英伟达入局，3D DRAM存算一体迎来产业化拐点
英伟达9月10日宣布将d-Matrix下一代Raptor推理XPU接入其AI基础设施体系，该芯片采用3D DRAM堆叠架构。3D集成与存算一体结合，有望缩短数据传输距离并降低搬运开销。亿铸正推进3D DRAM与通用存算一体架构协同设计，探索面向云端AI推理的产品化路径。
#先进封装
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今日 0 条第三代半导体产业网AI 评分2727 第三代半导体产业网精选AI 评分7676 星辰技术先进封装二期在光谷通线，报道指为国内首条3D先进封装量产线
9月30日，湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目在光谷正式通线，报道将其称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元，二期自2025年10月开工，历时11个月达成通线节点。二期补齐2.5D中试能力，使公司同时具备2.5D和3D先进封装技术；产线全面建成后，可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产，以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。
推荐理由：二期将芯片中试与风险量产、国产设备材料验证纳入同一平台，为理解先进封装产线如何衔接工艺开发与量产提供了具体案例。
第三代半导体产业网AI 评分2929 IFWS&SSLCHINA 2026将于11月苏州启幕，首批嘉宾名单出炉
IFWS&SSLCHINA 2026将于2026年11月16-19日在江苏苏州召开，首批嘉宾名单已公布。论坛设置1场主论坛、6大主题方向，议题覆盖碳化硅衬底与器件、氮化镓功率与射频、车规级器件可靠性验证及先进封装等，同期举办2026先进半导体技术应用创新展。
艾邦半导体网AI 评分6868 TOPPAN新加坡FC-BGA基板工厂开业，计划2026年12月开始生产
TOPPAN新加坡FC-BGA基板工厂于2026年9月29日举行开业典礼，计划2026年12月开始生产。该厂是TOPPAN首个FC-BGA基板海外生产基地，拥有约70,000平方米设施及200名以上工程师和技术人员，聚焦生成式AI、机器学习和大型网络交换机所需的大型高多层基板。
艾邦半导体网AI 评分6767 广州广芯半导体先进封装基板项目在中新广州知识城动工
9月29日，广州广芯半导体先进封装基板项目在中新广州知识城动工，目标产品为高阶FCBGA封装基板。项目首期占地面积312亩，总建筑面积约36万平方米，产品应用领域包括数据中心、高性能计算（HPC）和云计算。项目建成后，将进一步提升广州广芯在高阶封装基板领域的技术能力与产能规模。
Compound SemiconductorAI 评分4747 瑞萨推出采用双面冷却封装的650V GaN器件
瑞萨推出业内首款双面冷却650V GaN器件TP65H020G4PLSGBD，面向800V HVDC AI数据中心电源转换。该器件导通电阻为20 mΩ，采用8 x 8mm PQFN封装，顶部热阻降低10 percent，占板面积较TOLT封装缩小57 percent。目前已送样，计划于2027年中量产。
艾邦半导体网AI 评分7171 工研院验证基于玻璃载板的面板级中介层，面向2.5D先进IC封装
工研院在2025 IEEE第75届ECTC会议论文中，完成基于玻璃载板的RDL先制与芯片先制两种面板级中介层工艺验证。样件采用37 cm × 47 cm母板，最小线宽/线距达到3 μm/3 μm，通过平衡薄膜将翘曲控制在约0.1 mm，并结合AOI偏移数据与DDC™数字动态连接技术调整通孔和布线图形。
艾邦半导体网AI 评分7373 三星电机投资约6.78万亿韩元扩产AI服务器用FCBGA基板
三星电机计划在世宗生产基地和越南子公司共计投资约6.78万亿韩元，扩大AI服务器用FCBGA基板产能。世宗基地投资4.27万亿韩元，投资期间为2026年9月至2028年5月；越南子公司扩建设备投资约2.51万亿韩元，目标为2030年6月完工并投产。此次投资包含客户资金支持和中长期订单保障，世宗基地侧重高附加值、高难度产品量产，越南基地侧重全球订单供应及生产效率提升。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分6666 日本凸版与博通合资封装基板新厂在新加坡投产
日本凸版控股与博通合资的Advanced Substrate Technologies（AST）封装基板新厂于9月29日在新加坡正式投产，比原计划提前约三个月。
推荐理由：新加坡工厂与日本新潟生产中心的互补布局，为理解凸版与博通如何通过新增产能缓解先进基板供应不足提供了具体案例。
艾邦半导体网AI 评分5050 英伟达正在评估玻璃基板方案，联合设备商攻关
英伟达正评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，希望基板厂商在两年内完成开发，最快于2028年前导入应用。SCHMID正与英特尔、英伟达、AMD的核心供应商共同开发相关设备，但玻璃通孔（TGV）金属化仍有技术难题，客户认证尚未完成。
艾邦半导体网AI 评分6969 海极半导体完成TGV玻璃基M-LED系列产品开发，七款产品自10月起推向市场
海极半导体宣布完成TGV玻璃基M-LED全类工艺及第一代系列产品开发，直显、透明显示、MiP三类共七款产品自10月起推向市场。此次点亮产品为13.5寸P0.78玻璃基M-LED，其产线采用730mm×920mm玻璃基板，TGV通孔深宽比10:1、最小孔径10μm，线路精度L/S 8μm/8μm。
中国粉体网AI 评分1919 先进硅基材料发展现状及趋势
国内先进硅基材料产业已具备一定产能基础，但高端产品供给、精细加工、原料提纯及产品稳定性仍存在短板。IC/EMC球形硅微粉在芯片环氧塑封料中质量占比可达70%~90%，高端产品仍面临国产化攻坚压力。全球高端高纯石英市场仍由海外龙头主导，国内半导体、光通信领域高端石英制品亟待国产化替代。
Semiconductor TodayAI 评分4646 英国启动 Semiconductor Catapult，强化 AI 硬件与国防自主能力
英国启动 Semiconductor Catapult，旨在强化 AI 硬件与国防自主能力，并加速半导体技术商业化。该机构由 CSA Catapult 于今年夏季转型而来，提供供应链整合、设计、系统测试与验证服务。其重点领域涵盖先进封装与异构集成、功率电子与热管理、光子学与光互连，以及 RF 与混合信号集成。
第三代半导体产业网AI 评分2828 长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布
长飞先进正式发布功率半导体PCB嵌入式技术白皮书，介绍面向下一代车规主驱的功率半导体封装技术路径。该技术将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互联导热，降低寄生参数与热阻，提升功率密度与可靠性。
Compound SemiconductorAI 评分4646 英国启动 Semiconductor Catapult，强化半导体供应链
英国启动 Semiconductor Catapult，为企业提供设计、集成、测试与验证支持，强化本土半导体供应链并加速技术商业化。其重点覆盖先进封装与异构集成、功率电子与热管理、光子学与光互连、RF 与混合信号集成。首阶段将建立集成就绪能力及核心硅技术能力，第二阶段将展示系统级集成及规模化、小批量生产路径。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7272 世界先进与恩智浦合资VSMC新加坡12英寸晶圆厂启用，一期产能获长单锁定
9月28日，世界先进与恩智浦合资企业VSMC位于新加坡淡滨尼的12英寸（300mm）晶圆厂举办启用仪式，一期全部产能已提前签订长期订单。项目总投资67亿美元，采用台积电授权的130nm至40nm制程，产品涵盖模拟芯片、电源管理芯片、混合信号芯片，并布局硅中介层产能。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7171 三星电机计划投资4.27万亿韩元扩建韩国世宗封装基板产线
三星电机董事会于9月28日批准投资4.27万亿韩元扩建韩国世宗工厂封装基板设施，重点建设面向AI服务器的FC-BGA产线。项目包含厂房新建与设备添置，投资周期为2026年9月28日至2028年5月31日，规划2028年9月启动量产；加上越南基地配套投资，两地合计规划投资6.78万亿韩元。
第三代半导体产业网AI 评分5454 阿基米德半导体金刚石集成碳化硅功率模块实现首批样品交付
阿基米德半导体于2026年8月交付首批“Diamond Inside”碳化硅功率模块正式样品订单，客户为国内一家电动飞行器企业，产品将装机进入其动力系统。模块采用DCM封装，将金刚石复合材料作为底板嵌入封装结构，而非外部贴附热沉片。材料称，该方案可使散热由传统Pinfin水冷改为平板风冷，减少冷却附件及底板重量，并通过与SiC芯片更匹配的热膨胀系数降低热应力与界面疲劳风险。
第三代半导体产业网AI 评分4141 元旭半导体Micro-LED光互联芯片实测-3dB带宽达3.5GHz
元旭半导体联合清华大学、星火辰光研发的Micro-LED光互联芯片样品，在所采用的测试条件下实测-3dB带宽达到3.5GHz。下一阶段，元旭半导体将围绕器件一致性、阵列集成与封装互连继续研发，并联合合作伙伴推进驱动、接收及光学耦合适配，通过链路测试验证通信能力。
第三代半导体产业网AI 评分4949 晶合光电“画芯一号”Micro-LED数字光源芯片通过AEC-Q102车规认证
晶合光电“画芯一号”Micro-LED数字光源芯片近期在美国倍科实验室（BACL）见证下，通过AEC-Q102车规可靠性认证。公司首个定点整车项目已启动，采用自主设计的Micro-LED光源板，正与合作伙伴推进全链条开发、产品验证与产线筹备。
第三代半导体产业网AI 评分3232 亿铸科技亮相2026全球AI芯片峰会，系统阐释通用存算一体三大定律
亿铸科技创始人熊大鹏亮相2026全球AI芯片峰会，从数据搬运、软件生态和异构协同三个维度阐释通用存算一体三大定律。公司基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片已流片，完成从理论架构到芯片硬件的全链路验证。其方案在大模型推理场景、同等业务规模下，推理算力综合TCO最高可下降约88%。
第三代半导体产业网AI 评分3030 彭寿院士：夯实电子信息材料根基，赋能电子信息产业高质量发展
彭寿院士提出，应优先夯实电子信息材料基础能力，以材料创新牵引产业升级，保障产业链供应链安全。“十五五”阶段需从单点技术突破转向全链条体系化能力建设，构建研发、中试、量产与应用反馈闭环。重点加强半导体、新型显示及封装材料攻关，建设中试与应用验证平台，推动上下游协同验证。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5252 英伟达评估玻璃基板方案，与SCHMID等企业合作，最快有望2028年前落地
英伟达正在评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，相关方案最快有望于2028年前落地。英伟达希望韩国、日本基板厂商在两年内完成开发，用于下一代高性能AI加速芯片封装，提升集成度并承载更多高带宽内存。SCHMID披露正与英伟达、英特尔、AMD供应链内核心供应商共同开发玻璃基板制造设备，但TGV金属化仍有技术难点，相关产品客户认证尚未完成。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7474 高塔半导体拟投资约40亿美元扩产日本，打造AI光通讯芯片基地
高塔半导体计划投资约40亿美元，分两阶段扩充日本硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应AI基础设施需求。第一阶段将新潟县荒井Fab 6改为300mm硅光子与先进光学封装厂，并提升富山县鱼津Fab 7的SiGe与SiPho产能，预计2027年第四季具备全面量产准备；第二阶段将在Fab 7旁新建300mm晶圆厂，扩大SiGe EIC与SiPho PIC产能，为后续导入CPO铺路。
粉体圈AI 评分6262 先进封装为何需要负膨胀（NTE）抗翘曲填料：材料路线与产业化进展浅析
先进封装用负膨胀（NTE）填料通过升温收缩抵消树脂热膨胀，为兼顾抗翘曲与高导热提供配方思路，但也带来工艺适配挑战。二氧化硅高填充会挤占高导热填料空间并增加黏度，文章对比了钨酸锆、钒酸铜、BNFO及三菱化学M-Filleris™的性能与应用限制。
Compound SemiconductorAI 评分4444 Coherent 推出面向下一代数据中心的 PhotonLink 平台
Coherent 推出面向下一代 AI 数据中心的集成光学平台 PhotonLink，整合光子技术、组装与测试能力，提供完整光学解决方案。平台支持共封装光学（CPO）、近封装光学（NPO）及新兴芯片间互连。平台收入预计于 CY2026 的 Q4 开始爬坡，公司正扩充 InP 和特种光纤产能。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5757 礼鼎半导体深圳先进IC载板制造基地开工，计划总投资不低于120亿元
9月19日，礼鼎半导体第二园区先进IC载板数智化制造基地在深圳宝安区落地，计划总投资不低于120亿元。项目规划占地面积约15.72公顷，将分两期建设数座现代化工厂，重点布局FCBGA等IC载板产品，面向人工智能、高性能计算及网络通信领域。这是近2个月以来宝安区落地的第二个百亿级PCB项目，此前鹏鼎控股已公告拟投资100亿元建设第三园区人工智能高阶类载板及柔性电路板智造基地。
粉体圈AI 评分2727 冯朝阳博士：纳米铜在印刷电子以及集成电路上的应用探索（报告）
苏州长湖纳米科技有限公司技术总监冯朝阳博士将于9月21-22日在苏州纳米金属论坛分享纳米铜在印刷电子及集成电路上的应用探索报告。报告涵盖抗氧化纳米铜粉批量制备、低温烧结浆料配方优化，以及面向FPC柔性集成电路印刷和先进芯片封装的工艺适配。
Semiconductor TodayAI 评分6666 安森美发布 Embedded Power Platform，以硅晶圆构建功率系统封装
安森美发布 Embedded Power Platform（EPP），以硅晶圆本身作为封装基础，在晶圆级架构中集成硅、SiC 与 GaN 技术。平台利用其标准12英寸硅晶圆制造能力协同优化电气、热与机械设计，公司称可依应用实现3–5x功率密度，早期固态断路器设计较现有设计尺寸约缩小50%、温度约降低20%，电动车牵引逆变器应用功率密度最高提升至4x、功率损耗降低15%。
艾邦半导体网AI 评分3535 【邀请函】第五届玻璃基板TGV暨先进封装产业链高峰论坛
艾邦半导体将于2027年3月18-19日在江苏·苏州举办第五届玻璃基板TGV暨先进封装产业链高峰论坛。论坛拟围绕TGV成型、通孔金属化、良率提升、检测与量测及先进封装应用等议题，汇聚材料、设备、制造、封装和应用环节代表，探讨技术进展与产业链协同路径。
艾邦半导体网AI 评分3535 第5届玻璃基板TGV与先进封装产业链高峰论坛
艾邦半导体将于2027年3月18–19日在江苏苏州举办第5届玻璃基板TGV与先进封装产业链高峰论坛。论坛将汇聚材料、设备、制造、封装及终端应用领域专家和企业代表，围绕TGV技术进展、工艺难点、市场趋势与产业链协作展开交流。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分2727 AI 开启新周期：2026年全球及中国半导体产业发展现状与展望
SEMI 中国总裁冯莉在 IC WORLD 大会上指出，AI 正推动全球半导体产业进入新增长周期。她援引 WSTS 数据预测，2026 年全球半导体市场规模将超过 1.6 万亿美元，年增长率 108%。AI 算力、存储革命和技术驱动产业升级构成三大趋势，先进制程与先进封装共同推动性能与成本优化。
Semiconductor TodayAI 评分4242 Ayar Labs将2026年融资总额增至$650m，推动面向AI跨机架扩展的CPO规模化制造
Ayar Labs新增融资$150m，使2026年融资总额达到$650m，支持面向AI跨机架扩展的CPO向大批量制造过渡。资金将用于产品开发、验证、制造生态扩展及开设班加罗尔设计中心。公司另披露，纬颖今年早些时候进行了战略投资。
艾邦半导体网AI 评分2929 【邀请函】第五届陶瓷封装（HTCC/LTCC/DPC）产业论坛（12月24日·嘉兴）
艾邦智造携手佳利电子将于2026年12月24日在浙江嘉兴举办第五届陶瓷封装（HTCC/LTCC/DPC）产业论坛。论坛聚焦陶瓷封装新材料、新技术与新应用，拟定议题涵盖光模块用陶瓷封装外壳与基板、HTCC半导体封装应用及LTCC封装技术等。
Semiconductor TodayAI 评分3636 AI 模型每两年扩大约100倍，Yole 分析瓶颈从计算转向通信
Yole Group 在《Photonics at the Speed of AI》白皮书中指出，AI 扩展瓶颈正从计算转向通信，光收发器已成为系统级需求。AI 模型每两年增长约100倍，计算能力仅提升约3.3倍，推动互连数量同期增加约70倍。铜互连仍在延伸应用，CPO 则在专有交换平台上进入有限商业部署。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分7070 半导体测量结果能保持有效多久？
半导体测量结果没有统一有效期，器件结构、环境、测量路径或失效机理认知变化后，原本准确的数据可能不再适合当前决策。图形化、键合、热暴露、安装及接触件磨损等应成为复核触发条件，而非仅依赖固定校准周期。跨测试环节保留参数值、规格余量及硬件、软件和温度等条件，可帮助重新解释早期结果、定位受影响器件，减少大范围复测或隔离。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分6969 细间距混合键合能否实现大规模量产？
细间距混合键合具备大规模量产可能，但关键在于跨工序维持统一工艺窗口，而非仅验证键合机制或提高设备对准精度。芯粒到晶圆键合可筛选已知良品芯粒，却牺牲晶圆级并行效率，并叠加颗粒、表面形貌、翘曲和逐颗放置误差；受访者认为6 µm间距可能较长时间保持商业可行性，1 µm仍是更长期目标。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分5858 SEMI与TechSearch International联合发布2026版《全球封装测试厂数据库》
SEMI与TechSearch International于美国加州时间2026年7月7日发布2026版《全球封装测试厂数据库》，覆盖超过820座工厂。数据库追踪IDM和OSAT企业的半导体后端制造，覆盖量较2025版的750座增加，并新增材料、终端市场、基板与中介层平台等字段。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 评分6565 半导体测试系统为何会给出具有误导性的测试结果
半导体测试系统的插座、负载板与温控回路会影响测量，使电气上有效的临界结果仍可能误导器件缺陷诊断。区分器件与测试系统问题，需要追踪故障是否随器件或硬件位置迁移，并关联测试裕量、方差、校准历史和热状态，而非只看通过、失败或分档。X-ray、声学和光学检测及片上传感器可提供交叉核查依据，跨测试环节保留器件与设备上下文有助于识别先进封装中的误通过、误失败及误降档。
SEMI 中国·热点新闻AI 评分3636 SEMI与GNC联合发布玻璃核心基板市场与发展趋势报告
SEMI与GNC联合发布《玻璃核心基板市场与发展趋势报告》，预测2028年至2040年玻璃核心基板复合年增长率达67.2%。该技术受AI和HPC驱动，预计2028年左右在部分高性能应用领域率先启动。报告分析了市场前景、技术驱动因素及商业化障碍，涵盖基板、玻璃材料、设备、加工、检测等供应链环节。