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第三代半导体产业网·· 3 天前AI 评分61

燕山大学与中山大学团队研发热化学机械研磨工艺,降低碳化硅晶圆加工损伤

工艺新突破!国内团队攻克碳化硅晶圆超精密加工难题

AI 导读

燕山大学黄水泉团队联合中山大学黄翰团队研发碳化硅热化学机械研磨工艺,相关成果发表于《极端制造国际期刊》。工艺利用接触点瞬时摩擦升温超45℃触发冷却液中的ACVA分解,在晶体表层形成厚度约10纳米的无定形碳氧化硅缓冲薄膜,使无裂纹切削深度从29纳米提升至51纳米,亚表面加工缺陷控制在70纳米以内。团队下一阶段计划优化工艺参数以适配商用8英寸碳化硅晶圆加工设备,并研发配套闭环流体回收系统,推进产业化。

来源:第三代半导体产业网 · casmita.com