阿基米德半导体金刚石集成碳化硅功率模块实现首批样品交付
阿基米德半导体于2026年8月交付首批“Diamond Inside”碳化硅功率模块正式样品订单，客户为国内一家电动飞行器企业，产品将装机进入其动力系统。模块采用DCM封装，将金刚石复合材料作为底板嵌入封装结构，而非外部贴附热沉片。材料称，该方案可使散热由传统Pinfin水冷改为平板风冷，减少冷却附件及底板重量，并通过与SiC芯片更匹配的热膨胀系数降低热应力与界面疲劳风险。
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今日 4 条第三代半导体产业网AI 评分5454 第三代半导体产业网AI 评分4141 元旭半导体Micro-LED光互联芯片实测-3dB带宽达3.5GHz
元旭半导体联合清华大学、星火辰光研发的Micro-LED光互联芯片样品，在所采用的测试条件下实测-3dB带宽达到3.5GHz。下一阶段，元旭半导体将围绕器件一致性、阵列集成与封装互连继续研发，并联合合作伙伴推进驱动、接收及光学耦合适配，通过链路测试验证通信能力。
第三代半导体产业网AI 评分4949 晶合光电“画芯一号”Micro-LED数字光源芯片通过AEC-Q102车规认证
晶合光电“画芯一号”Micro-LED数字光源芯片近期在美国倍科实验室（BACL）见证下，通过AEC-Q102车规可靠性认证。公司首个定点整车项目已启动，采用自主设计的Micro-LED光源板，正与合作伙伴推进全链条开发、产品验证与产线筹备。
第三代半导体产业网AI 评分3232 亿铸科技亮相2026全球AI芯片峰会，系统阐释通用存算一体三大定律
亿铸科技创始人熊大鹏亮相2026全球AI芯片峰会，从数据搬运、软件生态和异构协同三个维度阐释通用存算一体三大定律。公司基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片已流片，完成从理论架构到芯片硬件的全链路验证。其方案在大模型推理场景、同等业务规模下，推理算力综合TCO最高可下降约88%。
第三代半导体产业网AI 评分5050 中科大孙海定团队AFM：面向高速日盲光通信的微尺度发光与探测二极管几何工程
中国科学技术大学孙海定团队提出沟槽深宽比重构策略，在固定有源面积下提升AlGaN深紫外微二极管的发光、探测与通信性能。NT-diode在50 mA时光输出功率提升约16%，探测响应度提升约17.3%。其数据率达2.688 Gbps，源于接收信号质量改善而非本征调制带宽增加，并完成双向自由空间V2V概念验证。
第三代半导体产业网AI 评分3030 彭寿院士：夯实电子信息材料根基，赋能电子信息产业高质量发展
彭寿院士提出，应优先夯实电子信息材料基础能力，以材料创新牵引产业升级，保障产业链供应链安全。“十五五”阶段需从单点技术突破转向全链条体系化能力建设，构建研发、中试、量产与应用反馈闭环。重点加强半导体、新型显示及封装材料攻关，建设中试与应用验证平台，推动上下游协同验证。
第三代半导体产业网AI 评分2929 【详细日程】APWS 2026｜第十二届亚太宽禁带半导体国际会议将于10月11-15日在西安召开
第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）将于10月11日-15日在西安曲江国际饭店召开，完整日程已更新发布。会议由西安电子科技大学主办，将带来超200场主题报告，围绕III族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等宽禁带与超宽禁带半导体展开交流。
Compound SemiconductorAI 评分2828 Wise Integration 与纳微半导体拟开展合作
Wise Integration 与纳微半导体拟结合数字控制与 GaN、SiC 技术，合作面向 AI 数据中心 PSU 及计算设备的电源应用。双方将重点结合分布式数字控制与宽禁带技术，并探索更多电能转换拓扑，以满足从电网到芯片的高电压、高功率和高效率应用需求。
Compound SemiconductorAI 评分3636 InP：光子学领域的关键半导体
IDTechEx报告指出，InP是支撑AI发展的PIC光收发器的关键材料，硅光子技术普及将改变而非取代对InP组件的需求。报告预测，数据通信及量子技术光收发器的PIC与硅光子市场到2036年将达$50 billion。高质量InP衬底供应正成为AI硬件部署的瓶颈，部分厂商正向6-inch晶圆迁移。
艾邦半导体网AI 评分6767 直得、高明铁等CPO设备与零部件供应商启动扩产
多家CPO设备与上游零部件供应商因高精度运动平台及自动化光耦合设备需求增长启动扩产，部分订单能见度达明年第二季度。直得预计今年第四季度开出新产能、明年持续放量；高明铁已获800G及1.6T光模组耦光对位模组订单，并取得台中一家光学暨医疗厂约60%股权，未来设立生产组装线后预估产能可扩增一倍以上，其东莞子公司扩产预计明年中以后放量。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5252 英伟达评估玻璃基板方案，与SCHMID等企业合作，最快有望2028年前落地
英伟达正在评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，相关方案最快有望于2028年前落地。英伟达希望韩国、日本基板厂商在两年内完成开发，用于下一代高性能AI加速芯片封装，提升集成度并承载更多高带宽内存。SCHMID披露正与英伟达、英特尔、AMD供应链内核心供应商共同开发玻璃基板制造设备，但TGV金属化仍有技术难点，相关产品客户认证尚未完成。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7474 高塔半导体拟投资约40亿美元扩产日本，打造AI光通讯芯片基地
高塔半导体计划投资约40亿美元，分两阶段扩充日本硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应AI基础设施需求。第一阶段将新潟县荒井Fab 6改为300mm硅光子与先进光学封装厂，并提升富山县鱼津Fab 7的SiGe与SiPho产能，预计2027年第四季具备全面量产准备；第二阶段将在Fab 7旁新建300mm晶圆厂，扩大SiGe EIC与SiPho PIC产能，为后续导入CPO铺路。
Semiconductor TodayAI 评分4848 东芝推出3300V SiC MOSFET模块
东芝推出IX800FXF2YMS4双SiC MOSFET模块，额定电压3300V、额定电流800A，面向铁路车辆及可再生能源发电等工业设备。该模块采用第三代SiC MOSFET芯片和iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。
粉体圈AI 评分6262 先进封装为何需要负膨胀（NTE）抗翘曲填料：材料路线与产业化进展浅析
先进封装用负膨胀（NTE）填料通过升温收缩抵消树脂热膨胀，为兼顾抗翘曲与高导热提供配方思路，但也带来工艺适配挑战。二氧化硅高填充会挤占高导热填料空间并增加黏度，文章对比了钨酸锆、钒酸铜、BNFO及三菱化学M-Filleris™的性能与应用限制。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5959 玄测ZF101如何整合四道工序，缓解NAND批量测试瓶颈
深圳市正系信息技术有限公司出品的玄测ZF101 FLASH自动化测试设备，将开卡、快速RDT测试、十级分Bin和下料整合至同一设备。设备基于联芸MAP1602主方案，配置64个独立测试通道，单次最多测试64颗132球NAND FLASH，最高支持2400 MT/s I/O速率。软件统一管理测试数据、分级结果与报表，可输出颗粒、单Die和单Plane三级FBB数据，用于来料检验、量产分选及工程验证。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分6161 京东方未来五年研发投入将超800亿元，未来一年内完成两条玻璃基量产线投资决策
京东方宣布未来五年研发投入将超过800亿元，并将在未来一年内完成玻璃基钙钛矿器件、玻璃基封装载板两条量产线的投资决策。玻璃基钙钛矿器件项目已建成中试线并实现多场景送样出货，玻璃基封装载板产线已完成工艺通线，大尺寸高层数样品已交付客户开展联合验证。公司未来五年面向上下游产业链的采购支出将超8000亿元，并将持续布局光互连、Micro LED、钙钛矿光伏和玻璃基封装等业务。
Compound SemiconductorAI 评分6565 Riber 2026年上半年营收与毛利率增长，获€6m融资推进ROSIE II工业化
MBE设备商Riber 2026年上半年营收为€12.7m，同比增长19 percent，毛利率由36.2 percent升至39.8 percent，净利润由亏损转为€0.2m。
Compound SemiconductorAI 评分4444 东芝推出3300V SiC MOSFET模组
东芝推出面向工业设备的双SiC MOSFET模组IX800FXF2YMS4，额定漏源电压为3300V、额定漏极电流（DC）为800A。该模组采用东芝第三代SiC MOSFET芯片及iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升芯片键合部位的耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分3535 晶丰明源出资不超5000万元，参与粤芯半导体IPO战略配售
晶丰明源以自有资金参与粤芯半导体IPO战略配售，最终获配416.32万股，获配金额约4999.9996万元。本次发行价格为12.01元/股，获配股份自粤芯半导体上市之日起限售24个月。晶丰明源长期向粤芯半导体采购晶圆代工产能，此次投资旨在深化双方产业链战略合作。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分6767 芯联先进注册资本达84.83亿元，推进12英寸车规级数模混合芯片项目
芯联先进各方出资认购已全部完成，合计注册资本达84.83亿元，作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造四期项目的实施主体。芯联集成9月21日公告披露，已累计完成21.29亿元注册资本实缴；四期项目总投资约200亿元，拟建设5万片/月的12英寸数模混合芯片产线。
Compound SemiconductorAI 评分4040 PicoJool融资$27.5m，扩展美国和台湾业务
PicoJool完成$27.5m A轮融资，将扩充美国和台湾的团队及设施，加速VCSEL与光互连产品商业化。本轮由Socratic Partners领投，累计融资达$39.5m。公司已启动芯片级VCSEL早期送样，并与WIN Semiconductor等GaAs代工厂合作，为200G VCSEL量产做准备。
Compound SemiconductorAI 评分2929 Sivers Semiconductors 调整领导团队
Sivers Semiconductors 调整无线与光子业务领导团队，以推动下一阶段的商业增长。Marc Pegulu 将于2026年9月28日出任无线业务董事总经理，David Clark 将于2026年10月31日出任光子业务工程副总裁。现任无线业务董事总经理 Harish Krishnaswamy 将转任首席战略官。
粉体圈AI 评分5353 博亿工业MLCC、CMP电子材料解决方案解读：纳米研磨与整线交付
博亿工业面向MLCC钛酸钡和半导体CMP磨料，提供按材料体系配置的纳米研磨设备及从实验验证、中试放大到自动化量产的整线EPC服务。单动力立式砂磨机采用无筛网离心分离，5L机型适配0.03—0.8mm研磨介质；LMM面向低黏度超精细研磨与分散，可使用0.03mm介质，NMM则以TurboMax涡轮结构面向高黏度物料连续处理。
粉体圈AI 评分6161 GB/T 47404-2026《碳化硅 单晶》将于2026-10-01实施
GB/T 47404-2026《碳化硅 单晶》于2026-03-01发布，将于2026-10-01实施。该标准由北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司等单位起草，归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会及其材料分技术委员会。
Compound SemiconductorAI 评分3939 Fraunhofer IAF 团队开发 InGaAs-on-Si 宽带放大器
Fraunhofer IAF 开发了 InGaAs-on-Si 宽带分布式放大器芯片，在 4 至 420 GHz 频段实现 11 ± 2 dB 增益。芯片采用栅长为 20 nm 的 HEMT 技术，饱和输出功率为 6 至 8 dBm，适用于数据中心、测量系统和传感器。
Compound SemiconductorAI 评分6767 苏黎世联邦理工学院开发发光光刻胶，使微小OLED像素可用光刻工艺制造
苏黎世联邦理工学院研究人员开发出可直接光刻的多色发光聚合物，兼具光刻胶功能与耐化学处理能力，成果发表于Nature。材料采用核壳式分子设计，将发光核心与外围UV交联基团隔开，并制成尺寸为300 by 430 µms、包含250 by 350像素的静态荧光图像，该图像尚非电驱动显示屏。
Compound SemiconductorAI 评分4444 Coherent 推出面向下一代数据中心的 PhotonLink 平台
Coherent 推出面向下一代 AI 数据中心的集成光学平台 PhotonLink，整合光子技术、组装与测试能力，提供完整光学解决方案。平台支持共封装光学（CPO）、近封装光学（NPO）及新兴芯片间互连。平台收入预计于 CY2026 的 Q4 开始爬坡，公司正扩充 InP 和特种光纤产能。
中国储能网·产业资讯AI 评分5151 厦门供电公司深化“园网共建”，为火炬高新区提供稳电、接电及绿电服务
厦门供电公司通过电能质量治理、移动变电站过渡供电和一站式绿电服务，支持火炬高新区企业生产与项目建设。为联芯集成定制的三级防护体系，使核心生产线在电压暂降58.16%、持续0.27秒的情况下用电未受影响。面向宁德时代厦门高性能锂电池基地，110千伏移动变电站的4台主变自5月以来相继送电，较常规建设时间提前10个月，供电容量达20万千伏安。
粉体圈AI 评分6060 Noritake推出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia，解析LHA研磨技术
9月2日，Noritake宣布开发出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia，适用于SiC等半导体硬脆晶圆材料的研磨，可用于SiC晶圆端面加工。其LHA技术将金刚石磨粒以半固定状态内置于网状树脂结构中，使磨粒在研磨时滚动并多次接触工件。该研磨垫仅需通水即可研磨，无需额外添加含磨料的浆料，有助于减少工业废弃物。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分4646 富士胶片与塔塔电子签署MOU，印度半导体朋友圈再扩容
近日，富士胶片与塔塔电子签署MOU，旨在加速印度半导体材料生态系统发展。富士胶片计划投资约800亿印度卢比，分阶段在古吉拉特邦多莱拉特别投资区建设半导体材料工厂，保障塔塔电子在建晶圆厂的材料供应与运输。双方合作还将为印度化工制造商提供技术、质量保证和制造工艺方面的专业知识，促进高纯度化学品生产。
Compound SemiconductorAI 评分4242 SEMI 加入欧盟 ReSiLient 项目联盟
SEMI 加入欧盟 ReSiLient 项目联盟，助力降低欧洲对进口 SiC 和硅原材料的关键依赖，增强半导体供应链韧性。项目获欧盟共同资助，预算为 €9.57 million，将开发基于本土矿源和工业副产物及废物流的生产路线。SEMI Europe 将牵头社会接受度、成果传播、沟通与标准化工作。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5757 礼鼎半导体深圳先进IC载板制造基地开工，计划总投资不低于120亿元
9月19日，礼鼎半导体第二园区先进IC载板数智化制造基地在深圳宝安区落地，计划总投资不低于120亿元。项目规划占地面积约15.72公顷，将分两期建设数座现代化工厂，重点布局FCBGA等IC载板产品，面向人工智能、高性能计算及网络通信领域。这是近2个月以来宝安区落地的第二个百亿级PCB项目，此前鹏鼎控股已公告拟投资100亿元建设第三园区人工智能高阶类载板及柔性电路板智造基地。
粉体圈AI 评分2727 冯朝阳博士：纳米铜在印刷电子以及集成电路上的应用探索（报告）
苏州长湖纳米科技有限公司技术总监冯朝阳博士将于9月21-22日在苏州纳米金属论坛分享纳米铜在印刷电子及集成电路上的应用探索报告。报告涵盖抗氧化纳米铜粉批量制备、低温烧结浆料配方优化，以及面向FPC柔性集成电路印刷和先进芯片封装的工艺适配。
粉体圈AI 评分6666 GB/T 47082-2026《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》实施
GB/T 47082-2026《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》于2026-01-28发布，2026-08-01实施。该标准由山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司等单位起草，归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及其材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)。
Semiconductor TodayAI 评分3030 CSconnected 庆祝 Strength in Places Fund 项目成果与影响
南威尔士化合物半导体集群 CSconnected 于9月10日举行活动，庆祝已于5月结束的 Strength in Places Fund 项目成果。项目影响报告显示，直接就业增长36%至1914个岗位，年销售额增至£531m。集群目标是到2030年将营收增至£1bn，并在当地提供6000个岗位。
Semiconductor TodayAI 评分5353 NewPhotonics与Tower开始大批量出货面向AI互连的激光器集成可维护光引擎PIC
NewPhotonics与Tower Semiconductor宣布，面向AI横向扩展和纵向扩展互连的激光器集成可维护光引擎PIC已开始大批量出货。已出货的NPG102支持800G和1.6T，采用每通道200G设计，并依托PH18DA硅光平台异质集成InP器件，在单个PIC上集成激光器、半导体光放大器、调制器和光探测器。
Semiconductor TodayAI 评分2828 Tower Semiconductor 在 ECOC 展示大批量生产硅光子及 SiGe 解决方案
Tower Semiconductor 在 ECOC 2026 展示面向大批量生产的高性能硅光子平台及 SiGe BiCMOS 解决方案。其硅光子平台广泛用于数据中心和电信光收发器等应用。SiGe BiCMOS 与 SiPho 平台互补，满足下一代 AI 基础设施对更高带宽、更低延迟和更低功耗的需求。
Semiconductor TodayAI 评分6666 安森美发布 Embedded Power Platform，以硅晶圆构建功率系统封装
安森美发布 Embedded Power Platform（EPP），以硅晶圆本身作为封装基础，在晶圆级架构中集成硅、SiC 与 GaN 技术。平台利用其标准12英寸硅晶圆制造能力协同优化电气、热与机械设计，公司称可依应用实现3–5x功率密度，早期固态断路器设计较现有设计尺寸约缩小50%、温度约降低20%，电动车牵引逆变器应用功率密度最高提升至4x、功率损耗降低15%。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5353 韩媒：半导体设备零部件交期延长，最长等待达40个月
韩媒9月16日报道，半导体制造设备关键零部件交期已延长一倍以上，部分日本采购零部件交期可能长达40个月。一家沉积设备企业称，交期由4个月延长至10个月，供应商产能有限，即使支付溢价也难以加快交付。AI芯片需求增长与上游扩产意愿不足形成供需错配，加上核心零部件供应来源单一，可能拖慢三星等企业扩产，并推动韩国晶圆厂和设备厂商加速导入本土零部件。
Semiconductor TodayAI 评分4343 Avicena 将演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连
Avicena 将在 ECOC 2026 演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连 LightBundle eKit。该实现结合无激光 micro-LED 收发技术与可拆卸光接口，采用 MPO 外形规格及针对多芯光纤束优化的插芯。可拆卸接口可简化系统装配，支持电子与光学子系统独立测试及现场维护。