鸿利显示：车载Mini LED行业洞察与技术趋势
鸿利显示分享车载Mini LED技术趋势与量产经验，以POB与COB双技术路线覆盖主流至高端车载显示需求。其COB方案亮度均匀性可达92%以上，对比度高达100000:1。公司已具备车规级Mini LED背光模组批量交付能力，量产案例包括吉普12.3寸仪表屏、广汽15.6寸中控屏等。
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今日 2 条第三代半导体产业网AI 评分4343 第三代半导体产业网精选AI 评分7676 总投资120亿元，先导芯光光电芯片基地在光谷通线
9月28日，先导科技集团旗下先导芯光武汉晶圆厂在东湖综保区通线，所属基地总投资120亿元，转入工艺认证与产品导入阶段。晶圆厂建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料光电芯片平台，分别覆盖光通信光器件及高速电器件、VCSEL及射频工艺。
推荐理由：通线后先行导入200G代工、同步推进400G流片验证的安排，为区分基地建设完成与产品量产释放提供了具体阶段参照。
第三代半导体产业网AI 评分5656 九峰山实验室将携化合物半导体产品参展西安APWS 2026
九峰山实验室将于2026年10月11日-15日在西安举办的第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）展示产品，展位号为A12。展品包括8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆、100nm高性能氮化镓及250nm碳化硅基氮化镓流片PDK平台、8英寸压电MEMS流片PDK平台、6寸磷化铟PIN探测器外延片和8英寸硅基GaN MicroLED外延片。
第三代半导体产业网AI 评分6060 TCL华星深圳MLED项目获12.5亿元资金支持
9月24日，国家开发银行深圳市分行向TCL华星MLED芯片生产线深圳项目投放新型政策性金融工具12.5亿元，以股权投资方式补充项目资本金。项目总投资约125亿元，规划建设LED芯片、LED直显等核心生产线，由TCL华星全资持股的深圳市华兆星光技术有限公司推进建设。TCL华星还计划依托该项目从磷化铟激光芯片切入光通信领域，先进行产品验证，再导入客户并形成小规模量产，后续根据客户需求扩展。
第三代半导体产业网AI 评分6161 燕山大学与中山大学团队研发热化学机械研磨工艺，降低碳化硅晶圆加工损伤
燕山大学黄水泉团队联合中山大学黄翰团队研发碳化硅热化学机械研磨工艺，相关成果发表于《极端制造国际期刊》。工艺利用接触点瞬时摩擦升温超45℃触发冷却液中的ACVA分解，在晶体表层形成厚度约10纳米的无定形碳氧化硅缓冲薄膜，使无裂纹切削深度从29纳米提升至51纳米，亚表面加工缺陷控制在70纳米以内。团队下一阶段计划优化工艺参数以适配商用8英寸碳化硅晶圆加工设备，并研发配套闭环流体回收系统，推进产业化。
第三代半导体产业网AI 评分4343 光智科技拟出资6.37亿元设立合资公司，打造高性能红外探测器产业化项目
光智科技拟出资6.37亿元，与智造安合、光启芯联共同设立合资公司，打造高性能红外探测器产业化项目。合资公司注册资本13.00亿元，光智科技持股49.00%，各方将形成共同控制，合资公司不纳入光智科技合并报表范围。本次投资尚需提交公司股东会审议。
第三代半导体产业网AI 评分2828 长飞先进功率半导体PCB嵌入式技术白皮书正式发布
长飞先进正式发布功率半导体PCB嵌入式技术白皮书，介绍面向下一代车规主驱的功率半导体封装技术路径。该技术将功率芯片直接嵌入PCB内部，以铜层互联导热，降低寄生参数与热阻，提升功率密度与可靠性。
第三代半导体产业网AI 评分5959 钧恒科技拟投资3.09亿元在武汉光谷建设研发生产基地
汇绿生态控股子公司钧恒科技拟投资3.09亿元，在武汉光谷光电子信息产业园建设研发生产基地，整体预计2028年6月建成投用。项目分两期实施，一期投资2.88亿元建设总面积约5.77万平方米的研发生产基地，二期配套高速率光模块研发子项目。建成后，现有年产150万支产线将全面技术升级，基地新增年产200万支高速率光模块生产线，武汉区域合计达到350万支高速率光模块年产能。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分6060 钧恒科技拟投资3.09亿元在武汉光谷建设研发制造总部基地
汇绿生态控股子公司钧恒科技拟投资3.09亿元，在武汉光谷光电子信息产业园建设研发生产基地，整体预计2028年6月建成投用。项目分两期实施，一期投资2.88亿元、建设总面积约5.77万平方米，二期配套高速率光模块研发子项目。建成后将升级现有年产150万支产线，并新增年产200万支高速率光模块生产线，使武汉区域高速率光模块年产能合计达到350万支。
推荐理由：项目将现有产线技术升级与新增产能并行推进，分期投资和投用时间为理解高速率光模块制造能力的扩张节奏提供了具体参照。
Compound SemiconductorAI 评分4949 Navitas将为美国政府开发10kV SiC芯片
Navitas Semiconductor获美国政府授予ALATTIS项目，将开发下一代10 kV SiC功率半导体技术。该原型项目由美国陆军研究实验室资助，将开发、实施并验证美国目前尚不具备的10 kV SiC IGBT制造工艺。Navitas将采用其专利沟槽辅助平面（TAP）架构，并集成先进PiN二极管技术。
Compound SemiconductorAI 评分4646 英国启动 Semiconductor Catapult，强化半导体供应链
英国启动 Semiconductor Catapult，为企业提供设计、集成、测试与验证支持，强化本土半导体供应链并加速技术商业化。其重点覆盖先进封装与异构集成、功率电子与热管理、光子学与光互连、RF 与混合信号集成。首阶段将建立集成就绪能力及核心硅技术能力，第二阶段将展示系统级集成及规模化、小批量生产路径。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7272 世界先进与恩智浦合资VSMC新加坡12英寸晶圆厂启用，一期产能获长单锁定
9月28日，世界先进与恩智浦合资企业VSMC位于新加坡淡滨尼的12英寸（300mm）晶圆厂举办启用仪式，一期全部产能已提前签订长期订单。项目总投资67亿美元，采用台积电授权的130nm至40nm制程，产品涵盖模拟芯片、电源管理芯片、混合信号芯片，并布局硅中介层产能。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7171 三星电机计划投资4.27万亿韩元扩建韩国世宗封装基板产线
三星电机董事会于9月28日批准投资4.27万亿韩元扩建韩国世宗工厂封装基板设施，重点建设面向AI服务器的FC-BGA产线。项目包含厂房新建与设备添置，投资周期为2026年9月28日至2028年5月31日，规划2028年9月启动量产；加上越南基地配套投资，两地合计规划投资6.78万亿韩元。
Compound SemiconductorAI 评分4949 Paragraf将为£6.4m EPSRC项目生产二维MoS₂
Paragraf正扩展生产能力，将为EPSRC资助的£6.4m NEED2D研究项目供应高质量、大面积二维MoS₂，以降低数据中心和高性能计算能耗。项目汇集伦敦玛丽女王大学与22家产业合作伙伴，Paragraf目前是项目唯一的二维材料供应商，并将与该大学合作开展器件研究。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分4141 芯联集成披露前三季度业绩预告，预计实现扭亏为盈
芯联集成披露2026年前三季度业绩预告，预计归母净利润约6.81亿元，同比扭亏为盈。预计营业收入约77.66亿元，同比增长约43.23%，较高产能利用率、产品结构优化及规模效应释放推动业绩改善。预告数据为财务初步测算结果，尚未经注册会计师审计。
艾邦半导体网AI 评分2222 800V高压平台加速落地，SiC驱动车载AMB基板需求增长
800V高压平台加速落地与SiC功率器件应用扩大，推动车载AMB陶瓷基板需求增长。AMB基板以高温可靠性、高电流承载能力及良好的热循环性能，满足高压、高功率应用要求。富乐华提供AMB、DBC、DPC及氮化硅陶瓷基板方案，并依托东台、内江及马来西亚制造基地提升生产与交付能力。
Compound SemiconductorAI 评分6969 Wolfspeed推出Premium 200 mm n型SiC衬底，扩展200 mm材料产品组合
Wolfspeed宣布Premium 200 mm n型SiC衬底正式商用，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的X-ray形貌检测验证，该衬底微管密度低于0.01个/平方厘米，或每片晶圆少于3个微管，并具有较低的螺型穿透位错。公司称其可在客户现有外延工艺内改善外延表现，产品现已可订购并配有专用产能，后续将随市场需求增长在现有大规模SiC制造设施内快速爬坡新增产能。
SEMI 中国·半导体AI 评分3737 AMD出资550亿元收购World Labs
AMD宣布签署收购World Labs的最终协议，将以全股票方式交易，价值约82亿美元。交易预计于2026年底前完成，仍需监管批准并满足其他常规交割条件。交易完成后，李飞飞将加入AMD，担任执行副总裁兼首席科学家，World Labs团队将继续从事前沿AI模型研究。
Compound SemiconductorAI 评分3939 伊顿将采用英飞凌 SiC 芯片用于固态变压器
伊顿将采用英飞凌 SiC 功率器件，用于面向亚太地区部署的中压固态变压器 MVSST 2.0 平台。该平台面向 800 VDC AI 数据中心配电架构，通过减少转换级数提升效率、功率密度和部署灵活性。双方正探索基于 2.3 kV 和 3.3 kV SiC 功率模组的下一代 SST 平台。
Compound SemiconductorAI 评分2929 Fraunhofer IAF 将亮相斯图加特 EFX 展会
Fraunhofer IAF 将亮相斯图加特 EFX 展会，重点展示 AI 芯片设计工具研究及面向中试线的 III-V 半导体制造能力。展会于2026年10月6日至8日举行，该机构将在 Chip Connect BW 联合展区参展。展品覆盖外延、工艺开发、设计与表征，以及基于 III-V 化合物半导体的模组和先进原型开发。
Compound SemiconductorAI 评分3434 Starlab 获 Elethron 载荷预订，将搭载半导体材料加工平台
商业空间站开发商 Starlab Space LLC 获 Elethron 载荷预订，后者计划部署自主太空材料加工平台 ĀTAR。平台将在为期六个月的试点中开展材料加工，积累工艺数据与运行经验。其模块化架构采用可互换的 Smart Cartridges，可支持不同材料工艺和客户，无需在各次任务间重新设计整个载荷。
SEMI 中国·半导体精选AI 评分7373 三星电机在韩国、越南投资6.78万亿韩元扩大封装基板产能
三星电机宣布在韩国和越南合计投资6.78万亿韩元，扩大面向AI服务器的高附加值FC-BGA封装基板产能。韩国世宗工厂项目投资4.27万亿韩元，投资期为2026年9月28日至2028年5月31日，计划于2028年9月开始量产，实际投资金额和期限可能随项目推进调整。越南生产子公司同日决定投资2.51万亿韩元，用于当地封装基板设施。
推荐理由：韩国项目的投资周期与量产节点提供了产能释放的时间参照，有助于区分三星电机封装基板扩产的资金投入与供给落地节奏。
Semiconductor TodayAI 评分3636 硅光子与 InP 光子集成电路市场预计到2036年增至$48bn
IDTechEx预测，硅光子与 InP 光子集成电路市场将以21.9%的复合年增长率增长，到2036年达到US$48bn。基于光子集成电路的收发器可加快数据中心节点连接并降低功耗，需求受 AI 推动。高质量 InP 衬底供应正成为 AI 硬件部署的瓶颈，硅光子采用增加并不意味着 InP 组件需求减少。
粉体圈AI 评分5454 从材料到装备，分析国产高端MLCC的技术卡点
国产MLCC已在中低压、常规容值消费级产品上实现规模化替代，但向0.5μm及以下介质层、1200–1600层高容产品推进仍面临材料与装备协同难题。材料端，国瓷材料已稳定量产120–150 nm钛酸钡，博迁新材已规模量产80nm镍粉，高端粉体掺杂与超薄生瓷带用离型膜仍是攻关环节。
中国粉体网AI 评分5959 互创芯微5亿元静电卡盘总部项目签约落户无锡高新区
9月28日，互创芯微静电卡盘总部项目签约落户无锡高新区，计划总投资5亿元。项目将建设陶瓷烧结车间、精密加工车间、千级洁净间及研发实验室，形成研发、生产、销售一体化总部基地。项目达产后，预计年产2500颗12英寸静电卡盘、5000颗8英寸静电卡盘。
Semiconductor TodayAI 评分6767 Wolfspeed 推出 Premium 200mm n型 SiC 衬底，现已可订购
Wolfspeed 宣布 Premium 200mm n型 SiC 衬底商业供货，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的 X-ray 拓扑成像验证，该衬底微管密度低于每平方厘米 0.01 个，即每片晶圆少于 3 个微管，并具有较低的螺型穿透位错水平。公司称，更高的裸晶圆质量可在客户现有外延工艺内改善外延表现；产品现已可订购，并配有专用产能。
Semiconductor TodayAI 评分4141 Fraunhofer IAF 开发用于数据中心、测量系统和传感器的宽带分布式放大器 MMIC
Fraunhofer IAF 开发出宽带分布式放大器 MMIC 芯片，适用于数据中心、测量系统和传感器。芯片采用栅长20nm的 InGaAs-on-Si HEMT 技术，在4–420GHz频段实现11 ± 2dB增益，饱和输出功率为6dBm至8dBm。
第三代半导体产业网AI 评分4242 芯联集成前三季度预盈6.81亿元：公司盈利持续加速
芯联集成预计2026年前三季度归母净利润约6.81亿元，同比增长约11.44亿元，盈利逐季加速。同期预计营业收入约77.66亿元，同比增长约43.23%；第三季度单季净利润超过上半年两个季度之和。销售放量带来的规模效应、成本管控、工厂运营效率优化及产品结构升级共同支撑盈利改善。
Semiconductor TodayAI 评分3030 Wise Integration 数字控制技术将与纳微半导体宽禁带技术结合
Wise Integration 与纳微半导体达成合作，将结合分布式数字控制与 GaN、SiC 技术，推进 AI 数据中心电源及高性能计算供电应用。双方将重点关注 AI 数据中心电源单元，探索更多电能转换拓扑，以满足从电网到芯片的高电压、高功率和高效率应用需求。
第三代半导体产业网AI 评分5454 阿基米德半导体金刚石集成碳化硅功率模块实现首批样品交付
阿基米德半导体于2026年8月交付首批“Diamond Inside”碳化硅功率模块正式样品订单，客户为国内一家电动飞行器企业，产品将装机进入其动力系统。模块采用DCM封装，将金刚石复合材料作为底板嵌入封装结构，而非外部贴附热沉片。材料称，该方案可使散热由传统Pinfin水冷改为平板风冷，减少冷却附件及底板重量，并通过与SiC芯片更匹配的热膨胀系数降低热应力与界面疲劳风险。
第三代半导体产业网AI 评分4141 元旭半导体Micro-LED光互联芯片实测-3dB带宽达3.5GHz
元旭半导体联合清华大学、星火辰光研发的Micro-LED光互联芯片样品，在所采用的测试条件下实测-3dB带宽达到3.5GHz。下一阶段，元旭半导体将围绕器件一致性、阵列集成与封装互连继续研发，并联合合作伙伴推进驱动、接收及光学耦合适配，通过链路测试验证通信能力。
第三代半导体产业网AI 评分4949 晶合光电“画芯一号”Micro-LED数字光源芯片通过AEC-Q102车规认证
晶合光电“画芯一号”Micro-LED数字光源芯片近期在美国倍科实验室（BACL）见证下，通过AEC-Q102车规可靠性认证。公司首个定点整车项目已启动，采用自主设计的Micro-LED光源板，正与合作伙伴推进全链条开发、产品验证与产线筹备。
第三代半导体产业网AI 评分3232 亿铸科技亮相2026全球AI芯片峰会，系统阐释通用存算一体三大定律
亿铸科技创始人熊大鹏亮相2026全球AI芯片峰会，从数据搬运、软件生态和异构协同三个维度阐释通用存算一体三大定律。公司基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片已流片，完成从理论架构到芯片硬件的全链路验证。其方案在大模型推理场景、同等业务规模下，推理算力综合TCO最高可下降约88%。
第三代半导体产业网AI 评分5050 中科大孙海定团队AFM：面向高速日盲光通信的微尺度发光与探测二极管几何工程
中国科学技术大学孙海定团队提出沟槽深宽比重构策略，在固定有源面积下提升AlGaN深紫外微二极管的发光、探测与通信性能。NT-diode在50 mA时光输出功率提升约16%，探测响应度提升约17.3%。其数据率达2.688 Gbps，源于接收信号质量改善而非本征调制带宽增加，并完成双向自由空间V2V概念验证。
第三代半导体产业网AI 评分3030 彭寿院士：夯实电子信息材料根基，赋能电子信息产业高质量发展
彭寿院士提出，应优先夯实电子信息材料基础能力，以材料创新牵引产业升级，保障产业链供应链安全。“十五五”阶段需从单点技术突破转向全链条体系化能力建设，构建研发、中试、量产与应用反馈闭环。重点加强半导体、新型显示及封装材料攻关，建设中试与应用验证平台，推动上下游协同验证。
第三代半导体产业网AI 评分2929 【详细日程】APWS 2026｜第十二届亚太宽禁带半导体国际会议将于10月11-15日在西安召开
第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）将于10月11日-15日在西安曲江国际饭店召开，完整日程已更新发布。会议由西安电子科技大学主办，将带来超200场主题报告，围绕III族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等宽禁带与超宽禁带半导体展开交流。
Compound SemiconductorAI 评分2828 Wise Integration 与纳微半导体拟开展合作
Wise Integration 与纳微半导体拟结合数字控制与 GaN、SiC 技术，合作面向 AI 数据中心 PSU 及计算设备的电源应用。双方将重点结合分布式数字控制与宽禁带技术，并探索更多电能转换拓扑，以满足从电网到芯片的高电压、高功率和高效率应用需求。
Compound SemiconductorAI 评分3636 InP：光子学领域的关键半导体
IDTechEx报告指出，InP是支撑AI发展的PIC光收发器的关键材料，硅光子技术普及将改变而非取代对InP组件的需求。报告预测，数据通信及量子技术光收发器的PIC与硅光子市场到2036年将达$50 billion。高质量InP衬底供应正成为AI硬件部署的瓶颈，部分厂商正向6-inch晶圆迁移。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 评分5252 英伟达评估玻璃基板方案，与SCHMID等企业合作，最快有望2028年前落地
英伟达正在评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，相关方案最快有望于2028年前落地。英伟达希望韩国、日本基板厂商在两年内完成开发，用于下一代高性能AI加速芯片封装，提升集成度并承载更多高带宽内存。SCHMID披露正与英伟达、英特尔、AMD供应链内核心供应商共同开发玻璃基板制造设备，但TGV金属化仍有技术难点，相关产品客户认证尚未完成。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 评分7474 高塔半导体拟投资约40亿美元扩产日本，打造AI光通讯芯片基地
高塔半导体计划投资约40亿美元，分两阶段扩充日本硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应AI基础设施需求。第一阶段将新潟县荒井Fab 6改为300mm硅光子与先进光学封装厂，并提升富山县鱼津Fab 7的SiGe与SiPho产能，预计2027年第四季具备全面量产准备；第二阶段将在Fab 7旁新建300mm晶圆厂，扩大SiGe EIC与SiPho PIC产能，为后续导入CPO铺路。