Semiconductor Engineering · Metrology· Huayuan Li·· 22 天前AI 评分57
超越厚度测量：如何利用皮秒超声技术控制 BCD 器件的 SiCr 工艺
Beyond Thickness: Using Picosecond Ultrasonic Technology For SiCr Process Control In BCD Devices
AI 导读
皮秒超声量测平台通过同步采集厚度与反射率数据，为 BCD 器件的 SiCr 薄膜沉积提供厚度之外的工艺监控信息。两种 N₂ 流量条件的晶圆演示显示，较高流量下薄膜更薄、反射率更高，后者与更平滑、致密的表面相符。反射率可作为表面形貌与粗糙度的定性指标，无需额外量测步骤即可辅助识别气流相关沉积变化及潜在工艺异常。
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