Semiconductor Engineering · Metrology· Christopher Haire·· 2026-04-07AI 评分54
特色器件增长系列第二篇：MEMS、共封装光学等器件面临哪些工艺控制挑战
The Specialty Device Surge Part 2: The Process Control Challenges Of MEMS, Co-Packaged Optics, And More
AI 导读
MEMS、CMOS图像传感器、SiC与GaN功率器件及共封装光学的规模化制造，均面临各自的形貌、膜厚、均匀性和缺陷控制挑战。CIS器件高度为6µm至10µm，像素隔离沟槽约100nm宽；SiC已采用200mm晶圆生产，部分厂商开始生产用于发挥材料导热特性的300mm SiC晶圆，而GaN更早转向300mm晶圆。
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