跳到正文

#研究/数据

今日 0 条
9月30日周三
  1. 艾邦半导体网71

    工研院验证基于玻璃载板的面板级中介层,面向2.5D先进IC封装

    工研院在2025 IEEE第75届ECTC会议论文中,完成基于玻璃载板的RDL先制与芯片先制两种面板级中介层工艺验证。样件采用37 cm × 47 cm母板,最小线宽/线距达到3 μm/3 μm,通过平衡薄膜将翘曲控制在约0.1 mm,并结合AOI偏移数据与DDC™数字动态连接技术调整通孔和布线图形。

9月29日周二
  1. 第三代半导体产业网61

    燕山大学与中山大学团队研发热化学机械研磨工艺,降低碳化硅晶圆加工损伤

    燕山大学黄水泉团队联合中山大学黄翰团队研发碳化硅热化学机械研磨工艺,相关成果发表于《极端制造国际期刊》。工艺利用接触点瞬时摩擦升温超45℃触发冷却液中的ACVA分解,在晶体表层形成厚度约10纳米的无定形碳氧化硅缓冲薄膜,使无裂纹切削深度从29纳米提升至51纳米,亚表面加工缺陷控制在70纳米以内。团队下一阶段计划优化工艺参数以适配商用8英寸碳化硅晶圆加工设备,并研发配套闭环流体回收系统,推进产业化。

  2. Semiconductor Today36

    硅光子与 InP 光子集成电路市场预计到2036年增至$48bn

    IDTechEx预测,硅光子与 InP 光子集成电路市场将以21.9%的复合年增长率增长,到2036年达到US$48bn。基于光子集成电路的收发器可加快数据中心节点连接并降低功耗,需求受 AI 推动。高质量 InP 衬底供应正成为 AI 硬件部署的瓶颈,硅光子采用增加并不意味着 InP 组件需求减少。

9月28日周一
  1. Compound Semiconductor36

    InP:光子学领域的关键半导体

    IDTechEx报告指出,InP是支撑AI发展的PIC光收发器的关键材料,硅光子技术普及将改变而非取代对InP组件的需求。报告预测,数据通信及量子技术光收发器的PIC与硅光子市场到2036年将达$50 billion。高质量InP衬底供应正成为AI硬件部署的瓶颈,部分厂商正向6-inch晶圆迁移。

9月24日周四
9月23日周三
  1. Compound Semiconductor67

    苏黎世联邦理工学院开发发光光刻胶,使微小OLED像素可用光刻工艺制造

    苏黎世联邦理工学院研究人员开发出可直接光刻的多色发光聚合物,兼具光刻胶功能与耐化学处理能力,成果发表于Nature。材料采用核壳式分子设计,将发光核心与外围UV交联基团隔开,并制成尺寸为300 by 430 µms、包含250 by 350像素的静态荧光图像,该图像尚非电驱动显示屏。

9月7日周一
  1. Semiconductor Today41

    RF GaN 技术趋于成熟,专利活动放缓

    KnowMade 的报告显示,RF GaN 技术趋于成熟,整体专利活动放缓,但部分技术领域和地区的竞争加剧。GaN-on-SiC 仍是高功率应用的主流平台,GaN-on-Si 则在 8-inch 制造支持下迈向早期产业化。MACOM 接收 Wolfspeed 的 RF 业务及相关专利资产后,强化了器件、封装和电路领域的专利布局。

8月20日周四
7月30日周四
7月14日周二
7月8日周三
6月30日周二
  1. SEMI 中国·热点新闻64

    SEMI预测2026年全球300mm存储设备投资增长29%至520亿美元

    SEMI《300mm晶圆厂展望报告》预测,2026年全球300mm晶圆厂存储领域设备投资将增长29%至520亿美元,2027年再增11%至570亿美元。受AI驱动的HBM、DDR5及数据存储需求支撑,2026年DRAM设备支出预计增长29%至370亿美元,3D NAND设备支出预计增长28%至140亿美元。

    推荐理由:报告将存储设备支出增长与有效产能温和增长并置,有助于区分技术迁移带来的投资需求与新增晶圆产能的扩张。

5月28日周四
  1. SEMI 中国·热点新闻36

    SEMI与GNC联合发布玻璃核心基板市场与发展趋势报告

    SEMI与GNC联合发布《玻璃核心基板市场与发展趋势报告》,预测2028年至2040年玻璃核心基板复合年增长率达67.2%。该技术受AI和HPC驱动,预计2028年左右在部分高性能应用领域率先启动。报告分析了市场前景、技术驱动因素及商业化障碍,涵盖基板、玻璃材料、设备、加工、检测等供应链环节。

5月13日周三