强度提升30%-80%。成型与烧结需重点控制粉体分散、硬团聚及气孔缺陷，并通过低温或快速烧结抑制晶粒生长。