跳到正文

#光模块

今日 0 条
9月30日周三
  1. 中国粉体网61

    光远新材拟投资82695.55万元扩建超低介电低膨胀电子布,年产能6800万米

    光远新材拟投资82695.55万元建设超低介电低膨胀玻璃纤维布扩建项目,建成后可形成年产6800万米的生产能力。近日,红旗渠经济技术开发区行政审批局公示拟对项目环境影响报告表作出审批意见,项目位于企业现有厂区内,以自产低介电低膨胀电子纱为原料。低介电电子布是高频高速PCB基材,可降低介电损耗,应用领域包括AI服务器、数据中心交换机及800G及以上光模块。

9月29日周二
  1. 第三代半导体产业网59

    钧恒科技拟投资3.09亿元在武汉光谷建设研发生产基地

    汇绿生态控股子公司钧恒科技拟投资3.09亿元,在武汉光谷光电子信息产业园建设研发生产基地,整体预计2028年6月建成投用。项目分两期实施,一期投资2.88亿元建设总面积约5.77万平方米的研发生产基地,二期配套高速率光模块研发子项目。建成后,现有年产150万支产线将全面技术升级,基地新增年产200万支高速率光模块生产线,武汉区域合计达到350万支高速率光模块年产能。

  2. SEMI 中国·半导体60

    钧恒科技拟投资3.09亿元在武汉光谷建设研发制造总部基地

    汇绿生态控股子公司钧恒科技拟投资3.09亿元,在武汉光谷光电子信息产业园建设研发生产基地,整体预计2028年6月建成投用。项目分两期实施,一期投资2.88亿元、建设总面积约5.77万平方米,二期配套高速率光模块研发子项目。建成后将升级现有年产150万支产线,并新增年产200万支高速率光模块生产线,使武汉区域高速率光模块年产能合计达到350万支。

    推荐理由:项目将现有产线技术升级与新增产能并行推进,分期投资和投用时间为理解高速率光模块制造能力的扩张节奏提供了具体参照。

  3. Semiconductor Today36

    硅光子与 InP 光子集成电路市场预计到2036年增至$48bn

    IDTechEx预测,硅光子与 InP 光子集成电路市场将以21.9%的复合年增长率增长,到2036年达到US$48bn。基于光子集成电路的收发器可加快数据中心节点连接并降低功耗,需求受 AI 推动。高质量 InP 衬底供应正成为 AI 硬件部署的瓶颈,硅光子采用增加并不意味着 InP 组件需求减少。

  4. 中国粉体网63

    亨通光电拟募资不超过66.36亿元,加码光学石英、光纤预制棒等项目

    亨通光电近日发布募资可行性分析报告,拟向特定对象发行A股股票募集不超过66.36亿元,用于光通信、AI先进光互联、海洋能源互联等项目及补充流动资金。内蒙古高端光学新材料项目总投资10.41亿元,建设期26个月,规划年产800吨光纤预制棒、1200吨高端光学石英材料及600万芯公里光纤。

9月28日周一
  1. Compound Semiconductor36

    InP:光子学领域的关键半导体

    IDTechEx报告指出,InP是支撑AI发展的PIC光收发器的关键材料,硅光子技术普及将改变而非取代对InP组件的需求。报告预测,数据通信及量子技术光收发器的PIC与硅光子市场到2036年将达$50 billion。高质量InP衬底供应正成为AI硬件部署的瓶颈,部分厂商正向6-inch晶圆迁移。

  2. 艾邦半导体网67

    直得、高明铁等CPO设备与零部件供应商启动扩产

    多家CPO设备与上游零部件供应商因高精度运动平台及自动化光耦合设备需求增长启动扩产,部分订单能见度达明年第二季度。直得预计今年第四季度开出新产能、明年持续放量;高明铁已获800G及1.6T光模组耦光对位模组订单,并取得台中一家光学暨医疗厂约60%股权,未来设立生产组装线后预估产能可扩增一倍以上,其东莞子公司扩产预计明年中以后放量。

  3. 全球半导体观察 · 制造/封测62

    汇绿生态拟投资3.09亿元建设钧恒科技基地,扩产高速光模块

    汇绿生态9月27日公告,控股子公司武汉钧恒科技拟在武汉东湖高新区投建研发生产基地,总投资3.09亿元。项目将升级现有年产150万支产线,并新增年产200万支高速率光模块产线,全部达产后武汉区域合计年产能350万支,匹配800G、1.6T市场需求。主体工程计划于2026年11月至2028年6月建设,工期20个月,投资尚需按内部流程推进,建设进度及市场需求变化可能影响产能释放。

9月24日周四
  1. 全球半导体观察 · 制造/封测67

    芯联先进注册资本达84.83亿元,推进12英寸车规级数模混合芯片项目

    芯联先进各方出资认购已全部完成,合计注册资本达84.83亿元,作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造四期项目的实施主体。芯联集成9月21日公告披露,已累计完成21.29亿元注册资本实缴;四期项目总投资约200亿元,拟建设5万片/月的12英寸数模混合芯片产线。

9月23日周三
9月18日周五
  1. Semiconductor Today53

    NewPhotonics与Tower开始大批量出货面向AI互连的激光器集成可维护光引擎PIC

    NewPhotonics与Tower Semiconductor宣布,面向AI横向扩展和纵向扩展互连的激光器集成可维护光引擎PIC已开始大批量出货。已出货的NPG102支持800G和1.6T,采用每通道200G设计,并依托PH18DA硅光平台异质集成InP器件,在单个PIC上集成激光器、半导体光放大器、调制器和光探测器。

9月16日周三
  1. Semiconductor Today25

    Lumentum 专家将在 ECOC 2026 发表演讲

    Lumentum 公布了专家演讲阵容,将参加9月20–24日在西班牙马拉加举行的 ECOC 2026。议题涵盖面向 AI 系统互连的激光创新、800G 和 1.6T 硅光发射器规模化,以及1060nm VCSEL 阵列的性能、可靠性与可制造性。公司还将在9月21–23日的展会上亮相,展位号为 #2050。

  2. Semiconductor Today62

    ClassOne获光子器件制造商多台Solstice S8追加订单,用于6英寸InP晶圆大批量镀金

    ClassOne Technology宣布,两家光子器件制造商追加订购多台Solstice S8单晶圆湿法处理系统,用于InP晶圆大批量镀金。设备配置GoldPro电镀腔室,处理4英寸和6英寸InP晶圆,面向AI数据中心及其他高带宽通信应用的光学器件制造。客户预计随InP收发器产能扩张继续部署更多系统,同一平台还可增加金属剥离、湿法刻蚀等工艺。

9月11日周五
9月10日周四
  1. Semiconductor Today50

    OIF发布1600ZR相干接口IA,将数据中心互连单波长容量翻倍

    OIF发布1600ZR相干接口实施协议IA,定义可互操作的1.6T相干线路接口及帧格式,支持最长120km的单跨段放大式点对点DWDM链路。相较800ZR规范,其单波长容量翻倍,可通过单个相干波长承载一个1.6T以太网客户侧接口,并保持与客户侧光接口相当的端口密度。规范明确了客户侧映射、帧格式、FEC、调制和光学特性,为数据中心互连中的多厂商互操作实现提供技术基础。

  2. Semiconductor Today31

    以太网联盟在 ECOC 举办多厂商互操作性演示

    以太网联盟将在 ECOC 2026 举办多厂商现场互操作性演示,覆盖 400G、800G 和 1.6T 以太网。计划演示内容包括 1.6T OSFP 连接,以及采用 224G SerDes 技术和链路训练的 1.6T 运行。800G AI 无损链路演示还将探索链路协商、链路层重试(LLR)和基于信用的流量控制(CBFC)。

9月9日周三
9月7日周一