Fraunhofer IAF 团队开发 InGaAs-on-Si 宽带放大器

Fraunhofer IAF 开发了 InGaAs-on-Si 宽带分布式放大器芯片，在 4 至 420 GHz 频段实现 11 ± 2 dB 增益。芯片采用栅长为 20 nm 的 HEMT 技术，饱和输出功率为 6 至 8 dBm，适用于数据中心、测量系统和传感器。