五项第三代半导体相关团体标准发布
9月28日，第三代半导体相关CASAS团体标准发布，涉及器件测试、晶锭激光剥离设备及材料表征。正文列出T/CASAS 038—2026的SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法。
#碳化硅
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粉体圈AI 评分6161 GB/T 47404-2026《碳化硅 单晶》将于2026-10-01实施
GB/T 47404-2026《碳化硅 单晶》于2026-03-01发布，将于2026-10-01实施。该标准由北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司等单位起草，归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会及其材料分技术委员会。
粉体圈AI 评分6666 GB/T 47082-2026《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》实施
GB/T 47082-2026《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》于2026-01-28发布，2026-08-01实施。该标准由山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司等单位起草，归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及其材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)。