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#碳化硅

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9月1日周二
  1. Semiconductor Today38

    安世半导体探索与 Aurobay 开展面向电动化动力总成的功率半导体合作

    安世半导体将探索与 Aurobay Technologies 开展汽车功率半导体战略合作,面向下一代电动化及混合动力汽车平台。Aurobay 已在用于增程器的高度集成发电系统中部署安世半导体 GaN 器件。双方拟结合 GaN、SiC 技术与动力总成集成能力,评估牵引逆变器及发电系统的架构优化机会。

7月8日周三
6月3日周三
  1. 粉体圈34

    【周三买家汇】粉体圈采购需求信息分享(407)

    粉体圈发布第407期采购需求,涵盖粉体材料、陶瓷制品、代加工及粉体设备求购信息。材料需求包括5N-6N高纯氧化铈、符合BP或USP认证的医药级滑石粉,以及用于晶圆真空吸盘的碳化硅陶瓷盘。设备需求包括分离锂电池黑粉中铜铝粉尘的分级机,以及每小时生产能力500-1000公斤、研磨粒度300目的气流粉碎机。

5月12日周二
  1. Semiconductor Engineering · Metrology54

    特色半导体器件发展系列第三篇:如何解决 MEMS、光子器件与共封装光学的工艺控制挑战

    MEMS、CMOS 图像传感器、SiC 与 GaN 功率器件及共封装光学(CPO)的工艺控制,可通过跨设备、跨层及跨工序关联量测与检测数据改善。RF BAW 案例将在线厚度量测与逐片修整反馈闭环结合,使晶圆内不均匀性降低一个数量级;功率器件案例结合衬底与外延缺陷图及电阻率测量,识别纵向传播且低电阻率的致命缺陷。

4月10日周五
4月7日周二
  1. Semiconductor Engineering · Metrology54

    特色器件增长系列第二篇:MEMS、共封装光学等器件面临哪些工艺控制挑战

    MEMS、CMOS图像传感器、SiC与GaN功率器件及共封装光学的规模化制造,均面临各自的形貌、膜厚、均匀性和缺陷控制挑战。CIS器件高度为6µm至10µm,像素隔离沟槽约100nm宽;SiC已采用200mm晶圆生产,部分厂商开始生产用于发挥材料导热特性的300mm SiC晶圆,而GaN更早转向300mm晶圆。