高塔半导体拟投资约40亿美元扩产日本，打造AI光通讯芯片基地

高塔半导体计划投资约40亿美元，分两阶段扩充日本硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应AI基础设施需求。第一阶段将新潟县荒井Fab 6改为300mm硅光子与先进光学封装厂，并提升富山县鱼津Fab 7的SiGe与SiPho产能，预计2027年第四季具备全面量产准备；第二阶段将在Fab 7旁新建300mm晶圆厂，扩大SiGe EIC与SiPho PIC产能，为后续导入CPO铺路。