DB HiTek完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证

韩国DB HiTek已完成8英寸（200mm）晶圆1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证，计划为2027年量产加快准备。已通过验证的第二代工艺在18V导通栅极电压下，比导通电阻不高于2.5mΩ•cm²、阈值电压不低于3V；第三代工艺仍在验证，目标是在相同栅极电压下实现不高于2.3mΩ•cm²的比导通电阻及至少2.5μs的SCWT，相关PDK计划于11月推出。