东芝推出3300V SiC MOSFET模块

东芝推出IX800FXF2YMS4双SiC MOSFET模块，额定电压3300V、额定电流800A，面向铁路车辆及可再生能源发电等工业设备。该模块采用第三代SiC MOSFET芯片和iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。