《Semiconductor Today》最新一期现已上线
《Semiconductor Today》最新一期今日出版并免费开放，涵盖上月化合物半导体及先进硅材料与器件的商业和技术进展。本期内容包括热稳定性更高的 InP 量子点近红外激光二极管、降低 micro-LED 侧壁影响、GaN HEMT 短路性能及功率 GaN 器件市场增长。
#碳化硅
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Charged EVsAI 评分3737 L&T Semiconductor Technologies 推出面向电动汽车快充的 1,200 V SiC MOSFET 平台
L&T Semiconductor Technologies 推出 1,200 V SiC MOSFET 平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器。公司表示，相比硅 IGBT，SiC MOSFET 开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件和冷却硬件尺寸。
第三代半导体产业网AI 评分2929 IFWS&SSLCHINA 2026将于11月苏州启幕，首批嘉宾名单出炉
IFWS&SSLCHINA 2026将于2026年11月16-19日在江苏苏州召开，首批嘉宾名单已公布。论坛设置1场主论坛、6大主题方向，议题覆盖碳化硅衬底与器件、氮化镓功率与射频、车规级器件可靠性验证及先进封装等，同期举办2026先进半导体技术应用创新展。
第三代半导体产业网AI 评分5151 平湖实验室将携SiC与GaN展品参加西安APWS 2026
平湖实验室将参加2026年10月11日-15日在西安举办的APWS 2026，在A15展位展示SiC与GaN产品。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分6464 Resonac成功开发300mm碳化硅衬底
Resonac（力森诺科）成功开发直径300mm（12寸）SiC衬底，相同制程下每片可取得的芯片数量为主流150mm（6寸）衬底的4倍。其商业化需要功率半导体制造商进行大规模设备投资，以及供应商建立稳定量产低缺陷衬底的生产体系。Resonac目前主要生产150mm衬底，现阶段将优先强化由150mm向200mm转移的生产能力，并按客户需求评估300mm产品的市场前景。
推荐理由：大尺寸衬底的芯片数量优势与商业化所需的设备投资、低缺陷量产条件形成对照，有助于区分开发成果与量产降本之间的距离。
中国粉体网AI 评分2929 万亿半导体产业背后：碳化硅陶瓷应用持续增长
碳化硅陶瓷在半导体设备核心部件中的应用渗透率持续提升，零部件需求增速显著高于行业平均水平。其耐高温、耐腐蚀等特性支持刻蚀、沉积、外延等工序应用，炉管可在1200℃以上长期稳定工作。QY Research数据显示，2024年全球半导体用碳化硅零部件市场规模约11.71亿美元，预计2030年增至15.78亿美元。
粉体圈AI 评分4848 日本东北大学：800℃制备纳米多孔β-SiC，LMD法提供新路径
日本东北大学金属材料研究所团队利用液态金属脱合金法（LMD），在800℃条件下成功制备纳米多孔β-SiC。该工艺通过熔融铋选择性去除前驱体中的Mn，使保留的Si-C骨架重构，形成纳米片层互连的三维共连续纳米多孔结构，为SiC低温制备与结构调控提供新路径。
Semiconductor TodayAI 评分3939 阿肯色州电子系统研究所（ARIES）成立
阿肯色州电子系统研究所（ARIES）成立，旨在开发、生产和部署适用于严苛环境的下一代功率电子、微电子及半导体技术。研究所汇集阿肯色大学研究人员，聚焦功率电子及半导体、网络安全与 AI、光子学、射频与微波技术。其整合 MUSiC、HiDEC 和 NCREPT 设施，提供从制造、原型开发到产业及政府应用转化的能力。
Semiconductor TodayAI 评分3939 伊顿将在面向800V数据中心配电的中压固态变压器中采用英飞凌SiC功率器件
伊顿将为面向亚太地区部署的中压固态变压器MVSST 2.0平台采用英飞凌SiC功率器件，支持800V直流数据中心配电。该平台较传统架构减少转换级数，提高效率、功率密度和部署灵活性，并已获IEC认证。双方正探索基于2.3kV和3.3kV SiC功率模组的下一代SST平台。
第三代半导体产业网AI 评分3232 天科合达科学碳目标通过SBTi官方验证
近日，天科合达科学碳目标通过SBTi官方验证，其碳减排目标已在SBTi官网公示，被认定符合《巴黎协定》1.5℃温控路径。公司此前于2025年获得ISO 14067产品碳足迹核查声明证书，对核心产品碳化硅衬底的全流程温室气体排放进行系统核算，为制定科学碳目标提供数据基础。
Semiconductor TodayAI 评分4545 Navitas获美国陆军ALATTIS项目，开发10kV功率半导体
Navitas获美国陆军ALATTIS项目，将开发下一代10kV SiC IGBT及配套PiN二极管技术。项目由美国陆军研究实验室资助，旨在通过迭代设计、制造和测试，开发并验证≥10kV SiC IGBT的美国本土制造工艺。器件将基于其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，面向军方任务关键系统。
第三代半导体产业网AI 评分5656 九峰山实验室将携化合物半导体产品参展西安APWS 2026
九峰山实验室将于2026年10月11日-15日在西安举办的第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）展示产品，展位号为A12。展品包括8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆、100nm高性能氮化镓及250nm碳化硅基氮化镓流片PDK平台、8英寸压电MEMS流片PDK平台、6寸磷化铟PIN探测器外延片和8英寸硅基GaN MicroLED外延片。
第三代半导体产业网AI 评分6161 燕山大学与中山大学团队研发热化学机械研磨工艺，降低碳化硅晶圆加工损伤
燕山大学黄水泉团队联合中山大学黄翰团队研发碳化硅热化学机械研磨工艺，相关成果发表于《极端制造国际期刊》。工艺利用接触点瞬时摩擦升温超45℃触发冷却液中的ACVA分解，在晶体表层形成厚度约10纳米的无定形碳氧化硅缓冲薄膜，使无裂纹切削深度从29纳米提升至51纳米，亚表面加工缺陷控制在70纳米以内。团队下一阶段计划优化工艺参数以适配商用8英寸碳化硅晶圆加工设备，并研发配套闭环流体回收系统，推进产业化。
Compound SemiconductorAI 评分4949 Navitas将为美国政府开发10kV SiC芯片
Navitas Semiconductor获美国政府授予ALATTIS项目，将开发下一代10 kV SiC功率半导体技术。该原型项目由美国陆军研究实验室资助，将开发、实施并验证美国目前尚不具备的10 kV SiC IGBT制造工艺。Navitas将采用其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，并集成先进PiN二极管技术。
艾邦半导体网AI 评分2222 800V高压平台加速落地，SiC驱动车载AMB基板需求增长
800V高压平台加速落地与SiC功率器件应用扩大，推动车载AMB陶瓷基板需求增长。AMB基板以高温可靠性、高电流承载能力及良好的热循环性能，满足高压、高功率应用要求。富乐华提供AMB、DBC、DPC及氮化硅陶瓷基板方案，并依托东台、内江及马来西亚制造基地提升生产与交付能力。
Compound SemiconductorAI 评分6969 Wolfspeed推出Premium 200 mm n型SiC衬底，扩展200 mm材料产品组合
Wolfspeed宣布Premium 200 mm n型SiC衬底正式商用，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的X-ray形貌检测验证，该衬底微管密度低于0.01个/平方厘米，或每片晶圆少于3个微管，并具有较低的螺型穿透位错。公司称其可在客户现有外延工艺内改善外延表现，产品现已可订购并配有专用产能，后续将随市场需求增长在现有大规模SiC制造设施内快速爬坡新增产能。
Compound SemiconductorAI 评分3939 伊顿将采用英飞凌 SiC 芯片用于固态变压器
伊顿将采用英飞凌 SiC 功率器件，用于面向亚太地区部署的中压固态变压器 MVSST 2.0 平台。该平台面向 800 VDC AI 数据中心配电架构，通过减少转换级数提升效率、功率密度和部署灵活性。双方正探索基于 2.3 kV 和 3.3 kV SiC 功率模组的下一代 SST 平台。
Semiconductor TodayAI 评分6767 Wolfspeed 推出 Premium 200mm n型 SiC 衬底，现已可订购
Wolfspeed 宣布 Premium 200mm n型 SiC 衬底商业供货，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的 X-ray 拓扑成像验证，该衬底微管密度低于每平方厘米 0.01 个，即每片晶圆少于 3 个微管，并具有较低的螺型穿透位错水平。公司称，更高的裸晶圆质量可在客户现有外延工艺内改善外延表现；产品现已可订购，并配有专用产能。
Semiconductor TodayAI 评分3030 Wise Integration 数字控制技术将与纳微半导体宽禁带技术结合
Wise Integration 与纳微半导体达成合作，将结合分布式数字控制与 GaN、SiC 技术，推进 AI 数据中心电源及高性能计算供电应用。双方将重点关注 AI 数据中心电源单元，探索更多电能转换拓扑，以满足从电网到芯片的高电压、高功率和高效率应用需求。
第三代半导体产业网AI 评分5454 阿基米德半导体金刚石集成碳化硅功率模块实现首批样品交付
阿基米德半导体于2026年8月交付首批“Diamond Inside”碳化硅功率模块正式样品订单，客户为国内一家电动飞行器企业，产品将装机进入其动力系统。模块采用DCM封装，将金刚石复合材料作为底板嵌入封装结构，而非外部贴附热沉片。材料称，该方案可使散热由传统Pinfin水冷改为平板风冷，减少冷却附件及底板重量，并通过与SiC芯片更匹配的热膨胀系数降低热应力与界面疲劳风险。
第三代半导体产业网AI 评分2929 【详细日程】APWS 2026｜第十二届亚太宽禁带半导体国际会议将于10月11-15日在西安召开
第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）将于10月11日-15日在西安曲江国际饭店召开，完整日程已更新发布。会议由西安电子科技大学主办，将带来超200场主题报告，围绕III族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等宽禁带与超宽禁带半导体展开交流。
Compound SemiconductorAI 评分2828 Wise Integration 与纳微半导体拟开展合作
Wise Integration 与纳微半导体拟结合数字控制与 GaN、SiC 技术，合作面向 AI 数据中心 PSU 及计算设备的电源应用。双方将重点结合分布式数字控制与宽禁带技术，并探索更多电能转换拓扑，以满足从电网到芯片的高电压、高功率和高效率应用需求。
Semiconductor TodayAI 评分4848 东芝推出3300V SiC MOSFET模块
东芝推出IX800FXF2YMS4双SiC MOSFET模块，额定电压3300V、额定电流800A，面向铁路车辆及可再生能源发电等工业设备。该模块采用第三代SiC MOSFET芯片和iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。
Compound SemiconductorAI 评分4444 东芝推出3300V SiC MOSFET模组
东芝推出面向工业设备的双SiC MOSFET模组IX800FXF2YMS4，额定漏源电压为3300V、额定漏极电流（DC）为800A。该模组采用东芝第三代SiC MOSFET芯片及iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升芯片键合部位的耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。
粉体圈AI 评分6060 Noritake推出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia，解析LHA研磨技术
9月2日，Noritake宣布开发出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia，适用于SiC等半导体硬脆晶圆材料的研磨，可用于SiC晶圆端面加工。其LHA技术将金刚石磨粒以半固定状态内置于网状树脂结构中，使磨粒在研磨时滚动并多次接触工件。该研磨垫仅需通水即可研磨，无需额外添加含磨料的浆料，有助于减少工业废弃物。
Compound SemiconductorAI 评分4242 SEMI 加入欧盟 ReSiLient 项目联盟
SEMI 加入欧盟 ReSiLient 项目联盟，助力降低欧洲对进口 SiC 和硅原材料的关键依赖，增强半导体供应链韧性。项目获欧盟共同资助，预算为 €9.57 million，将开发基于本土矿源和工业副产物及废物流的生产路线。SEMI Europe 将牵头社会接受度、成果传播、沟通与标准化工作。
Semiconductor TodayAI 评分6666 安森美发布 Embedded Power Platform，以硅晶圆构建功率系统封装
安森美发布 Embedded Power Platform（EPP），以硅晶圆本身作为封装基础，在晶圆级架构中集成硅、SiC 与 GaN 技术。平台利用其标准12英寸硅晶圆制造能力协同优化电气、热与机械设计，公司称可依应用实现3–5x功率密度，早期固态断路器设计较现有设计尺寸约缩小50%、温度约降低20%，电动车牵引逆变器应用功率密度最高提升至4x、功率损耗降低15%。
Semiconductor TodayAI 评分4545 罗姆 SiC 芯片用于宝马“Neue Klasse”Gen 6 电动汽车平台的电驱动系统
罗姆的 SiC 功率半导体芯片已用于宝马“Neue Klasse”Gen 6 电动汽车平台的电驱动系统架构。相关组件支持关键电力电子功能，旨在提升能效并在严苛汽车工况下可靠运行，有助于优化续航里程、充电性能及整车能效。
粉体圈AI 评分7070 总投资10.1亿元，德汇电子年产1200万片高性能陶瓷覆铜板项目开工
9月16日，浙江德汇电子陶瓷有限公司年产1200万片功率半导体用高性能陶瓷覆铜板项目在嘉兴南湖高新区开工。项目总投资10.1亿元，占地48亩，规划建设集研发中心、智能制造产线、检测试验设施于一体的数字化半导体材料生产基地，建成后预计年产值超12亿元。公司负责人表示，新工厂将在绿色化、数字化、智能化方面升级，目标是较原有基地生产效率提升30%至50%。
粉体圈AI 评分6464 Resonac成功开发300mm（12英寸）碳化硅单晶衬底
9月15日，Resonac（力森诺科）宣布成功制造出300mm（12英寸）碳化硅单晶并加工成衬底。公司目前主要供应150mm（6英寸）碳化硅外延晶圆，200mm（8英寸）外延晶圆也已对外出货。300mm（12英寸）碳化硅衬底尚未进入大规模产业化阶段，距离稳定量产、客户送样验证还有较长周期，后续竞争将聚焦晶体良率与加工稳定性。
Semiconductor TodayAI 评分4747 SEMI 加入 ReSiLient 联盟，加强欧洲硅与 SiC 原材料价值链
SEMI 加入 ReSiLient 项目联盟，旨在加强欧洲硅与 SiC 原材料价值链韧性，降低进口依赖。项目于2026年启动，为期48个月，金额€9.57m，由欧盟共同资助，将验证本土矿源及工业废料利用路线。SEMI Europe 将牵头 WP8，负责社会接受度、传播、沟通及标准化工作。
Semiconductor TodayAI 评分3838 英飞凌与 SolarEdge 将合作扩展至面向 800VDC AI 数据中心的固态断路器技术
英飞凌与 SolarEdge 将合作扩展至固态断路器（SSCB）技术，为 800VDC AI 数据中心高压直流配电提供保护。SolarEdge 主导方案设计，英飞凌提供作为保护器件核心的 SiC JFET 技术。该断路器设计用于在几微秒内切断故障，补足固态变压器与计算机架之间配电层的保护环节。
Semiconductor TodayAI 评分7171 DB HiTek完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证
韩国DB HiTek已完成8英寸（200mm）晶圆1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证，计划为2027年量产加快准备。已通过验证的第二代工艺在18V导通栅极电压下，比导通电阻不高于2.5mΩ•cm²、阈值电压不低于3V；第三代工艺仍在验证，目标是在相同栅极电压下实现不高于2.3mΩ•cm²的比导通电阻及至少2.5μs的SCWT，相关PDK计划于11月推出。
Semiconductor TodayAI 评分4141 RF GaN 技术趋于成熟，专利活动放缓
KnowMade 的报告显示，RF GaN 技术趋于成熟，整体专利活动放缓，但部分技术领域和地区的竞争加剧。GaN-on-SiC 仍是高功率应用的主流平台，GaN-on-Si 则在 8-inch 制造支持下迈向早期产业化。MACOM 接收 Wolfspeed 的 RF 业务及相关专利资产后，强化了器件、封装和电路领域的专利布局。
Semiconductor TodayAI 评分3333 英飞凌与 Skeleton 合作开发固态变压器和 sidecar 系统，提升 AI 数据中心供电韧性
英飞凌与 Skeleton Technologies 签署合作谅解备忘录，拟共同开发固态变压器和高功率 sidecar 系统，提升 AI 数据中心供电韧性。双方拟结合 CoolSiC 功率半导体与超级电容技术，探索中压 AC 至高压 DC 转换，并合作开发采用 CoolGaN 功率半导体的削峰系统。
Semiconductor TodayAI 评分3838 安世半导体探索与 Aurobay 开展面向电动化动力总成的功率半导体合作
安世半导体将探索与 Aurobay Technologies 开展汽车功率半导体战略合作，面向下一代电动化及混合动力汽车平台。Aurobay 已在用于增程器的高度集成发电系统中部署安世半导体 GaN 器件。双方拟结合 GaN、SiC 技术与动力总成集成能力，评估牵引逆变器及发电系统的架构优化机会。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分5858 SEMI与TechSearch International联合发布2026版《全球封装测试厂数据库》
SEMI与TechSearch International于美国加州时间2026年7月7日发布2026版《全球封装测试厂数据库》，覆盖超过820座工厂。数据库追踪IDM和OSAT企业的半导体后端制造，覆盖量较2025版的750座增加，并新增材料、终端市场、基板与中介层平台等字段。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分5454 特色半导体器件发展系列第三篇：如何解决 MEMS、光子器件与共封装光学的工艺控制挑战
MEMS、CMOS 图像传感器、SiC 与 GaN 功率器件及共封装光学（CPO）的工艺控制，可通过跨设备、跨层及跨工序关联量测与检测数据改善。RF BAW 案例将在线厚度量测与逐片修整反馈闭环结合，使晶圆内不均匀性降低一个数量级；功率器件案例结合衬底与外延缺陷图及电阻率测量，识别纵向传播且低电阻率的致命缺陷。
粉体圈AI 评分2727 纳米粉体在陶瓷材料中的应用：从微观革命到宏观革新
纳米粉体通过增韧、促进致密化烧结和细化晶粒，提升陶瓷材料的力学性能与功能特性。在氧化铝基体中添加适量纳米SiC颗粒，可使抗弯强度提升30%-80%。成型与烧结需重点控制粉体分散、硬团聚及气孔缺陷，并通过低温或快速烧结抑制晶粒生长。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分5454 特色器件增长系列第二篇：MEMS、共封装光学等器件面临哪些工艺控制挑战
MEMS、CMOS图像传感器、SiC与GaN功率器件及共封装光学的规模化制造，均面临各自的形貌、膜厚、均匀性和缺陷控制挑战。CIS器件高度为6µm至10µm，像素隔离沟槽约100nm宽；SiC已采用200mm晶圆生产，部分厂商开始生产用于发挥材料导热特性的300mm SiC晶圆，而GaN更早转向300mm晶圆。