特色半导体器件发展系列第三篇：如何解决 MEMS、光子器件与共封装光学的工艺控制挑战

MEMS、CMOS 图像传感器、SiC 与 GaN 功率器件及共封装光学（CPO）的工艺控制，可通过跨设备、跨层及跨工序关联量测与检测数据改善。RF BAW 案例将在线厚度量测与逐片修整反馈闭环结合，使晶圆内不均匀性降低一个数量级；功率器件案例结合衬底与外延缺陷图及电阻率测量，识别纵向传播且低电阻率的致命缺陷。