Semiconductor Engineering · Metrology· Huayuan Li·· 2026-08-11AI 评分70
Onto Innovation如何利用皮秒超声技术控制BCD器件的SiCr薄膜厚度
Measuring What Matters: Using Picosecond Ultrasonic Technology For SiCr Film Thickness Control In BCD Devices
AI 导读
Onto Innovation作者团队展示了皮秒超声技术用于BCD器件SiCr薄膜的无损测厚，动态重复性优于0.5Å（1σ）。团队通过一次性截面TEM校准，将该特定沉积工艺的薄膜声速确定为69.7Å/ps，再利用声学回波往返时间计算厚度。DOE厚度偏移实验及晶圆内13点采样呈现一致趋势，为腔室认证、片间与片内均匀性监控提供依据。
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