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国际团队将hBN忆阻开关集成至可编程GaN芯片
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AI 综述
2026年10月1日，Compound Semiconductor报道，Tyndall National Institute参与的国际团队开发出可编程GaN芯片，可持续适应网络需求变化。团队将多层六方氮化硼（hBN）忆阻开关直接集成到GaN单片微波集成电路（MMIC）中，使芯片无需持续供电即可保持配置，待机功耗几乎为零。目前，研究已在多个关键射频组件中完成演示，成果发表于《Nature》，面向未来6G通信。
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最新进展10月1日 08:00
团队已在多个关键射频组件中演示hBN忆阻开关与GaN MMIC的集成，成果发表于《Nature》。报道时间线
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10月1日
- Compound Semiconductor可编程 GaN 芯片适应网络需求变化
Tyndall National Institute 参与的国际团队开发出可编程 GaN 芯片，可持续适应网络需求变化，待机功耗几乎为零。该芯片将多层六方氮化硼（hBN）忆阻开关直接集成到 GaN MMIC，配置保持无需持续供电。研究已在多个关键 RF 组件中完成演示，成果发表于《Nature》，面向未来 6G 通信。
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