先进硅基材料发展现状及趋势
国内先进硅基材料产业已具备一定产能基础，但高端产品供给、精细加工、原料提纯及产品稳定性仍存在短板。IC/EMC球形硅微粉在芯片环氧塑封料中质量占比可达70%~90%，高端产品仍面临国产化攻坚压力。全球高端高纯石英市场仍由海外龙头主导，国内半导体、光通信领域高端石英制品亟待国产化替代。
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今日 4 条中国粉体网AI 评分1919 粉体圈AI 评分5454 GB/T 47097-2026《氮化铝单晶抛光片》于2026-08-01实施
GB/T 47097-2026《氮化铝单晶抛光片》于2026-01-28发布，实施日期为2026-08-01。标准由中国电子科技集团公司第四十六研究所等单位起草，归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及其材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)。
Semiconductor TodayAI 评分4646 英国启动 Semiconductor Catapult，强化 AI 硬件与国防自主能力
英国启动 Semiconductor Catapult，旨在强化 AI 硬件与国防自主能力，并加速半导体技术商业化。该机构由 CSA Catapult 于今年夏季转型而来，提供供应链整合、设计、系统测试与验证服务。其重点领域涵盖先进封装与异构集成、功率电子与热管理、光子学与光互连，以及 RF 与混合信号集成。
Semiconductor TodayAI 评分3939 阿肯色州电子系统研究所（ARIES）成立
阿肯色州电子系统研究所（ARIES）成立，旨在开发、生产和部署适用于严苛环境的下一代功率电子、微电子及半导体技术。研究所汇集阿肯色大学研究人员，聚焦功率电子及半导体、网络安全与 AI、光子学、射频与微波技术。其整合 MUSiC、HiDEC 和 NCREPT 设施，提供从制造、原型开发到产业及政府应用转化的能力。
Semiconductor TodayAI 评分3939 伊顿将在面向800V数据中心配电的中压固态变压器中采用英飞凌SiC功率器件
伊顿将为面向亚太地区部署的中压固态变压器MVSST 2.0平台采用英飞凌SiC功率器件，支持800V直流数据中心配电。该平台较传统架构减少转换级数，提高效率、功率密度和部署灵活性，并已获IEC认证。双方正探索基于2.3kV和3.3kV SiC功率模组的下一代SST平台。
第三代半导体产业网AI 评分3232 天科合达科学碳目标通过SBTi官方验证
近日，天科合达科学碳目标通过SBTi官方验证，其碳减排目标已在SBTi官网公示，被认定符合《巴黎协定》1.5℃温控路径。公司此前于2025年获得ISO 14067产品碳足迹核查声明证书，对核心产品碳化硅衬底的全流程温室气体排放进行系统核算，为制定科学碳目标提供数据基础。
Semiconductor TodayAI 评分4545 Navitas获美国陆军ALATTIS项目，开发10kV功率半导体
Navitas获美国陆军ALATTIS项目，将开发下一代10kV SiC IGBT及配套PiN二极管技术。项目由美国陆军研究实验室资助，旨在通过迭代设计、制造和测试，开发并验证≥10kV SiC IGBT的美国本土制造工艺。器件将基于其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，面向军方任务关键系统。
第三代半导体产业网AI 评分3434 科技部部长阴和俊：体系化布局一批国家重大科技任务
科技部部长阴和俊表示，将紧扣“十五五”规划部署要求，体系化布局一批国家重大科技任务。基础研究将部署材料基因组、可控核聚变等任务，科技攻关将聚焦人工智能、集成电路、工业母机等领域，全链条推动关键核心技术攻关。还将围绕民生福祉和重点领域安全，部署资源循环利用、高端医疗装备、灾害监测预警等任务。
第三代半导体产业网AI 评分4343 鸿利显示：车载Mini LED行业洞察与技术趋势
鸿利显示分享车载Mini LED技术趋势与量产经验，以POB与COB双技术路线覆盖主流至高端车载显示需求。其COB方案亮度均匀性可达92%以上，对比度高达100000:1。公司已具备车规级Mini LED背光模组批量交付能力，量产案例包括吉普12.3寸仪表屏、广汽15.6寸中控屏等。
第三代半导体产业网精选AI 评分7676 总投资120亿元，先导芯光光电芯片基地在光谷通线
9月28日，先导科技集团旗下先导芯光武汉晶圆厂在东湖综保区通线，所属基地总投资120亿元，转入工艺认证与产品导入阶段。晶圆厂建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料光电芯片平台，分别覆盖光通信光器件及高速电器件、VCSEL及射频工艺。
推荐理由：通线后先行导入200G代工、同步推进400G流片验证的安排，为区分基地建设完成与产品量产释放提供了具体阶段参照。
第三代半导体产业网AI 评分5656 九峰山实验室将携化合物半导体产品参展西安APWS 2026
九峰山实验室将于2026年10月11日-15日在西安举办的第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）展示产品，展位号为A12。展品包括8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆、100nm高性能氮化镓及250nm碳化硅基氮化镓流片PDK平台、8英寸压电MEMS流片PDK平台、6寸磷化铟PIN探测器外延片和8英寸硅基GaN MicroLED外延片。
Metrology NewsAI 评分5555 先进封装演进提升晶圆精密量测重要性，Vitrek介绍非接触测量方案
先进封装对晶圆厚度与几何形貌控制提出更高要求，Vitrek的MTI Instruments Proforma 300i和Proforma 300iSA采用电容技术进行非接触测量。
第三代半导体产业网AI 评分6060 TCL华星深圳MLED项目获12.5亿元资金支持
9月24日，国家开发银行深圳市分行向TCL华星MLED芯片生产线深圳项目投放新型政策性金融工具12.5亿元，以股权投资方式补充项目资本金。项目总投资约125亿元，规划建设LED芯片、LED直显等核心生产线，由TCL华星全资持股的深圳市华兆星光技术有限公司推进建设。TCL华星还计划依托该项目从磷化铟激光芯片切入光通信领域，先进行产品验证，再导入客户并形成小规模量产，后续根据客户需求扩展。
第三代半导体产业网AI 评分6161 燕山大学与中山大学团队研发热化学机械研磨工艺，降低碳化硅晶圆加工损伤
燕山大学黄水泉团队联合中山大学黄翰团队研发碳化硅热化学机械研磨工艺，相关成果发表于《极端制造国际期刊》。工艺利用接触点瞬时摩擦升温超45℃触发冷却液中的ACVA分解，在晶体表层形成厚度约10纳米的无定形碳氧化硅缓冲薄膜，使无裂纹切削深度从29纳米提升至51纳米，亚表面加工缺陷控制在70纳米以内。团队下一阶段计划优化工艺参数以适配商用8英寸碳化硅晶圆加工设备，并研发配套闭环流体回收系统，推进产业化。
第三代半导体产业网AI 评分4343 光智科技拟出资6.37亿元设立合资公司，打造高性能红外探测器产业化项目
光智科技拟出资6.37亿元，与智造安合、光启芯联共同设立合资公司，打造高性能红外探测器产业化项目。合资公司注册资本13.00亿元，光智科技持股49.00%，各方将形成共同控制，合资公司不纳入光智科技合并报表范围。本次投资尚需提交公司股东会审议。
第三代半导体产业网AI 评分2828 长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布
长飞先进正式发布功率半导体PCB嵌入式技术白皮书，介绍面向下一代车规主驱的功率半导体封装技术路径。该技术将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互联导热，降低寄生参数与热阻，提升功率密度与可靠性。
Compound SemiconductorAI 评分4949 Navitas将为美国政府开发10kV SiC芯片
Navitas Semiconductor获美国政府授予ALATTIS项目，将开发下一代10 kV SiC功率半导体技术。该原型项目由美国陆军研究实验室资助，将开发、实施并验证美国目前尚不具备的10 kV SiC IGBT制造工艺。Navitas将采用其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，并集成先进PiN二极管技术。
Compound SemiconductorAI 评分4646 英国启动 Semiconductor Catapult，强化半导体供应链
英国启动 Semiconductor Catapult，为企业提供设计、集成、测试与验证支持，强化本土半导体供应链并加速技术商业化。其重点覆盖先进封装与异构集成、功率电子与热管理、光子学与光互连、RF 与混合信号集成。首阶段将建立集成就绪能力及核心硅技术能力，第二阶段将展示系统级集成及规模化、小批量生产路径。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7272 世界先进与恩智浦合资VSMC新加坡12英寸晶圆厂启用，一期产能获长单锁定
9月28日，世界先进与恩智浦合资企业VSMC位于新加坡淡滨尼的12英寸（300mm）晶圆厂举办启用仪式，一期全部产能已提前签订长期订单。项目总投资67亿美元，采用台积电授权的130nm至40nm制程，产品涵盖模拟芯片、电源管理芯片、混合信号芯片，并布局硅中介层产能。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7171 三星电机计划投资4.27万亿韩元扩建韩国世宗封装基板产线
三星电机董事会于9月28日批准投资4.27万亿韩元扩建韩国世宗工厂封装基板设施，重点建设面向AI服务器的FC-BGA产线。项目包含厂房新建与设备添置，投资周期为2026年9月28日至2028年5月31日，规划2028年9月启动量产；加上越南基地配套投资，两地合计规划投资6.78万亿韩元。
Compound SemiconductorAI 评分4949 Paragraf将为£6.4m EPSRC项目生产二维MoS₂
Paragraf正扩展生产能力，将为EPSRC资助的£6.4m NEED2D研究项目供应高质量、大面积二维MoS₂，以降低数据中心和高性能计算能耗。项目汇集伦敦玛丽女王大学与22家产业合作伙伴，Paragraf目前是项目唯一的二维材料供应商，并将与该大学合作开展器件研究。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分4141 芯联集成披露前三季度业绩预告，预计实现扭亏为盈
芯联集成披露2026年前三季度业绩预告，预计归母净利润约6.81亿元，同比扭亏为盈。预计营业收入约77.66亿元，同比增长约43.23%，较高产能利用率、产品结构优化及规模效应释放推动业绩改善。预告数据为财务初步测算结果，尚未经注册会计师审计。
艾邦半导体网AI 评分2222 800V高压平台加速落地，SiC驱动车载AMB基板需求增长
800V高压平台加速落地与SiC功率器件应用扩大，推动车载AMB陶瓷基板需求增长。AMB基板以高温可靠性、高电流承载能力及良好的热循环性能，满足高压、高功率应用要求。富乐华提供AMB、DBC、DPC及氮化硅陶瓷基板方案，并依托东台、内江及马来西亚制造基地提升生产与交付能力。
Compound SemiconductorAI 评分6969 Wolfspeed推出Premium 200 mm n型SiC衬底，扩展200 mm材料产品组合
Wolfspeed宣布Premium 200 mm n型SiC衬底正式商用，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的X-ray形貌检测验证，该衬底微管密度低于0.01个/平方厘米，或每片晶圆少于3个微管，并具有较低的螺型穿透位错。公司称其可在客户现有外延工艺内改善外延表现，产品现已可订购并配有专用产能，后续将随市场需求增长在现有大规模SiC制造设施内快速爬坡新增产能。
SEMI 中国·半导体AI 评分3737 AMD出资550亿元收购World Labs
AMD宣布签署收购World Labs的最终协议，将以全股票方式交易，价值约82亿美元。交易预计于2026年底前完成，仍需监管批准并满足其他常规交割条件。交易完成后，李飞飞将加入AMD，担任执行副总裁兼首席科学家，World Labs团队将继续从事前沿AI模型研究。
Compound SemiconductorAI 评分3939 伊顿将采用英飞凌 SiC 芯片用于固态变压器
伊顿将采用英飞凌 SiC 功率器件，用于面向亚太地区部署的中压固态变压器 MVSST 2.0 平台。该平台面向 800 VDC AI 数据中心配电架构，通过减少转换级数提升效率、功率密度和部署灵活性。双方正探索基于 2.3 kV 和 3.3 kV SiC 功率模组的下一代 SST 平台。
Compound SemiconductorAI 评分2929 Fraunhofer IAF 将亮相斯图加特 EFX 展会
Fraunhofer IAF 将亮相斯图加特 EFX 展会，重点展示 AI 芯片设计工具研究及面向中试线的 III-V 半导体制造能力。展会于2026年10月6日至8日举行，该机构将在 Chip Connect BW 联合展区参展。展品覆盖外延、工艺开发、设计与表征，以及基于 III-V 化合物半导体的模组和先进原型开发。
Compound SemiconductorAI 评分3434 Starlab 获 Elethron 载荷预订，将搭载半导体材料加工平台
商业空间站开发商 Starlab Space LLC 获 Elethron 载荷预订，后者计划部署自主太空材料加工平台 ĀTAR。平台将在为期六个月的试点中开展材料加工，积累工艺数据与运行经验。其模块化架构采用可互换的 Smart Cartridges，可支持不同材料工艺和客户，无需在各次任务间重新设计整个载荷。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分7373 三星电机在韩国、越南投资6.78万亿韩元扩大封装基板产能
三星电机宣布在韩国和越南合计投资6.78万亿韩元，扩大面向AI服务器的高附加值FC-BGA封装基板产能。韩国世宗工厂项目投资4.27万亿韩元，投资期为2026年9月28日至2028年5月31日，计划于2028年9月开始量产，实际投资金额和期限可能随项目推进调整。越南生产子公司同日决定投资2.51万亿韩元，用于当地封装基板设施。
推荐理由：韩国项目的投资周期与量产节点提供了产能释放的时间参照，有助于区分三星电机封装基板扩产的资金投入与供给落地节奏。
Semiconductor TodayAI 评分3636 硅光子与 InP 光子集成电路市场预计到2036年增至$48bn
IDTechEx预测，硅光子与 InP 光子集成电路市场将以21.9%的复合年增长率增长，到2036年达到US$48bn。基于光子集成电路的收发器可加快数据中心节点连接并降低功耗，需求受 AI 推动。高质量 InP 衬底供应正成为 AI 硬件部署的瓶颈，硅光子采用增加并不意味着 InP 组件需求减少。
中国仪器仪表行业协会 行业资讯AI 评分5151 苏试试验华中总部基地主体结构在武汉封顶，进入冲刺投运阶段
9月28日，苏试试验华中总部基地在武汉经开区智能制造产业园完成主体结构封顶，进入冲刺投运阶段。基地集高端检测服务、核心设备研发、技术解决方案创新及区域运营管理于一体，将建设新能源汽车产品、船舶、宇航、电磁兼容及集成电路五大检测中心。升级后的检测能力将覆盖环境可靠性、全频段电磁兼容、电池安全、材料分析及集成电路失效分析，并可承接整车级、系统级大尺寸试样测试。
仪器信息网·标准AI 评分4444 2026年10月有644份标准将实施：质谱等仪器为标准护航
644份标准将于2026年10月实施，其中包括认证认可标准15份、农林牧渔食品标准295份。RB/T 266-2026涉及国产数字PCR仪验证评价，多项食品安全国家标准采用液相色谱-串联质谱法测定药物残留量。
中国粉体网AI 评分4242 谁掌握碳化硅长晶炉核心技术？国内设备企业盘点
天科合达、晶升股份、优晶科技等国内企业持续推进碳化硅长晶炉及配套工艺研发，推动关键装备国产化。天科合达自主研发的第五代SiC单晶生长炉性能达到国外同类水平，成本仅为其1/4。优晶科技UKING ERH SiC RV4.0电阻法碳化硅长晶设备可用于6英寸、8英寸量产。
中国粉体网AI 评分5959 互创芯微5亿元静电卡盘总部项目签约落户无锡高新区
9月28日，互创芯微静电卡盘总部项目签约落户无锡高新区，计划总投资5亿元。项目将建设陶瓷烧结车间、精密加工车间、千级洁净间及研发实验室，形成研发、生产、销售一体化总部基地。项目达产后，预计年产2500颗12英寸静电卡盘、5000颗8英寸静电卡盘。
Semiconductor TodayAI 评分6767 Wolfspeed 推出 Premium 200mm n型 SiC 衬底，现已可订购
Wolfspeed 宣布 Premium 200mm n型 SiC 衬底商业供货，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的 X-ray 拓扑成像验证，该衬底微管密度低于每平方厘米 0.01 个，即每片晶圆少于 3 个微管，并具有较低的螺型穿透位错水平。公司称，更高的裸晶圆质量可在客户现有外延工艺内改善外延表现；产品现已可订购，并配有专用产能。
Semiconductor TodayAI 评分4141 Fraunhofer IAF 开发用于数据中心、测量系统和传感器的宽带分布式放大器 MMIC
Fraunhofer IAF 开发出宽带分布式放大器 MMIC 芯片，适用于数据中心、测量系统和传感器。芯片采用栅长20nm的 InGaAs-on-Si HEMT 技术，在4–420GHz频段实现11 ± 2dB增益，饱和输出功率为6dBm至8dBm。
第三代半导体产业网AI 评分4242 芯联集成前三季度预盈6.81亿元：公司盈利持续加速
芯联集成预计2026年前三季度归母净利润约6.81亿元，同比增长约11.44亿元，盈利逐季加速。同期预计营业收入约77.66亿元，同比增长约43.23%；第三季度单季净利润超过上半年两个季度之和。销售放量带来的规模效应、成本管控、工厂运营效率优化及产品结构升级共同支撑盈利改善。
第三代半导体产业网AI 评分7575 五项第三代半导体相关团体标准发布
9月28日，第三代半导体相关CASAS团体标准发布，涉及器件测试、晶锭激光剥离设备及材料表征。正文列出T/CASAS 038—2026的SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法。
Semiconductor TodayAI 评分6464 Riber上半年营收同比增长19%至€12.7m，恢复盈利
法国MBE设备制造商Riber的2026年上半年营收同比增长19%至€12.7m，净利润由上年同期亏损€0.8m转为盈利€0.2m。服务与配件收入增长71%至€5.1m，系统收入为€7.7m、基本持平，毛利率由36.2%升至39.8%。
Semiconductor TodayAI 评分3030 Wise Integration 数字控制技术将与纳微半导体宽禁带技术结合
Wise Integration 与纳微半导体达成合作，将结合分布式数字控制与 GaN、SiC 技术，推进 AI 数据中心电源及高性能计算供电应用。双方将重点关注 AI 数据中心电源单元，探索更多电能转换拓扑，以满足从电网到芯片的高电压、高功率和高效率应用需求。