Besxar 搭乘 SpaceX 完成首次飞行
Besxar 于 5 July 搭乘 SpaceX Falcon 9 完成 Flight-1“Mission Asimov”，两个 Clipper-class 容器完整回收。飞行后测试显示容器表现符合预期，晶圆样品初步分析未见损伤。第二个容器记录飞行数据时出现异常，公司正开展审查，计划在下次飞行前完成处理。
全部制造动态
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今日 2 条Semiconductor TodayAI 评分4747 Semiconductor TodayAI 评分4242 Ayar Labs将2026年融资总额增至$650m，推动面向AI跨机架扩展的CPO规模化制造
Ayar Labs新增融资$150m，使2026年融资总额达到$650m，支持面向AI跨机架扩展的CPO向大批量制造过渡。资金将用于产品开发、验证、制造生态扩展及开设班加罗尔设计中心。公司另披露，纬颖今年早些时候进行了战略投资。
Semiconductor TodayAI 评分3131 以太网联盟在 ECOC 举办多厂商互操作性演示
以太网联盟将在 ECOC 2026 举办多厂商现场互操作性演示，覆盖 400G、800G 和 1.6T 以太网。计划演示内容包括 1.6T OSFP 连接，以及采用 224G SerDes 技术和链路训练的 1.6T 运行。800G AI 无损链路演示还将探索链路协商、链路层重试（LLR）和基于信用的流量控制（CBFC）。
Semiconductor TodayAI 评分3838 英飞凌与 SolarEdge 将合作扩展至面向 800VDC AI 数据中心的固态断路器技术
英飞凌与 SolarEdge 将合作扩展至固态断路器（SSCB）技术，为 800VDC AI 数据中心高压直流配电提供保护。SolarEdge 主导方案设计，英飞凌提供作为保护器件核心的 SiC JFET 技术。该断路器设计用于在几微秒内切断故障，补足固态变压器与计算机架之间配电层的保护环节。
Semiconductor TodayAI 评分7171 DB HiTek完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证
韩国DB HiTek已完成8英寸（200mm）晶圆1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证，计划为2027年量产加快准备。已通过验证的第二代工艺在18V导通栅极电压下，比导通电阻不高于2.5mΩ•cm²、阈值电压不低于3V；第三代工艺仍在验证，目标是在相同栅极电压下实现不高于2.3mΩ•cm²的比导通电阻及至少2.5μs的SCWT，相关PDK计划于11月推出。
Semiconductor TodayAI 评分5454 IQE 2026年上半年营收同比增长43%，AI数据中心、先进传感、无线及国防需求驱动
外延片和衬底制造商IQE 2026年上半年营收达£64.6m，同比增长43%，高于预期，增长由AI数据中心基础设施、先进传感、无线及国防需求支撑。无线业务营收增长40%至£26m，光子业务增长45%至£38.5m；产品组合及产能利用率改善推动毛利率提升，调整后EBITDA由上年同期的–£0.4m增至£6m。
艾邦半导体网AI 评分2929 【邀请函】第五届陶瓷封装（HTCC/LTCC/DPC）产业论坛（12月24日·嘉兴）
艾邦智造携手佳利电子将于2026年12月24日在浙江嘉兴举办第五届陶瓷封装（HTCC/LTCC/DPC）产业论坛。论坛聚焦陶瓷封装新材料、新技术与新应用，拟定议题涵盖光模块用陶瓷封装外壳与基板、HTCC半导体封装应用及LTCC封装技术等。
Semiconductor TodayAI 评分5555 IVWorks升级AI驱动生产系统，推进GaN外延自主工艺
韩国IVWorks正基于自研DOMM平台升级GaN外延生产系统，从遵循固定流程的自动化向AI判断状态并决定后续动作的自主工艺转型。DOMM已应用于全部量产产线，AI模型分析RHEED及设备数据以判断生长状态与异常，MRA负责从晶圆装载、生长到卸载的工艺执行。
Semiconductor TodayAI 评分3636 AI 模型每两年扩大约100倍，Yole 分析瓶颈从计算转向通信
Yole Group 在《Photonics at the Speed of AI》白皮书中指出，AI 扩展瓶颈正从计算转向通信，光收发器已成为系统级需求。AI 模型每两年增长约100倍，计算能力仅提升约3.3倍，推动互连数量同期增加约70倍。铜互连仍在延伸应用，CPO 则在专有交换平台上进入有限商业部署。
Semiconductor TodayAI 评分3636 Modelithics 发布 Qorvo GaN Library v26.5.11
Modelithics 发布 Qorvo GaN Library v26.5.11，新增 QPD2562L 非线性模型。该型号为 200W GaN 晶体管，模型经 2.5GHz 至 3.5GHz 多频点负载牵引测量验证。库内所有 GaN 模型新增对 Keysight ADS 2027 的兼容支持。
Semiconductor TodayAI 评分4141 RF GaN 技术趋于成熟，专利活动放缓
KnowMade 的报告显示，RF GaN 技术趋于成熟，整体专利活动放缓，但部分技术领域和地区的竞争加剧。GaN-on-SiC 仍是高功率应用的主流平台，GaN-on-Si 则在 8-inch 制造支持下迈向早期产业化。MACOM 接收 Wolfspeed 的 RF 业务及相关专利资产后，强化了器件、封装和电路领域的专利布局。
Semiconductor TodayAI 评分5858 5N+获选获得US$7.3m资助，拟在美国建立国防用GaAs组件生产能力
5N+获美国战争部选定，将获得US$7.3m资助，拟在犹他州St. George工厂建立国防用GaAs组件生产能力。公司计划增配晶体生长和GaAs合成设备，并建立必要的工艺控制与检测能力，以弥补美国目前缺乏合格本土GaAs电光组件供应源的缺口。5N+将与初始客户洛克希德·马丁完成产品认证，再推进受控的低速率生产，后续可能达成生产协议。
Semiconductor TodayAI 评分6666 Sivers投资$30m扩建格拉斯哥InP工厂，目标CW DFB激光器年产能超过100 million只
Sivers Semiconductors宣布投资$30m扩建英国苏格兰格拉斯哥InP制造设施，预计支持CW DFB激光器年产量超过100 million只。扩建将于2026年下半年启动，预计2027年第四季度投入运营，并增加工艺能力、自动化程度及制造灵活性。该项目面向AI数据中心和光网络需求增长，推动公司从轻晶圆厂制造模式转向结合自有制造与外部代工、封装及制造伙伴的混合制造策略。
Semiconductor TodayAI 评分5252 IQE与Quintessent签订采购协议，支持量子点激光器技术进入客户送样阶段
IQE宣布与Quintessent签订量子点激光器（QDL）外延片采购协议，将供应6英寸砷化镓（GaAs）外延片，支持客户送样。此次合作延续了2025年1月的战略公告及采购订单，IQE将通过其foundry-ready服务供货，支持Quintessent推进商业部署和新产品导入。
Semiconductor TodayAI 评分2323 ATEK MIDAS 将在 EuMW 展示 MMIC 和定制 IC
ATEK MIDAS 将在伦敦举行的 EuMW 2026 展会上展示 MMIC 产品及定制 IC 设计服务，展位为 L108。展品涵盖开关及数字可调滤波器、GaN 功率放大器、低噪声放大器和大功率开关。现场团队将讨论定制 IC 开发项目及频率覆盖至 100GHz 的标准产品方案。
Semiconductor TodayAI 评分2727 Vector Photonics 将参展 ECOC 2026
Vector Photonics 将参展在西班牙马拉加举行的 ECOC 2026，在1468号展位探讨其 PCSEL 技术如何消除 AI 数据中心的通信瓶颈。公司今年早些时候首次在实验室外演示了基于 PCSEL 的自由空间光通信，目前正为扩大技术规模、实现工业和商业部署做准备。
Semiconductor TodayAI 评分3333 英飞凌与 Skeleton 合作开发固态变压器和 sidecar 系统，提升 AI 数据中心供电韧性
英飞凌与 Skeleton Technologies 签署合作谅解备忘录，拟共同开发固态变压器和高功率 sidecar 系统，提升 AI 数据中心供电韧性。双方拟结合 CoolSiC 功率半导体与超级电容技术，探索中压 AC 至高压 DC 转换，并合作开发采用 CoolGaN 功率半导体的削峰系统。
Semiconductor TodayAI 评分6161 诺斯罗普·格鲁曼获 DARPA $7m 合同，研发金刚石散热芯片
诺斯罗普·格鲁曼获得 DARPA THREADS 项目第二阶段的 $7m 合同，将研发面向军用雷达与通信的金刚石散热芯片。公司与斯坦福大学合作，在器件背面的微通道内生长金刚石层以导出热点热量，并已完成采用金刚石作为半导体材料的高功率测试。第一阶段实现了 3.3x 的功率提升，第二阶段计划将功率密度再提高至三倍，以支持更强的 RF 发射器及卫星通信链路。
Semiconductor TodayAI 评分6464 Navitas美国制造Gen 5 GaNFast产品将于9月从GlobalFoundries开始出货
Navitas宣布，与GlobalFoundries合作的美国制造Gen 5 GaNFast产品将于9月开始首批晶圆出货。该系列采用GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的200mm硅基GaN制造平台，面向AI基础设施、高性能计算、工业电气化及关键国家安全应用。
粉体圈AI 评分5353 总投资3.18亿元，盛立新材纳米镍粉项目签约落地英德
广州盛立新材料有限公司纳米镍粉项目近日签约落地英德，总投资3.18亿元，分两期建设。一期投资9000万元，建设年产240吨纳米镍粉生产线，达产后预计年产值4.8亿元；二期计划投资超2亿元，建设年产360吨纳米镍粉、纳米铜粉产线，达产后预计年产值12亿元。项目采用液相化学还原法，纳米镍粉用于MLCC内电极浆料，计划为珠三角电子信息产业集群提供上游关键材料配套。
Semiconductor TodayAI 评分3838 安世半导体探索与 Aurobay 开展面向电动化动力总成的功率半导体合作
安世半导体将探索与 Aurobay Technologies 开展汽车功率半导体战略合作，面向下一代电动化及混合动力汽车平台。Aurobay 已在用于增程器的高度集成发电系统中部署安世半导体 GaN 器件。双方拟结合 GaN、SiC 技术与动力总成集成能力，评估牵引逆变器及发电系统的架构优化机会。
Semiconductor TodayAI 评分3232 Vexlum 任命 Erik McKee 为美洲总裁
芬兰激光系统制造商 Vexlum 任命 Erik McKee 为美洲总裁，负责北美和南美的运营与增长。他将常驻科罗拉多州丹佛，支持量子、半导体、航天及医疗等领域不断增长的激光技术需求。McKee 拥有逾十年的科研及工业激光解决方案经验，专长覆盖 UV 至中红外波段。
Semiconductor TodayAI 评分2929 Cree LED与Promier Products通过有限许可协议解决专利纠纷
Cree LED与Promier Products达成和解，通过有限许可协议解决涉及便携式照明产品所用LED组件的专利侵权纠纷。作为和解的一部分，Cree LED向以LitezAll名义经营的Promier Products授予部分LED组件专利的有限许可。
粉体圈AI 评分4343 “半导体陶瓷新材料”与“高温合金陶瓷”两大先进陶瓷项目签约落户德化
德化县先进陶瓷产业园招商专场签约“半导体陶瓷新材料”和“高温合金陶瓷”两大项目。领德集团（亚洲）有限公司签约项目主要研发生产集成电路陶瓷基板、芯片封装陶瓷材料、MLCC陶瓷电容、陶瓷电路板基材，并提供配套检测服务。福建泰启汇能科技有限公司签约的高温合金陶瓷项目主攻1650 ℃高温陶瓷产品。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分5757 Semiverse Solutions 仿真分析前馈控制如何减少半导体晶圆报废
Semiverse Solutions 团队使用 SEMulator3D 仿真光刻至刻蚀流程，前馈控制使刻蚀后 Cpk 从 0.2854 提高至 0.7135，晶圆通过率从 60.82% 提高至 96.77%。
粉体圈AI 评分6363 星翰微纳总投资11亿元、年产2000吨电子元器件专用功能材料项目在常州金坛开工
8月15日，星翰微纳年产2000吨电子元器件专用功能材料项目在常州金坛经济开发区开工，总投资11亿元。项目由常州星翰微纳科技有限公司分期建设，规划年产微纳米铜粉300吨、微纳米镍粉700吨及高低温电子导电浆料各500吨。项目依托企业自主研发的“粉浆一体化”技术，面向5G通信、半导体封装、新能源汽车电子、光伏等应用领域。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分7070 半导体测量结果能保持有效多久？
半导体测量结果没有统一有效期，器件结构、环境、测量路径或失效机理认知变化后，原本准确的数据可能不再适合当前决策。图形化、键合、热暴露、安装及接触件磨损等应成为复核触发条件，而非仅依赖固定校准周期。跨测试环节保留参数值、规格余量及硬件、软件和温度等条件，可帮助重新解释早期结果、定位受影响器件，减少大范围复测或隔离。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分4343 SEMI报告：2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%
SEMI旗下SMG发布报告，2026年第二季度全球硅晶圆出货量达3573百万平方英寸，同比增长7.4%，环比增长9.1%。AI相关需求从先进逻辑和存储领域扩展至功率器件、光电子及其他市场。工业和汽车需求正在复苏，存储器价格压力则限制了PC和智能手机需求。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分6969 细间距混合键合能否实现大规模量产？
细间距混合键合具备大规模量产可能，但关键在于跨工序维持统一工艺窗口，而非仅验证键合机制或提高设备对准精度。芯粒到晶圆键合可筛选已知良品芯粒，却牺牲晶圆级并行效率，并叠加颗粒、表面形貌、翘曲和逐颗放置误差；受访者认为6 µm间距可能较长时间保持商业可行性，1 µm仍是更长期目标。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分3737 ESDA报告：2026年第一季度电子系统设计产业销售额达57亿美元
SEMI旗下ESDA发布报告，2026年第一季度电子系统设计产业销售额达57.478亿美元，同比增长12.7%。所有产品类别销售额均增长，其中CAE增长15.5%，SIP增长14.1%。区域方面，EMEA和亚太地区分别增长17.6%和17.7%，日本下降9.9%。
粉体圈AI 评分2626 福建臻璟与您相约第四届无锡研磨抛光材料及加工技术论坛
福建臻璟将以支持单位身份参与粉体圈于2026年7月15–16日在江苏·无锡举办的第四届精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛。论坛围绕磨料制备、工艺创新、抛光装备与产业应用展开研讨。福建臻璟主营氮化硅陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板及高纯氮化铝粉等产品。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分5858 SEMI与TechSearch International联合发布2026版《全球封装测试厂数据库》
SEMI与TechSearch International于美国加州时间2026年7月7日发布2026版《全球封装测试厂数据库》，覆盖超过820座工厂。数据库追踪IDM和OSAT企业的半导体后端制造，覆盖量较2025版的750座增加，并新增材料、终端市场、基板与中介层平台等字段。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分6565 半导体测试系统为何会给出具有误导性的测试结果
半导体测试系统的插座、负载板与温控回路会影响测量，使电气上有效的临界结果仍可能误导器件缺陷诊断。区分器件与测试系统问题，需要追踪故障是否随器件或硬件位置迁移，并关联测试裕量、方差、校准历史和热状态，而非只看通过、失败或分档。X-ray、声学和光学检测及片上传感器可提供交叉核查依据，跨测试环节保留器件与设备上下文有助于识别先进封装中的误通过、误失败及误降档。
SEMI 中国·热点新闻精选AI 评分6464 SEMI预测2026年全球300mm存储设备投资增长29%至520亿美元
SEMI《300mm晶圆厂展望报告》预测，2026年全球300mm晶圆厂存储领域设备投资将增长29%至520亿美元，2027年再增11%至570亿美元。受AI驱动的HBM、DDR5及数据存储需求支撑，2026年DRAM设备支出预计增长29%至370亿美元，3D NAND设备支出预计增长28%至140亿美元。
推荐理由：报告将存储设备支出增长与有效产能温和增长并置，有助于区分技术迁移带来的投资需求与新增晶圆产能的扩张。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分6363 为什么模拟与混合信号芯片难以采用自适应测试
模拟与混合信号芯片难以采用自适应测试，关键在于合格输出常是一个范围，且正常工艺波动、边缘失效与测试路径误差难以区分。1 月发布的 IEEE 2427-2025 为模拟缺陷建模与覆盖率评估提供了更一致的框架，但缩短或移除测试仍需确认剩余测量能够保留有效缺陷覆盖。Kelvin 连接、精确温控以及上游量测与下游电气表现的可靠关联，可为区分测量误差与器件偏差、判断测试冗余提供依据。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分3636 SEMI与GNC联合发布玻璃核心基板市场与发展趋势报告
SEMI与GNC联合发布《玻璃核心基板市场与发展趋势报告》，预测2028年至2040年玻璃核心基板复合年增长率达67.2%。该技术受AI和HPC驱动，预计2028年左右在部分高性能应用领域率先启动。报告分析了市场前景、技术驱动因素及商业化障碍，涵盖基板、玻璃材料、设备、加工、检测等供应链环节。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分3636 SEMI报告：2025年全球半导体材料市场销售额创下732亿美元历史新高
SEMI报告显示，2025年全球半导体材料市场销售额同比增长6.8%，达到732亿美元。晶圆制造材料销售额增长5.4%至458亿美元，封装材料销售额增长9.3%至274亿美元。中国台湾地区以217亿美元连续第16年保持全球最大消费地区位置，中国大陆以156亿美元排名第二。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分5454 特色半导体器件发展系列第三篇：如何解决 MEMS、光子器件与共封装光学的工艺控制挑战
MEMS、CMOS 图像传感器、SiC 与 GaN 功率器件及共封装光学（CPO）的工艺控制，可通过跨设备、跨层及跨工序关联量测与检测数据改善。RF BAW 案例将在线厚度量测与逐片修整反馈闭环结合，使晶圆内不均匀性降低一个数量级；功率器件案例结合衬底与外延缺陷图及电阻率测量，识别纵向传播且低电阻率的致命缺陷。
粉体圈AI 评分2727 纳米粉体在陶瓷材料中的应用：从微观革命到宏观革新
纳米粉体通过增韧、促进致密化烧结和细化晶粒，提升陶瓷材料的力学性能与功能特性。在氧化铝基体中添加适量纳米SiC颗粒，可使抗弯强度提升30%-80%。成型与烧结需重点控制粉体分散、硬团聚及气孔缺陷，并通过低温或快速烧结抑制晶粒生长。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分5454 特色器件增长系列第二篇：MEMS、共封装光学等器件面临哪些工艺控制挑战
MEMS、CMOS图像传感器、SiC与GaN功率器件及共封装光学的规模化制造，均面临各自的形貌、膜厚、均匀性和缺陷控制挑战。CIS器件高度为6µm至10µm，像素隔离沟槽约100nm宽；SiC已采用200mm晶圆生产，部分厂商开始生产用于发挥材料导热特性的300mm SiC晶圆，而GaN更早转向300mm晶圆。