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力森诺科成功开发300mm碳化硅衬底
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2026年9月30日,据SEMI中国报道,Resonac(力森诺科)成功开发出直径300mm(12英寸)的碳化硅(SiC)衬底。在相同制程条件下,该300mm衬底每片可取得的芯片数量为主流150mm(6英寸)衬底的4倍。报道指出,300mm SiC衬底的商业化仍面临挑战,需要功率半导体制造商进行大规模设备投资,同时要求供应商建立能够稳定量产低缺陷衬底的生产体系。目前,Resonac主要生产150mm衬底。公司表示,现阶段将优先强化由150mm向200mm转移的生产能力,并将根据客户需求评估300mm产品的市场前景。
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最新进展9月30日 08:00
Resonac宣布成功开发300mm SiC衬底,现阶段优先推进200mm产能转移。报道时间线
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9月30日
- SEMI 中国·半导体精选Resonac成功开发300mm碳化硅衬底
Resonac(力森诺科)成功开发直径300mm(12寸)SiC衬底,相同制程下每片可取得的芯片数量为主流150mm(6寸)衬底的4倍。其商业化需要功率半导体制造商进行大规模设备投资,以及供应商建立稳定量产低缺陷衬底的生产体系。Resonac目前主要生产150mm衬底,现阶段将优先强化由150mm向200mm转移的生产能力,并按客户需求评估300mm产品的市场前景。
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