9月30日，湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目在光谷正式通线，报道将其称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元，二期自2025年10月开工，历时11个月达成通线节点。二期补齐2.5D中试能力，使公司同时具备2.5D和3D先进封装技术；产线全面建成后，可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产，以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。
推荐理由：二期将芯片中试与风险量产、国产设备材料验证纳入同一平台，为理解先进封装产线如何衔接工艺开发与量产提供了具体案例。
9月28日，先导芯光武汉晶圆厂正式通线，基地转入工艺认证与产品导入阶段，产能尚未释放。该厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心，建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料平台。
9月28日，先导芯光晶圆厂在东湖综保区通线，这座晶圆厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心。基地建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料大尺寸光电芯片平台，通线后由建设期转入工艺认证与产品导入阶段。研发批与工程批即日启动，200G光芯片代工导入先行，400G平台各项目同步进入流片与验证阶段，平台将以晶圆代工与联合研制两种方式向产业链开放。
推荐理由：通线后的工艺认证、产品导入与流片验证安排，提供了区分晶圆厂建设完成、工程批运行和后续量产进度的具体依据。
TOPPAN新加坡FC-BGA基板工厂于2026年9月29日举行开业典礼，计划2026年12月开始生产。该厂是TOPPAN首个FC-BGA基板海外生产基地，拥有约70,000平方米设施及200名以上工程师和技术人员，聚焦生成式AI、机器学习和大型网络交换机所需的大型高多层基板。
9月29日，广州广芯半导体先进封装基板项目在中新广州知识城动工，目标产品为高阶FCBGA封装基板。项目首期占地面积312亩，总建筑面积约36万平方米，产品应用领域包括数据中心、高性能计算（HPC）和云计算。项目建成后，将进一步提升广州广芯在高阶封装基板领域的技术能力与产能规模。
三星电机计划在世宗生产基地和越南子公司共计投资约6.78万亿韩元，扩大AI服务器用FCBGA基板产能。世宗基地投资4.27万亿韩元，投资期间为2026年9月至2028年5月；越南子公司扩建设备投资约2.51万亿韩元，目标为2030年6月完工并投产。此次投资包含客户资金支持和中长期订单保障，世宗基地侧重高附加值、高难度产品量产，越南基地侧重全球订单供应及生产效率提升。
日本凸版控股与博通合资的Advanced Substrate Technologies（AST）封装基板新厂于9月29日在新加坡正式投产，比原计划提前约三个月。
推荐理由：新加坡工厂与日本新潟生产中心的互补布局，为理解凸版与博通如何通过新增产能缓解先进基板供应不足提供了具体案例。
台积电据传或将启动美国第二园区建厂计划，拟再建六座先进晶圆厂，得州达拉斯落地呼声较高。若计划启动，总投资金额估计将超越亚利桑那州园区的2650亿美元。台积电尚未回应，多位供应商表示听过传言，但未接获业主要求预做准备的通知。
9月28日，先导科技集团旗下先导芯光武汉晶圆厂在东湖综保区通线，所属基地总投资120亿元，转入工艺认证与产品导入阶段。晶圆厂建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料光电芯片平台，分别覆盖光通信光器件及高速电器件、VCSEL及射频工艺。
推荐理由：通线后先行导入200G代工、同步推进400G流片验证的安排，为区分基地建设完成与产品量产释放提供了具体阶段参照。
9月24日，国家开发银行深圳市分行向TCL华星MLED芯片生产线深圳项目投放新型政策性金融工具12.5亿元，以股权投资方式补充项目资本金。项目总投资约125亿元，规划建设LED芯片、LED直显等核心生产线，由TCL华星全资持股的深圳市华兆星光技术有限公司推进建设。TCL华星还计划依托该项目从磷化铟激光芯片切入光通信领域，先进行产品验证，再导入客户并形成小规模量产，后续根据客户需求扩展。
汇绿生态控股子公司钧恒科技拟投资3.09亿元，在武汉光谷光电子信息产业园建设研发生产基地，整体预计2028年6月建成投用。项目分两期实施，一期投资2.88亿元建设总面积约5.77万平方米的研发生产基地，二期配套高速率光模块研发子项目。建成后，现有年产150万支产线将全面技术升级，基地新增年产200万支高速率光模块生产线，武汉区域合计达到350万支高速率光模块年产能。
汇绿生态控股子公司钧恒科技拟投资3.09亿元，在武汉光谷光电子信息产业园建设研发生产基地，整体预计2028年6月建成投用。项目分两期实施，一期投资2.88亿元、建设总面积约5.77万平方米，二期配套高速率光模块研发子项目。建成后将升级现有年产150万支产线，并新增年产200万支高速率光模块生产线，使武汉区域高速率光模块年产能合计达到350万支。
推荐理由：项目将现有产线技术升级与新增产能并行推进，分期投资和投用时间为理解高速率光模块制造能力的扩张节奏提供了具体参照。
9月28日，世界先进与恩智浦合资企业VSMC位于新加坡淡滨尼的12英寸（300mm）晶圆厂举办启用仪式，一期全部产能已提前签订长期订单。项目总投资67亿美元，采用台积电授权的130nm至40nm制程，产品涵盖模拟芯片、电源管理芯片、混合信号芯片，并布局硅中介层产能。
三星电机董事会于9月28日批准投资4.27万亿韩元扩建韩国世宗工厂封装基板设施，重点建设面向AI服务器的FC-BGA产线。项目包含厂房新建与设备添置，投资周期为2026年9月28日至2028年5月31日，规划2028年9月启动量产；加上越南基地配套投资，两地合计规划投资6.78万亿韩元。
Paragraf正扩展生产能力，将为EPSRC资助的£6.4m NEED2D研究项目供应高质量、大面积二维MoS₂，以降低数据中心和高性能计算能耗。项目汇集伦敦玛丽女王大学与22家产业合作伙伴，Paragraf目前是项目唯一的二维材料供应商，并将与该大学合作开展器件研究。
三星电机宣布在韩国和越南合计投资6.78万亿韩元，扩大面向AI服务器的高附加值FC-BGA封装基板产能。韩国世宗工厂项目投资4.27万亿韩元，投资期为2026年9月28日至2028年5月31日，计划于2028年9月开始量产，实际投资金额和期限可能随项目推进调整。越南生产子公司同日决定投资2.51万亿韩元，用于当地封装基板设施。
推荐理由：韩国项目的投资周期与量产节点提供了产能释放的时间参照，有助于区分三星电机封装基板扩产的资金投入与供给落地节奏。
9月28日，互创芯微静电卡盘总部项目签约落户无锡高新区，计划总投资5亿元。项目将建设陶瓷烧结车间、精密加工车间、千级洁净间及研发实验室，形成研发、生产、销售一体化总部基地。项目达产后，预计年产2500颗12英寸静电卡盘、5000颗8英寸静电卡盘。
高塔半导体计划投资约40亿美元，分两阶段扩充日本硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应AI基础设施需求。第一阶段将新潟县荒井Fab 6改为300mm硅光子与先进光学封装厂，并提升富山县鱼津Fab 7的SiGe与SiPho产能，预计2027年第四季具备全面量产准备；第二阶段将在Fab 7旁新建300mm晶圆厂，扩大SiGe EIC与SiPho PIC产能，为后续导入CPO铺路。
汇绿生态9月27日公告，控股子公司武汉钧恒科技拟在武汉东湖高新区投建研发生产基地，总投资3.09亿元。项目将升级现有年产150万支产线，并新增年产200万支高速率光模块产线，全部达产后武汉区域合计年产能350万支，匹配800G、1.6T市场需求。主体工程计划于2026年11月至2028年6月建设，工期20个月，投资尚需按内部流程推进，建设进度及市场需求变化可能影响产能释放。
芯联先进各方出资认购已全部完成，合计注册资本达84.83亿元，作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造四期项目的实施主体。芯联集成9月21日公告披露，已累计完成21.29亿元注册资本实缴；四期项目总投资约200亿元，拟建设5万片/月的12英寸数模混合芯片产线。
9月19日，礼鼎半导体第二园区先进IC载板数智化制造基地在深圳宝安区落地，计划总投资不低于120亿元。项目规划占地面积约15.72公顷，将分两期建设数座现代化工厂，重点布局FCBGA等IC载板产品，面向人工智能、高性能计算及网络通信领域。这是近2个月以来宝安区落地的第二个百亿级PCB项目，此前鹏鼎控股已公告拟投资100亿元建设第三园区人工智能高阶类载板及柔性电路板智造基地。
9月16日，浙江德汇电子陶瓷有限公司年产1200万片功率半导体用高性能陶瓷覆铜板项目在嘉兴南湖高新区开工。项目总投资10.1亿元，占地48亩，规划建设集研发中心、智能制造产线、检测试验设施于一体的数字化半导体材料生产基地，建成后预计年产值超12亿元。公司负责人表示，新工厂将在绿色化、数字化、智能化方面升级，目标是较原有基地生产效率提升30%至50%。
村田计划在2028财年将AI服务器用高端MLCC产能较当前提升约20%，同时停产部分消费级和车用MLCC料号。其2026财年资本支出计划达2500亿日元，其中追加800亿日元专项扩充服务器MLCC产能；涉及停产的料号要求客户于2027年底前书面回复、2028年3月底前完成最后下单。
大连富乐德7nm及以下高制程精密洗净专线近日在大连普洛斯智造产业园竣工投产，项目总投资约1.4亿元。项目实用面积11160平方米，聚焦半导体痕量金属污染清洗与精密检测，面向ALD、PVD、CVD等薄膜沉积核心设备的金属、陶瓷、石英零部件提供洗净与再生服务。该专线主要服务SK 海力士、北方华创等企业，旨在补齐华北、东北区域高制程设备零部件再生配套短板。
5N+获美国战争部选定，将获得US$7.3m资助，拟在犹他州St. George工厂建立国防用GaAs组件生产能力。公司计划增配晶体生长和GaAs合成设备，并建立必要的工艺控制与检测能力，以弥补美国目前缺乏合格本土GaAs电光组件供应源的缺口。5N+将与初始客户洛克希德·马丁完成产品认证，再推进受控的低速率生产，后续可能达成生产协议。
Sivers Semiconductors宣布投资$30m扩建英国苏格兰格拉斯哥InP制造设施，预计支持CW DFB激光器年产量超过100 million只。扩建将于2026年下半年启动，预计2027年第四季度投入运营，并增加工艺能力、自动化程度及制造灵活性。该项目面向AI数据中心和光网络需求增长，推动公司从轻晶圆厂制造模式转向结合自有制造与外部代工、封装及制造伙伴的混合制造策略。
IQE宣布与Quintessent签订量子点激光器（QDL）外延片采购协议，将供应6英寸砷化镓（GaAs）外延片，支持客户送样。此次合作延续了2025年1月的战略公告及采购订单，IQE将通过其foundry-ready服务供货，支持Quintessent推进商业部署和新产品导入。
广州盛立新材料有限公司纳米镍粉项目近日签约落地英德，总投资3.18亿元，分两期建设。一期投资9000万元，建设年产240吨纳米镍粉生产线，达产后预计年产值4.8亿元；二期计划投资超2亿元，建设年产360吨纳米镍粉、纳米铜粉产线，达产后预计年产值12亿元。项目采用液相化学还原法，纳米镍粉用于MLCC内电极浆料，计划为珠三角电子信息产业集群提供上游关键材料配套。
德化县先进陶瓷产业园招商专场签约“半导体陶瓷新材料”和“高温合金陶瓷”两大项目。领德集团（亚洲）有限公司签约项目主要研发生产集成电路陶瓷基板、芯片封装陶瓷材料、MLCC陶瓷电容、陶瓷电路板基材，并提供配套检测服务。福建泰启汇能科技有限公司签约的高温合金陶瓷项目主攻1650 ℃高温陶瓷产品。
8月15日，星翰微纳年产2000吨电子元器件专用功能材料项目在常州金坛经济开发区开工，总投资11亿元。项目由常州星翰微纳科技有限公司分期建设，规划年产微纳米铜粉300吨、微纳米镍粉700吨及高低温电子导电浆料各500吨。项目依托企业自主研发的“粉浆一体化”技术，面向5G通信、半导体封装、新能源汽车电子、光伏等应用领域。