安世半导体探索与 Aurobay 开展面向电动化动力总成的功率半导体合作
安世半导体将探索与 Aurobay Technologies 开展汽车功率半导体战略合作,面向下一代电动化及混合动力汽车平台。Aurobay 已在用于增程器的高度集成发电系统中部署安世半导体 GaN 器件。双方拟结合 GaN、SiC 技术与动力总成集成能力,评估牵引逆变器及发电系统的架构优化机会。
安世半导体将探索与 Aurobay Technologies 开展汽车功率半导体战略合作,面向下一代电动化及混合动力汽车平台。Aurobay 已在用于增程器的高度集成发电系统中部署安世半导体 GaN 器件。双方拟结合 GaN、SiC 技术与动力总成集成能力,评估牵引逆变器及发电系统的架构优化机会。
SEMI与TechSearch International于美国加州时间2026年7月7日发布2026版《全球封装测试厂数据库》,覆盖超过820座工厂。数据库追踪IDM和OSAT企业的半导体后端制造,覆盖量较2025版的750座增加,并新增材料、终端市场、基板与中介层平台等字段。
粉体圈发布第407期采购需求,涵盖粉体材料、陶瓷制品、代加工及粉体设备求购信息。材料需求包括5N-6N高纯氧化铈、符合BP或USP认证的医药级滑石粉,以及用于晶圆真空吸盘的碳化硅陶瓷盘。设备需求包括分离锂电池黑粉中铜铝粉尘的分级机,以及每小时生产能力500-1000公斤、研磨粒度300目的气流粉碎机。
MEMS、CMOS 图像传感器、SiC 与 GaN 功率器件及共封装光学(CPO)的工艺控制,可通过跨设备、跨层及跨工序关联量测与检测数据改善。RF BAW 案例将在线厚度量测与逐片修整反馈闭环结合,使晶圆内不均匀性降低一个数量级;功率器件案例结合衬底与外延缺陷图及电阻率测量,识别纵向传播且低电阻率的致命缺陷。
纳米粉体通过增韧、促进致密化烧结和细化晶粒,提升陶瓷材料的力学性能与功能特性。在氧化铝基体中添加适量纳米SiC颗粒,可使抗弯强度提升30%-80%。成型与烧结需重点控制粉体分散、硬团聚及气孔缺陷,并通过低温或快速烧结抑制晶粒生长。
MEMS、CMOS图像传感器、SiC与GaN功率器件及共封装光学的规模化制造,均面临各自的形貌、膜厚、均匀性和缺陷控制挑战。CIS器件高度为6µm至10µm,像素隔离沟槽约100nm宽;SiC已采用200mm晶圆生产,部分厂商开始生产用于发挥材料导热特性的300mm SiC晶圆,而GaN更早转向300mm晶圆。