微芯科技 PAC1761 和 PAC1861 电源监测器追踪 48 V 系统累计能耗
微芯科技推出面向 48 V 电源架构的 PAC1761 和 PAC1861 数字电源监测器，可测量瞬时电压、电流并累计能耗。两系列分别采用 12-bit 和 16-bit 分辨率，支持最高 65 V 总线电压及 75 V 尖峰保护，功率测量精度为 1%。产品已通过微芯科技及其分销商供货。
#工艺/技术
#工艺/技术
今日 1 条Charged EVsAI 评分4242
Semiconductor TodayAI 评分4747 瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V GaN 器件，称其率先采用双面冷却 8mm x 8mm 封装
瑞萨推出面向 AI 数据中心的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，称其为业内首款双面冷却同类器件。该器件采用 8mm x 8mm PQFN 封装，导通电阻为 20mΩ，顶面热阻降低 10%，占板面积较 TOLT 封装缩小 57%。目前正向主要客户送样，计划于 2027 年中量产。
Compound SemiconductorAI 评分4242 利用 ZnO 量子点开展量子计算研究
日本东北大学联合日本物质材料研究机构及东京大学，在 ZnO 器件中演示了电荷传感、高频反射测量及少电子双量子点的形成。团队将传感量子点与 RF 谐振电路集成，加快电子电荷变化检测，为自旋量子比特研究提供测量平台。下一步将演示电子自旋读出与操控，并测量自旋弛豫和相干时间。
Compound SemiconductorAI 评分4444 可编程 GaN 芯片适应网络需求变化
Tyndall National Institute 参与的国际团队开发出可编程 GaN 芯片，可持续适应网络需求变化，待机功耗几乎为零。该芯片将多层六方氮化硼（hBN）忆阻开关直接集成到 GaN MMIC，配置保持无需持续供电。研究已在多个关键 RF 组件中完成演示，成果发表于《Nature》，面向未来 6G 通信。
Charged EVsAI 评分3737 L&T Semiconductor Technologies 推出面向电动汽车快充的 1,200 V SiC MOSFET 平台
L&T Semiconductor Technologies 推出 1,200 V SiC MOSFET 平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器。公司表示，相比硅 IGBT，SiC MOSFET 开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件和冷却硬件尺寸。
第三代半导体产业网AI 评分6060 三安光电联合清华大学、厦门大学完成堆叠全彩Micro LED技术原理验证
三安光电联合清华大学、厦门大学历经两年攻关，完成4英寸晶圆堆叠式全彩Micro LED架构工艺的底层原理验证与技术可行性论证。团队依托MOCVD工艺、应力调控及新型隧道结结构，实现红、绿、蓝光半峰宽分别为42nm、27nm、17nm；材料称经检测，蓝光EQE达32%、绿光EQE达20%、红光EQE突破3%。成果处于前沿预研阶段，95%以上BT.2020广色域覆盖为后续技术迭代目标。
第三代半导体产业网AI 评分3939 集创北方联合微芯科技重塑车载矩阵灯光架构
集创北方与微芯科技联合推出基于10ba se-T1S技术的车载LED照明终端方案，实现终端节点无MCU化设计。方案结合ICND7301车规级LED驱动芯片与微芯科技端点芯片，通过RCP协议实现区域控制器对终端节点的直接控制。灯效逻辑集中部署于ZCU侧，OTA升级灯效无需改动终端节点配置。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分6464 Resonac成功开发300mm碳化硅衬底
Resonac（力森诺科）成功开发直径300mm（12寸）SiC衬底，相同制程下每片可取得的芯片数量为主流150mm（6寸）衬底的4倍。其商业化需要功率半导体制造商进行大规模设备投资，以及供应商建立稳定量产低缺陷衬底的生产体系。Resonac目前主要生产150mm衬底，现阶段将优先强化由150mm向200mm转移的生产能力，并按客户需求评估300mm产品的市场前景。
推荐理由：大尺寸衬底的芯片数量优势与商业化所需的设备投资、低缺陷量产条件形成对照，有助于区分开发成果与量产降本之间的距离。
Compound SemiconductorAI 评分4747 瑞萨推出采用双面冷却封装的650V GaN器件
瑞萨推出业内首款双面冷却650V GaN器件TP65H020G4PLSGBD，面向800V HVDC AI数据中心电源转换。该器件导通电阻为20 mΩ，采用8 x 8mm PQFN封装，顶部热阻降低10 percent，占板面积较TOLT封装缩小57 percent。目前已送样，计划于2027年中量产。
艾邦半导体网AI 评分5050 英伟达正在评估玻璃基板方案，联合设备商攻关
英伟达正评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，希望基板厂商在两年内完成开发，最快于2028年前导入应用。SCHMID正与英特尔、英伟达、AMD的核心供应商共同开发相关设备，但玻璃通孔（TGV）金属化仍有技术难题，客户认证尚未完成。
艾邦半导体网AI 评分6969 海极半导体完成TGV玻璃基M-LED系列产品开发，七款产品自10月起推向市场
海极半导体宣布完成TGV玻璃基M-LED全类工艺及第一代系列产品开发，直显、透明显示、MiP三类共七款产品自10月起推向市场。此次点亮产品为13.5寸P0.78玻璃基M-LED，其产线采用730mm×920mm玻璃基板，TGV通孔深宽比10:1、最小孔径10μm，线路精度L/S 8μm/8μm。
粉体圈AI 评分4848 日本东北大学：800℃制备纳米多孔β-SiC，LMD法提供新路径
日本东北大学金属材料研究所团队利用液态金属脱合金法（LMD），在800℃条件下成功制备纳米多孔β-SiC。该工艺通过熔融铋选择性去除前驱体中的Mn，使保留的Si-C骨架重构，形成纳米片层互连的三维共连续纳米多孔结构，为SiC低温制备与结构调控提供新路径。
Semiconductor TodayAI 评分4545 Navitas获美国陆军ALATTIS项目，开发10kV功率半导体
Navitas获美国陆军ALATTIS项目，将开发下一代10kV SiC IGBT及配套PiN二极管技术。项目由美国陆军研究实验室资助，旨在通过迭代设计、制造和测试，开发并验证≥10kV SiC IGBT的美国本土制造工艺。器件将基于其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，面向军方任务关键系统。
第三代半导体产业网AI 评分4343 鸿利显示：车载Mini LED行业洞察与技术趋势
鸿利显示分享车载Mini LED技术趋势与量产经验，以POB与COB双技术路线覆盖主流至高端车载显示需求。其COB方案亮度均匀性可达92%以上，对比度高达100000:1。公司已具备车规级Mini LED背光模组批量交付能力，量产案例包括吉普12.3寸仪表屏、广汽15.6寸中控屏等。
第三代半导体产业网AI 评分2828 长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布
长飞先进正式发布功率半导体PCB嵌入式技术白皮书，介绍面向下一代车规主驱的功率半导体封装技术路径。该技术将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互联导热，降低寄生参数与热阻，提升功率密度与可靠性。
Compound SemiconductorAI 评分4949 Navitas将为美国政府开发10kV SiC芯片
Navitas Semiconductor获美国政府授予ALATTIS项目，将开发下一代10 kV SiC功率半导体技术。该原型项目由美国陆军研究实验室资助，将开发、实施并验证美国目前尚不具备的10 kV SiC IGBT制造工艺。Navitas将采用其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，并集成先进PiN二极管技术。
Compound SemiconductorAI 评分6969 Wolfspeed推出Premium 200 mm n型SiC衬底，扩展200 mm材料产品组合
Wolfspeed宣布Premium 200 mm n型SiC衬底正式商用，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的X-ray形貌检测验证，该衬底微管密度低于0.01个/平方厘米，或每片晶圆少于3个微管，并具有较低的螺型穿透位错。公司称其可在客户现有外延工艺内改善外延表现，产品现已可订购并配有专用产能，后续将随市场需求增长在现有大规模SiC制造设施内快速爬坡新增产能。
Semiconductor TodayAI 评分6767 Wolfspeed 推出 Premium 200mm n型 SiC 衬底，现已可订购
Wolfspeed 宣布 Premium 200mm n型 SiC 衬底商业供货，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的 X-ray 拓扑成像验证，该衬底微管密度低于每平方厘米 0.01 个，即每片晶圆少于 3 个微管，并具有较低的螺型穿透位错水平。公司称，更高的裸晶圆质量可在客户现有外延工艺内改善外延表现；产品现已可订购，并配有专用产能。
Semiconductor TodayAI 评分4141 Fraunhofer IAF 开发用于数据中心、测量系统和传感器的宽带分布式放大器 MMIC
Fraunhofer IAF 开发出宽带分布式放大器 MMIC 芯片，适用于数据中心、测量系统和传感器。芯片采用栅长20nm的 InGaAs-on-Si HEMT 技术，在4–420GHz频段实现11 ± 2dB增益，饱和输出功率为6dBm至8dBm。
第三代半导体产业网AI 评分5454 阿基米德半导体金刚石集成碳化硅功率模块实现首批样品交付
阿基米德半导体于2026年8月交付首批“Diamond Inside”碳化硅功率模块正式样品订单，客户为国内一家电动飞行器企业，产品将装机进入其动力系统。模块采用DCM封装，将金刚石复合材料作为底板嵌入封装结构，而非外部贴附热沉片。材料称，该方案可使散热由传统Pinfin水冷改为平板风冷，减少冷却附件及底板重量，并通过与SiC芯片更匹配的热膨胀系数降低热应力与界面疲劳风险。
第三代半导体产业网AI 评分4141 元旭半导体Micro-LED光互联芯片实测-3dB带宽达3.5GHz
元旭半导体联合清华大学、星火辰光研发的Micro-LED光互联芯片样品，在所采用的测试条件下实测-3dB带宽达到3.5GHz。下一阶段，元旭半导体将围绕器件一致性、阵列集成与封装互连继续研发，并联合合作伙伴推进驱动、接收及光学耦合适配，通过链路测试验证通信能力。
第三代半导体产业网AI 评分5050 中科大孙海定团队AFM：面向高速日盲光通信的微尺度发光与探测二极管几何工程
中国科学技术大学孙海定团队提出沟槽深宽比重构策略，在固定有源面积下提升AlGaN深紫外微二极管的发光、探测与通信性能。NT-diode在50 mA时光输出功率提升约16%，探测响应度提升约17.3%。其数据率达2.688 Gbps，源于接收信号质量改善而非本征调制带宽增加，并完成双向自由空间V2V概念验证。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5252 英伟达评估玻璃基板方案，与SCHMID等企业合作，最快有望2028年前落地
英伟达正在评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，相关方案最快有望于2028年前落地。英伟达希望韩国、日本基板厂商在两年内完成开发，用于下一代高性能AI加速芯片封装，提升集成度并承载更多高带宽内存。SCHMID披露正与英伟达、英特尔、AMD供应链内核心供应商共同开发玻璃基板制造设备，但TGV金属化仍有技术难点，相关产品客户认证尚未完成。
Semiconductor TodayAI 评分4848 东芝推出3300V SiC MOSFET模块
东芝推出IX800FXF2YMS4双SiC MOSFET模块，额定电压3300V、额定电流800A，面向铁路车辆及可再生能源发电等工业设备。该模块采用第三代SiC MOSFET芯片和iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。
粉体圈AI 评分2727 嘉智信诺：打破进口垄断，国产MLCC（镍浆、钛酸钡）浆料分散剂突围
嘉智信诺将于11月3-4日在广东东莞举办的MLCC论坛上，发布用于纳米镍浆和钛酸钡浆料的超分散剂产品。该产品利用空间位阻效应在粉体颗粒表面形成保护层，减少再次团聚，并通过降低颗粒间相互作用改善高固含浆料的流动状态。
Compound SemiconductorAI 评分4444 东芝推出3300V SiC MOSFET模组
东芝推出面向工业设备的双SiC MOSFET模组IX800FXF2YMS4，额定漏源电压为3300V、额定漏极电流（DC）为800A。该模组采用东芝第三代SiC MOSFET芯片及iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升芯片键合部位的耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。
Compound SemiconductorAI 评分3939 Fraunhofer IAF 团队开发 InGaAs-on-Si 宽带放大器
Fraunhofer IAF 开发了 InGaAs-on-Si 宽带分布式放大器芯片，在 4 至 420 GHz 频段实现 11 ± 2 dB 增益。芯片采用栅长为 20 nm 的 HEMT 技术，饱和输出功率为 6 至 8 dBm，适用于数据中心、测量系统和传感器。
Compound SemiconductorAI 评分4444 Coherent 推出面向下一代数据中心的 PhotonLink 平台
Coherent 推出面向下一代 AI 数据中心的集成光学平台 PhotonLink，整合光子技术、组装与测试能力，提供完整光学解决方案。平台支持共封装光学（CPO）、近封装光学（NPO）及新兴芯片间互连。平台收入预计于 CY2026 的 Q4 开始爬坡，公司正扩充 InP 和特种光纤产能。
Semiconductor TodayAI 评分5353 NewPhotonics与Tower开始大批量出货面向AI互连的激光器集成可维护光引擎PIC
NewPhotonics与Tower Semiconductor宣布，面向AI横向扩展和纵向扩展互连的激光器集成可维护光引擎PIC已开始大批量出货。已出货的NPG102支持800G和1.6T，采用每通道200G设计，并依托PH18DA硅光平台异质集成InP器件，在单个PIC上集成激光器、半导体光放大器、调制器和光探测器。
Semiconductor TodayAI 评分6666 安森美发布 Embedded Power Platform，以硅晶圆构建功率系统封装
安森美发布 Embedded Power Platform（EPP），以硅晶圆本身作为封装基础，在晶圆级架构中集成硅、SiC 与 GaN 技术。平台利用其标准12英寸硅晶圆制造能力协同优化电气、热与机械设计，公司称可依应用实现3–5x功率密度，早期固态断路器设计较现有设计尺寸约缩小50%、温度约降低20%，电动车牵引逆变器应用功率密度最高提升至4x、功率损耗降低15%。
Semiconductor TodayAI 评分4343 Avicena 将演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连
Avicena 将在 ECOC 2026 演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连 LightBundle eKit。该实现结合无激光 micro-LED 收发技术与可拆卸光接口，采用 MPO 外形规格及针对多芯光纤束优化的插芯。可拆卸接口可简化系统装配，支持电子与光学子系统独立测试及现场维护。
Semiconductor TodayAI 评分4545 罗姆 SiC 芯片用于宝马“Neue Klasse”Gen 6 电动汽车平台的电驱动系统
罗姆的 SiC 功率半导体芯片已用于宝马“Neue Klasse”Gen 6 电动汽车平台的电驱动系统架构。相关组件支持关键电力电子功能，旨在提升能效并在严苛汽车工况下可靠运行，有助于优化续航里程、充电性能及整车能效。
粉体圈AI 评分6464 Resonac成功开发300mm（12英寸）碳化硅单晶衬底
9月15日，Resonac（力森诺科）宣布成功制造出300mm（12英寸）碳化硅单晶并加工成衬底。公司目前主要供应150mm（6英寸）碳化硅外延晶圆，200mm（8英寸）外延晶圆也已对外出货。300mm（12英寸）碳化硅衬底尚未进入大规模产业化阶段，距离稳定量产、客户送样验证还有较长周期，后续竞争将聚焦晶体良率与加工稳定性。
Semiconductor TodayAI 评分4242 EPC 发布面向 AI 数据中心和先进电机驱动的 GaN 功率转换白皮书
EPC 发布两份技术白皮书，分别探讨 AI 数据中心与高性能多轴电机驱动的 GaN 功率转换方案。数据中心方案中，EPC91123 转换器以 8mm 高度实现 98.2% 峰值效率；电机驱动方案采用 EPC231xx 集成式功率级，简化控制与布线。两份白皮书均提供中英文版本下载。
Semiconductor TodayAI 评分4141 英国 Battalion 与宾夕法尼亚州立大学启动聚焦国家安全的研究合作
英国 Battalion Advanced Technology 与宾夕法尼亚州立大学签署总额最高 $6m 的两项研究协议，开发先进半导体平台及高温材料。协议于7月16日生效，为期三年，研究涵盖半导体与高性能衬底集成，以及耐极端高温、抗氧化合金。半导体项目将探索原子级薄中间层能否改善 GaN 与金刚石、氮化铝等材料的集成。
Semiconductor TodayAI 评分3737 Eggtronic 推出高效率 140W USB-C Power Delivery 参考设计
Eggtronic 推出面向高端笔记本等设备的 140W USB-C Power Delivery 参考设计，效率接近 96%。该平台结合 EPIC™ 控制器与瑞萨 TP70H150G4LSG GaN 器件，在 90VAC 输入下效率为 94.5%，物料成本维持传统 QR 反激转换器水平。参考板现已供应。
Semiconductor TodayAI 评分4747 Besxar 搭乘 SpaceX 完成首次飞行
Besxar 于 5 July 搭乘 SpaceX Falcon 9 完成 Flight-1“Mission Asimov”，两个 Clipper-class 容器完整回收。飞行后测试显示容器表现符合预期，晶圆样品初步分析未见损伤。第二个容器记录飞行数据时出现异常，公司正开展审查，计划在下次飞行前完成处理。
Semiconductor TodayAI 评分7171 DB HiTek完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证
韩国DB HiTek已完成8英寸（200mm）晶圆1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证，计划为2027年量产加快准备。已通过验证的第二代工艺在18V导通栅极电压下，比导通电阻不高于2.5mΩ•cm²、阈值电压不低于3V；第三代工艺仍在验证，目标是在相同栅极电压下实现不高于2.3mΩ•cm²的比导通电阻及至少2.5μs的SCWT，相关PDK计划于11月推出。
Semiconductor TodayAI 评分5555 IVWorks升级AI驱动生产系统，推进GaN外延自主工艺
韩国IVWorks正基于自研DOMM平台升级GaN外延生产系统，从遵循固定流程的自动化向AI判断状态并决定后续动作的自主工艺转型。DOMM已应用于全部量产产线，AI模型分析RHEED及设备数据以判断生长状态与异常，MRA负责从晶圆装载、生长到卸载的工艺执行。
Semiconductor TodayAI 评分3636 Modelithics 发布 Qorvo GaN Library v26.5.11
Modelithics 发布 Qorvo GaN Library v26.5.11，新增 QPD2562L 非线性模型。该型号为 200W GaN 晶体管，模型经 2.5GHz 至 3.5GHz 多频点负载牵引测量验证。库内所有 GaN 模型新增对 Keysight ADS 2027 的兼容支持。