汇绿生态拟投资3.09亿元建设钧恒科技基地,扩产高速光模块
汇绿生态9月27日公告,控股子公司武汉钧恒科技拟在武汉东湖高新区投建研发生产基地,总投资3.09亿元。项目将升级现有年产150万支产线,并新增年产200万支高速率光模块产线,全部达产后武汉区域合计年产能350万支,匹配800G、1.6T市场需求。主体工程计划于2026年11月至2028年6月建设,工期20个月,投资尚需按内部流程推进,建设进度及市场需求变化可能影响产能释放。
汇绿生态9月27日公告,控股子公司武汉钧恒科技拟在武汉东湖高新区投建研发生产基地,总投资3.09亿元。项目将升级现有年产150万支产线,并新增年产200万支高速率光模块产线,全部达产后武汉区域合计年产能350万支,匹配800G、1.6T市场需求。主体工程计划于2026年11月至2028年6月建设,工期20个月,投资尚需按内部流程推进,建设进度及市场需求变化可能影响产能释放。
东芝推出IX800FXF2YMS4双SiC MOSFET模块,额定电压3300V、额定电流800A,面向铁路车辆及可再生能源发电等工业设备。该模块采用第三代SiC MOSFET芯片和iXPLV封装,通过银烧结键合技术提升耐热性与可靠性,额定沟道温度达175°C。
中科院上硅所周志勇研究员团队利用化学反应中的体积收缩自发形成孔隙,无需外加造孔剂,相关研究发表于《Advanced Functional Materials》。
先进封装用负膨胀(NTE)填料通过升温收缩抵消树脂热膨胀,为兼顾抗翘曲与高导热提供配方思路,但也带来工艺适配挑战。二氧化硅高填充会挤占高导热填料空间并增加黏度,文章对比了钨酸锆、钒酸铜、BNFO及三菱化学M-Filleris™的性能与应用限制。
嘉智信诺将于11月3-4日在广东东莞举办的MLCC论坛上,发布用于纳米镍浆和钛酸钡浆料的超分散剂产品。该产品利用空间位阻效应在粉体颗粒表面形成保护层,减少再次团聚,并通过降低颗粒间相互作用改善高固含浆料的流动状态。
东芝推出面向工业设备的双SiC MOSFET模组IX800FXF2YMS4,额定漏源电压为3300V、额定漏极电流(DC)为800A。该模组采用东芝第三代SiC MOSFET芯片及iXPLV封装,通过银烧结键合技术提升芯片键合部位的耐热性与可靠性,额定沟道温度达175°C。
晶丰明源以自有资金参与粤芯半导体IPO战略配售,最终获配416.32万股,获配金额约4999.9996万元。本次发行价格为12.01元/股,获配股份自粤芯半导体上市之日起限售24个月。晶丰明源长期向粤芯半导体采购晶圆代工产能,此次投资旨在深化双方产业链战略合作。
芯联先进各方出资认购已全部完成,合计注册资本达84.83亿元,作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造四期项目的实施主体。芯联集成9月21日公告披露,已累计完成21.29亿元注册资本实缴;四期项目总投资约200亿元,拟建设5万片/月的12英寸数模混合芯片产线。
PicoJool完成$27.5m A轮融资,将扩充美国和台湾的团队及设施,加速VCSEL与光互连产品商业化。本轮由Socratic Partners领投,累计融资达$39.5m。公司已启动芯片级VCSEL早期送样,并与WIN Semiconductor等GaAs代工厂合作,为200G VCSEL量产做准备。
Sivers Semiconductors 调整无线与光子业务领导团队,以推动下一阶段的商业增长。Marc Pegulu 将于2026年9月28日出任无线业务董事总经理,David Clark 将于2026年10月31日出任光子业务工程副总裁。现任无线业务董事总经理 Harish Krishnaswamy 将转任首席战略官。
韩国首尔大学团队在Nature Communications发表研究,通过多模态文献挖掘、物理约束机器学习与逆向设计,筛选并实验验证了两种无铅MLCC介电材料。
Fraunhofer IAF 开发了 InGaAs-on-Si 宽带分布式放大器芯片,在 4 至 420 GHz 频段实现 11 ± 2 dB 增益。芯片采用栅长为 20 nm 的 HEMT 技术,饱和输出功率为 6 至 8 dBm,适用于数据中心、测量系统和传感器。
苏黎世联邦理工学院研究人员开发出可直接光刻的多色发光聚合物,兼具光刻胶功能与耐化学处理能力,成果发表于Nature。材料采用核壳式分子设计,将发光核心与外围UV交联基团隔开,并制成尺寸为300 by 430 µms、包含250 by 350像素的静态荧光图像,该图像尚非电驱动显示屏。
Coherent 推出面向下一代 AI 数据中心的集成光学平台 PhotonLink,整合光子技术、组装与测试能力,提供完整光学解决方案。平台支持共封装光学(CPO)、近封装光学(NPO)及新兴芯片间互连。平台收入预计于 CY2026 的 Q4 开始爬坡,公司正扩充 InP 和特种光纤产能。
9月2日,Noritake宣布开发出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia,适用于SiC等半导体硬脆晶圆材料的研磨,可用于SiC晶圆端面加工。其LHA技术将金刚石磨粒以半固定状态内置于网状树脂结构中,使磨粒在研磨时滚动并多次接触工件。该研磨垫仅需通水即可研磨,无需额外添加含磨料的浆料,有助于减少工业废弃物。
近日,富士胶片与塔塔电子签署MOU,旨在加速印度半导体材料生态系统发展。富士胶片计划投资约800亿印度卢比,分阶段在古吉拉特邦多莱拉特别投资区建设半导体材料工厂,保障塔塔电子在建晶圆厂的材料供应与运输。双方合作还将为印度化工制造商提供技术、质量保证和制造工艺方面的专业知识,促进高纯度化学品生产。
SEMI 加入欧盟 ReSiLient 项目联盟,助力降低欧洲对进口 SiC 和硅原材料的关键依赖,增强半导体供应链韧性。项目获欧盟共同资助,预算为 €9.57 million,将开发基于本土矿源和工业副产物及废物流的生产路线。SEMI Europe 将牵头社会接受度、成果传播、沟通与标准化工作。
9月19日,礼鼎半导体第二园区先进IC载板数智化制造基地在深圳宝安区落地,计划总投资不低于120亿元。项目规划占地面积约15.72公顷,将分两期建设数座现代化工厂,重点布局FCBGA等IC载板产品,面向人工智能、高性能计算及网络通信领域。这是近2个月以来宝安区落地的第二个百亿级PCB项目,此前鹏鼎控股已公告拟投资100亿元建设第三园区人工智能高阶类载板及柔性电路板智造基地。
瑞丰高材9月16日晚间公告,拟以自有及自筹资金合计4.99亿元,通过股权受让和现金增资取得觅拓新材68.065%股权,完成后将其纳入合并报表。觅拓新材主营电子级环氧树脂、低介电树脂及感光材料,产品面向覆铜板等电子材料领域,感光材料涵盖光敏剂、架桥剂等。
苏州长湖纳米科技有限公司技术总监冯朝阳博士将于9月21-22日在苏州纳米金属论坛分享纳米铜在印刷电子及集成电路上的应用探索报告。报告涵盖抗氧化纳米铜粉批量制备、低温烧结浆料配方优化,以及面向FPC柔性集成电路印刷和先进芯片封装的工艺适配。
南威尔士化合物半导体集群 CSconnected 于9月10日举行活动,庆祝已于5月结束的 Strength in Places Fund 项目成果。项目影响报告显示,直接就业增长36%至1914个岗位,年销售额增至£531m。集群目标是到2030年将营收增至£1bn,并在当地提供6000个岗位。
NewPhotonics与Tower Semiconductor宣布,面向AI横向扩展和纵向扩展互连的激光器集成可维护光引擎PIC已开始大批量出货。已出货的NPG102支持800G和1.6T,采用每通道200G设计,并依托PH18DA硅光平台异质集成InP器件,在单个PIC上集成激光器、半导体光放大器、调制器和光探测器。
Tower Semiconductor 在 ECOC 2026 展示面向大批量生产的高性能硅光子平台及 SiGe BiCMOS 解决方案。其硅光子平台广泛用于数据中心和电信光收发器等应用。SiGe BiCMOS 与 SiPho 平台互补,满足下一代 AI 基础设施对更高带宽、更低延迟和更低功耗的需求。
安森美发布 Embedded Power Platform(EPP),以硅晶圆本身作为封装基础,在晶圆级架构中集成硅、SiC 与 GaN 技术。平台利用其标准12英寸硅晶圆制造能力协同优化电气、热与机械设计,公司称可依应用实现3–5x功率密度,早期固态断路器设计较现有设计尺寸约缩小50%、温度约降低20%,电动车牵引逆变器应用功率密度最高提升至4x、功率损耗降低15%。
Avicena 将在 ECOC 2026 演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连 LightBundle eKit。该实现结合无激光 micro-LED 收发技术与可拆卸光接口,采用 MPO 外形规格及针对多芯光纤束优化的插芯。可拆卸接口可简化系统装配,支持电子与光学子系统独立测试及现场维护。
罗姆的 SiC 功率半导体芯片已用于宝马“Neue Klasse”Gen 6 电动汽车平台的电驱动系统架构。相关组件支持关键电力电子功能,旨在提升能效并在严苛汽车工况下可靠运行,有助于优化续航里程、充电性能及整车能效。
艾邦半导体将于2027年3月18-19日在江苏·苏州举办第五届玻璃基板TGV暨先进封装产业链高峰论坛。论坛拟围绕TGV成型、通孔金属化、良率提升、检测与量测及先进封装应用等议题,汇聚材料、设备、制造、封装和应用环节代表,探讨技术进展与产业链协同路径。
艾邦半导体将于2027年3月18–19日在江苏苏州举办第5届玻璃基板TGV与先进封装产业链高峰论坛。论坛将汇聚材料、设备、制造、封装及终端应用领域专家和企业代表,围绕TGV技术进展、工艺难点、市场趋势与产业链协作展开交流。
9月16日,浙江德汇电子陶瓷有限公司年产1200万片功率半导体用高性能陶瓷覆铜板项目在嘉兴南湖高新区开工。项目总投资10.1亿元,占地48亩,规划建设集研发中心、智能制造产线、检测试验设施于一体的数字化半导体材料生产基地,建成后预计年产值超12亿元。公司负责人表示,新工厂将在绿色化、数字化、智能化方面升级,目标是较原有基地生产效率提升30%至50%。
Lumentum 公布了专家演讲阵容,将参加9月20–24日在西班牙马拉加举行的 ECOC 2026。议题涵盖面向 AI 系统互连的激光创新、800G 和 1.6T 硅光发射器规模化,以及1060nm VCSEL 阵列的性能、可靠性与可制造性。公司还将在9月21–23日的展会上亮相,展位号为 #2050。
SEMI 中国总裁冯莉在 IC WORLD 大会上指出,AI 正推动全球半导体产业进入新增长周期。她援引 WSTS 数据预测,2026 年全球半导体市场规模将超过 1.6 万亿美元,年增长率 108%。AI 算力、存储革命和技术驱动产业升级构成三大趋势,先进制程与先进封装共同推动性能与成本优化。
村田计划在2028财年将AI服务器用高端MLCC产能较当前提升约20%,同时停产部分消费级和车用MLCC料号。其2026财年资本支出计划达2500亿日元,其中追加800亿日元专项扩充服务器MLCC产能;涉及停产的料号要求客户于2027年底前书面回复、2028年3月底前完成最后下单。
9月15日,Resonac(力森诺科)宣布成功制造出300mm(12英寸)碳化硅单晶并加工成衬底。公司目前主要供应150mm(6英寸)碳化硅外延晶圆,200mm(8英寸)外延晶圆也已对外出货。300mm(12英寸)碳化硅衬底尚未进入大规模产业化阶段,距离稳定量产、客户送样验证还有较长周期,后续竞争将聚焦晶体良率与加工稳定性。
住友化学子公司 SCAT 与 Aeluma 签署协议,将为其提供面向 AI 数据通信市场的光子外延晶圆。合作初期将利用 SCAT 现有 MOCVD 产能,加快研发与生产,并为未来扩产提供路径。Aeluma 的异质集成技术采用 150mm GaAs 和 200-300mm 硅等非 InP 衬底,应对 InP 衬底供应紧张。
Altum RF将于10月6–8日在伦敦EuMW 2026展会展示射频、微波及毫米波半导体产品与技术专长,展位为#L80。重点展品包括E-band功率放大器和低噪声放大器,其中ARF1018频段为71–79GHz、饱和输出功率为1.8W;E-band功率放大器集成片上功率检测器。
EPC 发布两份技术白皮书,分别探讨 AI 数据中心与高性能多轴电机驱动的 GaN 功率转换方案。数据中心方案中,EPC91123 转换器以 8mm 高度实现 98.2% 峰值效率;电机驱动方案采用 EPC231xx 集成式功率级,简化控制与布线。两份白皮书均提供中英文版本下载。
英国 Battalion Advanced Technology 与宾夕法尼亚州立大学签署总额最高 $6m 的两项研究协议,开发先进半导体平台及高温材料。协议于7月16日生效,为期三年,研究涵盖半导体与高性能衬底集成,以及耐极端高温、抗氧化合金。半导体项目将探索原子级薄中间层能否改善 GaN 与金刚石、氮化铝等材料的集成。
Eggtronic 推出面向高端笔记本等设备的 140W USB-C Power Delivery 参考设计,效率接近 96%。该平台结合 EPIC™ 控制器与瑞萨 TP70H150G4LSG GaN 器件,在 90VAC 输入下效率为 94.5%,物料成本维持传统 QR 反激转换器水平。参考板现已供应。
SEMI 加入 ReSiLient 项目联盟,旨在加强欧洲硅与 SiC 原材料价值链韧性,降低进口依赖。项目于2026年启动,为期48个月,金额€9.57m,由欧盟共同资助,将验证本土矿源及工业废料利用路线。SEMI Europe 将牵头 WP8,负责社会接受度、传播、沟通及标准化工作。
大连富乐德7nm及以下高制程精密洗净专线近日在大连普洛斯智造产业园竣工投产,项目总投资约1.4亿元。项目实用面积11160平方米,聚焦半导体痕量金属污染清洗与精密检测,面向ALD、PVD、CVD等薄膜沉积核心设备的金属、陶瓷、石英零部件提供洗净与再生服务。该专线主要服务SK 海力士、北方华创等企业,旨在补齐华北、东北区域高制程设备零部件再生配套短板。